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951.
铝合金弹壳是实现弹药轻量化的重要途径之一,耐冲刷抗烧蚀涂层是大口径铝合金弹壳完成作战使命的有力保障。针对7050铝质弹壳的"氧化陶瓷-有机硅树脂"复合涂层耐冲刷抗烧蚀性展开研究:采用SEM观察实弹射击前后复合涂层形貌变化,利用ICP法分析氧化陶瓷层的组成,测试涂层的耐热性、隔热性、结合力等耐冲刷抗烧蚀考核指标。研究结果表明:复合涂层在高温高压的火药气体冲刷作用下,没有出现剥离脱落,铝质弹壳基体未见任何烧蚀,涂层表现出良好的耐冲刷抗烧蚀效果;氧化陶瓷底层由Al_2O_3、MgO、ZnO、CuO四种高熔点的氧化物组成,具有较高的耐热性;复合涂层可使整体导热系数降低50%以上,隔热性良好;复合涂层与基体结合力达到0级。研究成果可为进一步优化大口径铝质弹壳涂层制备工艺、探究铝质弹壳涂层耐冲刷抗烧蚀机理奠定基础。 相似文献
952.
目的:探讨根据CYP2C19代谢分型进行的个体化用药调整对于氯吡格雷治疗缺血性脑卒中的指导作用,为临床个体化用药提供参考。方法:纳入80例脑梗死患者,根据是否行CYP2C19基因检测分为经基因检测的个体化用药指导组40例和非基因检测的对照组40例。个体化用药指导组根据CYP2C19代谢分为:慢代谢型、中间代谢型、快代谢型及超快代谢型。快代谢型及超快代谢型按照常规使用氯吡格雷75 mg,每天1次。中间代谢型采用双倍氯吡格雷剂量150 mg,每天1次。慢代谢型患者氯吡格雷更换为替格瑞洛90 mg,每天2次或停用氯吡格雷,改用阿司匹林肠溶片100 mg每天1次;对照组按照常规使用氯吡格雷75 mg,每天1次。对所有入组患者出院后进行为期3个月的门诊或电话随访。比较两组血管事件发生率和改良Rankin量表(mRS)(0-1)发生率。结果:个体化用药指导组血管事件发生率明显低于对照组,mRS评分(0-1)发生率明显高于对照组,差异均有统计学意义(P<0.05)。结论:经CYP2C19基因检测对缺血性脑卒中患者进行的个体化用药,能显著降低血管不良事件发生率,同时对于患者预后生活能力改善也有显著提高。 相似文献
953.
鉴于聚合物基复合封装材料导热性能传统研究方法的不足(效率低、预测模型不合理等),提出了一种基于VC++结合ANSYS和MATLAB联合编程的方法,对聚合物基复合材料的导热性能进行参数化有限元分析。用户只需要在由VC++开发出来的人机交互界面上输入复合材料的相关导热参数,即可由ANSYS与MATLAB相互协作完成导热模型的构建、模型导热率的数值仿真、结果输出的可视化处理等一系列工作。通过分析氮化铝填充环氧树脂复合材料的导热性能,检验了该方法的可靠性。研究结果表明,该方法不仅能够有效地预测实验结果,而且还方便易用。 相似文献
954.
针对电动汽车厂家研发了电动汽车电池充电系统,设计了一种大电流低电压电池充电系统。系统采用了PIC16F877A单片机作为电子控制单元核心,对规格为50 A、3.7 V的电池组进行充电。重点对电流电压采样电路进行了设计和研究。通过建立采样电路的仿真模型。并用实际电压电流数据对本采样系统进行了验证。实验证明,系统提出的电流电压采样具有较高的精度、线性度,且能满足长期稳定运行的实际需求。 相似文献
955.
讨论了Zn O对Ba Sm2Ti4O12介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明:Zn O添加能推动Ba Sm2Ti4O12微波介质陶瓷的烧结,可至少将其烧结温度降低至1 280℃。当添加过多的Zn O时,Zn2+会进入晶格,可能导致晶格畸变,由此造成颗粒间产生微小孔隙及晶格内形成许多缺陷,降低了材料的εr和Q×f值。含0.5 wt%Zn O的Ba Sm2Ti4O12试样在1 280℃烧结时,综合介电性能最好:εr=76.46,Q×f=6 334 GHz。 相似文献
956.
针对压力传感器隔离式封装中的波纹膜片这一关键部件,采用有限元分析的方法研究了波纹膜片的厚度、波纹深度和波纹数目分别对最大压力约0.1 MPa下的压力传感器输出信号的影响,优化了波纹膜片结构的参数选择。通过对封装了不同波纹膜片的样品的测试与比较表明,较小的膜厚与波纹深度、较多的波纹数目有助于提高压力传感器的性能,从而验证了波纹膜片结构优化的正确性。 相似文献
957.
在半导体微纳工艺基础上研究了基于镜像非对称结构超材料太赫兹(THz)滤波器的性能。通过时域有限差分理论,模拟分析了滤波器工作频率下太赫兹电场强度和电流密度在微结构的分布,并阐述了微结构太赫兹波电磁共振的机理。基于太赫兹滤波器电磁损耗机制和微纳加工工艺条件,设计并优化器件开口环结构,使相邻开口环中产生电磁场的干涉相消,减少太赫兹辐射损耗,提高品质因子Q值。采用太赫兹时域光谱(THz-TDS)系统测试了滤波器的太赫兹透射特性,实验结果表明,在工作频率0.923 THz下,镜像非对称结构的平面太赫兹滤波器品质因子达到12.5。同时,研究了太赫兹电场方向对滤波器性能的影响。高Q太赫兹滤波器的研制为制备高速太赫兹电调制器等太赫兹器件提供了重要的实验依据。 相似文献
958.
959.
960.