SCB火工品的研究与发展

文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。     

21~28GHz波段平衡式放大器

采用OMM IC的0.2μm PHEM T工艺设计了工作在21~28 GH z的平衡式放大器。正交耦合电桥采用兰格电桥。兰格电桥和平衡式放大器的在片测试结果和仿真结果基本吻合,平衡式放大器在21~28 GH z的增益为18~20 dB,输入和输出回波损耗小于-20 dB,在26 GH z处的输出1 dB压缩点功率为21 dBm。     

双波长稳频CO_2激光模糊控制系统的建模与优化

报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器，用于双波长稳频ＣＯ２激光器的控制得到令人满意的结果。     

一类非线性MIMO不确定系统的动态输出反馈镇定

考察其标称系统的相对阶大于{1,1,…,1}同时含匹配和非匹配不确定性的MIMO 非线性系统的动态输出反馈镇定问题.文中直接用Lyaunov方法构造一类输出反馈动态补 偿器,该补偿器可以实现对所论非线性不确定系统的动态输出反馈渐近镇定.     

移动式宽频带高产额中子发生器

多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。     

无机高分子絮凝剂聚硫酸铁合成条件的研究

实验研究了以工业硫酸亚铁及废硫酸为原料,分别采用NaClo_3、KClO_3、H_2O_2及(o_2+NaNO_2)为氧化剂成聚硫酸铁的条件。在以(O_2+NaNO_2)为氧化剂的合成过程中,发现添加微量助催化剂(型号为HG-1、HG-2和HG-3),对提高合成速度及反应过程的稳定性具有重大作用。     

有限区间信号边界效应问题的研究

研究了截断信号边界的“吉布斯”现象及数字滤波器相位特性对有限区间信号滤波处理的影响，在阐明了有限区间信号处理中边界效应物理本质的基础上，探讨了数字信号处理中通常所采用的边界处理方法的有效性问题，提出了一种命名为端值延拓法的新的边界处理方法，通过比较分析和实例验证表明这种方法的优越性，文中以零相位数字滤波及运用MALLAT算法对有限区间信号进行小波分解与重构为实例，介绍了其边界效应问题及解决方案，取得了很好的效果。     

柳沟庄—窟窿山油藏储集层裂缝类型及特征

根据岩心描述、薄片观察、X－CT扫描以及钻井、测井等资料，研究了酒西盆地青西坳陷柳沟庄－窟窿山油藏裂缝性储集层的类型及特征，分析了控制裂缝发育的地质因素及裂缝对油气的控制作用，认为储集层裂缝有3种基本类型，即构造裂缝、构造熔蚀缝和饼状破裂，主要受构造应力场及构造位置等因素的控制。根据裂缝形态、充填特征及其相互关系，裂缝的形成主要有3个期次，其中喜马拉雅运动晚期形成的第三期理解缝对油气运移和聚集最有效。研究结果表明，裂缝是柳沟庄－窟窿山油藏主要的储集空间和控制油气富集的因素。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。