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提出了一种新颖的Contourlet域伪3D-DCT变换的视频水印算法,Contourlet变换采用方向滤波器组,能有效捕获自然图像的边缘轮廓信息。本算法首先对原始视频的每帧图像进行Contourlet变换,取其变换后的低频图像,然后对低频图像进行分组,每一组分别进行伪3D-DCT,最后在变换后的直流系数中嵌入经过Arnold变换置乱后的水印,提取算法简单并实现了水印的盲提取,实验结果表明,本算法在保证不可见性的前提下显著提高了嵌入水印的鲁棒性,能够有效地抵抗MPEG压缩及其他常见的攻击。 相似文献
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六开关三相四线PWM整流器拓扑是适合于中大功率高频UPS装置的前级整流器拓扑.与常规的六开关三相三线整流器相比,三相四线整流器输出正负直流母线,并且输入侧存在零序电流通路,如果沿用三相三线整流器的控制方法,必然会引起很大的中线电流.针对此问题.讨论了三相四线PWM整流器输出为正负直流母线电压均衡控制和中线电流控制问题,建立了三相四线整流器数学模型,分析了中线电流产生的机理以及抑制的方法,设计了基于同步旋转坐标系的三相四线整流器的控制算法.在功率40kW的实验样机上验证了控制方法的有效性,保证了输出正负母线电压的平衡及较小的输入电流谐波. 相似文献
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实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53 Ga0.47 As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz. 相似文献
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聚乙烯吡咯烷酮(以下简称PVP)作为一种抑制能力较强、应用较成熟的水合物动力学抑制剂(以下简称KHIs),一直是国内外学者关注和研究的焦点,但对于不同分子量PVP对水合物形成的影响情况还存在着争议。为此,在常压、变温条件下进行了四氢呋喃(以下简称THF)水合物形成模拟实验,研究了相同加量条件下、不同分子量的PVP对THF水合物形成及生长的影响,并从宏观现象、介观结构和微观机制3个层面对影响机理进行了分析和探讨。结果表明:(1)对于THF水合物的形成,PVP的抑制能力随分子量的增大逐渐增强;(2)对于THF水合物的生长,PVP分子量介于8 000~58 000时,抑制效果较接近且相对较弱,但抑制作用稳定,PVP分子量介于270 000~1 500 000时,在THF水合物生长初始阶段PVP的抑制效果较好,但整个实验过程THF水合物形成的平均速率相对较快,且PVP分子量越大这一现象越明显;(3)PVP的存在增强了THF水合物聚集体的聚集强度。结论认为,该研究成果对于KHIs的研发和实际应用均具有较重要的参考价值。 相似文献
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提出了一种基于嵌套负载牵引技术的多倍频程功率放大器的设计方法。与传统的负载牵引技术不同,该方法考虑了基波阻抗与二次谐波阻抗之间的相关性,能够提供更精确的设计区域。它不仅可以研究带内谐波对功放多倍频性能的影响,而且可以改善设计空间,使宽带匹配网络设计更加方便。为验证该方法的可行性,设计并实现了一款超宽带功率放大器。实验结果表明,在0.3~3.2 GHz(相对带宽165.7%)频段内,漏极效率为61.8%~73.6%,输出功率为40.2~42.6 dBm,实现的功放面积为7.4 cm×3.0 cm,与其它性能相近功放相比,面积明显减小。 相似文献
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基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。 相似文献
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