全文获取类型
收费全文 | 20055篇 |
免费 | 2597篇 |
国内免费 | 1712篇 |
专业分类
电工技术 | 1778篇 |
综合类 | 2135篇 |
化学工业 | 2748篇 |
金属工艺 | 1316篇 |
机械仪表 | 1388篇 |
建筑科学 | 1367篇 |
矿业工程 | 754篇 |
能源动力 | 486篇 |
轻工业 | 2726篇 |
水利工程 | 705篇 |
石油天然气 | 694篇 |
武器工业 | 249篇 |
无线电 | 2255篇 |
一般工业技术 | 1769篇 |
冶金工业 | 622篇 |
原子能技术 | 284篇 |
自动化技术 | 3088篇 |
出版年
2024年 | 182篇 |
2023年 | 446篇 |
2022年 | 1003篇 |
2021年 | 1254篇 |
2020年 | 835篇 |
2019年 | 601篇 |
2018年 | 684篇 |
2017年 | 730篇 |
2016年 | 732篇 |
2015年 | 1011篇 |
2014年 | 1150篇 |
2013年 | 1450篇 |
2012年 | 1679篇 |
2011年 | 1756篇 |
2010年 | 1564篇 |
2009年 | 1511篇 |
2008年 | 1479篇 |
2007年 | 1434篇 |
2006年 | 1224篇 |
2005年 | 962篇 |
2004年 | 688篇 |
2003年 | 456篇 |
2002年 | 446篇 |
2001年 | 403篇 |
2000年 | 309篇 |
1999年 | 140篇 |
1998年 | 40篇 |
1997年 | 27篇 |
1996年 | 24篇 |
1995年 | 18篇 |
1994年 | 10篇 |
1993年 | 15篇 |
1992年 | 24篇 |
1991年 | 13篇 |
1990年 | 10篇 |
1989年 | 4篇 |
1988年 | 7篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 7篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 5篇 |
1965年 | 1篇 |
1964年 | 2篇 |
1959年 | 5篇 |
1958年 | 1篇 |
1951年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 156 毫秒
31.
机电事故严重影响企业的安全运行。国投新集二矿通过完善机电设备检修链的各个环节,最终实现了降低机电事故率的目标。 相似文献
32.
33.
超强吸水树脂的吸水性能研究 总被引:15,自引:0,他引:15
对自制的超强吸水树脂的吸收性能进行了研究,分别考察了吸水树脂的粒径,溶液的pH值,几种离子如Na^ ,K^ ,Ca^2 ,Mg^2 等的水溶液对吸水树脂吸收性能的影响。实验结果表明,在pH为6-8,树脂粒径为100mesh-120mesh时,树脂的吸水性能最好,各种离子对吸水树脂吸收性能的影响大小顺序为:Na^ <K^ <Mg^2 <Ca^2 。 相似文献
34.
用保护共沉淀法制备纳米ZrO2(Y2O3)粉体 总被引:3,自引:0,他引:3
用Tween-80保护共沉淀法制备了ZrO2(Y2O3)纳米粉体,用差热分析,热重分析,X射线衍射及透射电子显微镜等技术研究所了粉体的特征,结果表明:在700℃燃烧0.5h后ZrO2(Y2O3)粉体的平均粒径为3-9nm,比表面为128.5-134.5m^3g^-1,在1250℃煅烧8h后ZrO2(Y2O3)粉体已完全形成了立方相的ZrO2L大溶体,并且有非常好的烧结性能。 相似文献
35.
分别用NaOH和TEAOH合成了AlMCM 4 1介孔分子筛 ,用XRD、2 7AlMASNMR、SEM、TEM、IR、N2 低温吸附和TG DTA对样品进行了表征和比较。结果表明 ,TEAOH和NaOH对AlMCM 4 1有序结构的影响不同。当硅铝原子比为 2 5或 5 0时 ,用NaOH合成的样品有序性较高 ;而当硅铝比为 15时 ,用TEAOH合成的样品有序性较高。交换成氢型AlMCM 4 1后 ,当硅铝比为 2 5或 15时 ,用TEAOH合成的样品抗水解性能优于用NaOH合成的样品 ,其酸量也较大。用TEAOH合成的样品粒度小 ,比表面积、孔径和孔体积都大于用NaOH合成的样品 相似文献
36.
球磨机衬板材料及热处理工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
对传统的中碳低合金耐磨铸钢的化学成分和热处理工艺进行了优化设计 ,使新材料具有较高的强度、硬度和韧性 ,因而抗冲击、抗疲劳、抗磨损性能良好。实际应用表明 ,用此种材料代替油淬和风冷中碳低合金耐磨铸钢 ,不仅生产成本低 ,而且在矿山、电力球磨机制粉等工矿条件下 ,其使用寿命长 相似文献
37.
38.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
39.
40.