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21.
22.
椭球反射镜膜厚均匀性   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文分析了椭球反射镜膜层厚度均匀性对反射率的影响,从理论上得到膜厚计算公式。根据计算的膜厚分布设计了遮蔽板,获得较好的反射特性。  相似文献   
23.
提出底敞口充气浮箱的结构和概念。经模型模拟试验研究分析,经典浮力定律可用于这种浮箱的浮力计算;其动充气状况还具有一定的允许伤损面积。它的研究将为水陆两用车辆增大浮力,缩小外形,提高水上自下而上能力和潜驶潜伏提供具有诱惑力的工程应用前景。  相似文献   
24.
一种新型准分子激光器循环系统中的密封传动技术,具有可耐高气压,不失耦,不使用昂贵强磁材料,结构简单等优点,虽有涡流损失过大之不足,但能很好地适用于小功率下运行。  相似文献   
25.
熊东亮 《小水电》2007,(4):48-50
针对界牌水电厂1号发电机多次出现的定转子轻微扫膛现象,对其进行检修,详细介绍了改造后的定子铁损试验前的准备、试验方案的确定、试验过程以及试验结果。图2幅,表2个。  相似文献   
26.
熊永立  张雄辉 《测井技术》2002,26(3):252-256
Eclips测井系统对阿特拉斯生产的FMT仪器进行温度校正的20个主刻度数据都是浮点数据,利用COEFGEN程序产生的浮点校正数据输入到Eclips测井系统中对RFT进行温度校正,把RFT仪器的温度压力关系的十进制主刻度数据转换成Eclips测井系统对FMT仪器进行温度压力校正的浮点数据,对RFT仪器所测的泥浆柱压力值和地层压力值进行了实时测井校正,并分析了校正前后的误差。  相似文献   
27.
The microstructure and microtexture in adiabatic shear bands (ASBs) on the titanium side in the titanium/mild steel explosive cladding interface are investigated by means of optical microscopy, scanning electron microscopy/electron backscattered diffraction (SEM/EBSD), and transmission electron microscopy (TEM). Highly elongated subgrains and fine equiaxed grains with low dislocation density are observed in the ASBs. Microtextures (25 deg, 75 deg, 0 deg), (70 deg, 45 deg, 0 deg), and (0 deg, 15 deg, 30 deg) formed within the ASBs suggest the occurrence of the recrystallization. The grain boundaries within ASBs are geometrically necessary boundaries (GNBs) with high angles. Finite element computations are performed to obtain the effective strain and temperature distributions within the ASBs under the measured boundary conditions. The rotation dynamic recrystallization (RDR) mechanism is employed to describe the kinetics of the nanograins’ formation and the recrystallized process within ASBs. During the deformation time (about 5 to 10 μs), the following processes take place: dislocations accumulate to form elongated cell structures, cell structures break up to form subgrains, and subgrains rotate and finally form recrystallized grains. The small grains within ASBs are formed during the deformation and do not undergo significant growth by grain boundary migration after deformation.  相似文献   
28.
29.
This paper presents a method to make vanadium dioxide (VO2) crystallites on silicon substrates by reactive ion beam sputtering. The thickness of the thin film is about 100nm. The phase transition temperature of VO2 is 65°C. The transmittance of the semiconducting phase VO2 is about 50% and it is reduced to as low as 3% in metal phase at the infrared wavelenghth spectrum. The extinction ratio of the optical switches is 12dB. and the insertion loss is of 1-2dB. The switching time is about 1ms.  相似文献   
30.
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