关于CEA混凝土膨胀剂的若干技术问题--与游宝坤同志讨论

作者阐述了CEA膨胀剂混凝土的膨胀量较大，干缩小，抗裂性能良好的特性，CEA与粉煤灰掺用提高强度，改善界面过渡层的性质，提高耐久性；CEA混凝土无Ca（OH）2溶出问题。文中列出GBJ119应用技术规范，说明CEA可用于防水工程。     

非晶Sm5Fe74.3Nb1.5Si11.7B4.5C2.5Cu0.5合金经预退火后的晶化动力学的DTA研究

研究了非晶Sm5Fe74.3Nb1.5Si11.7B4.5C2.5Cu0.5合金经400℃，保温10min预退火后的晶化动力学。结果表明；该合金的晶化相为α-Fe固溶体和Sm2Fe17Cx金属间化合物，两相的晶化表观激活能分别为557KJ/mol和514KJ/mol，当晶化体积分数为60%时，α-Fe相的晶化激活能达极大值；Sm2Fe17Cx相晶化激活能则随其晶化体积分数的增加而逐渐减小。     

节能润滑油在KTK-12.5/35氧压机上的使用

对氧压机试用节能润滑油前后的相关参数进行比较,通过计算验证该设备使用此油后的节电率,取得了预期的经济效益。     

Development of a low cost microwave mixer using a broad-band substrate integrated waveguide (SIW) coupler

A low cost single-balanced mixer is designed using a newly designed 90/spl deg/ substrate integrated waveguide (SIW) 3-dB coupler, which takes the advantages of low cost, low profile, and high performance. An X-band single-balanced SIW mixer is designed and fabricated with a standard printed circuit board process. Measured conversion loss of 6.8dB and the wide-band response from 8.5 to 12GHz are presented.     

陕北富县探区天然气藏钻井液屏蔽暂堵技术

陕北富县探区上古生界储层属低孔、低渗的致密储层,下古生界主要储集空间为溶蚀孔洞和裂缝,孔洞多为1～3 mm的小孔,裂缝宽度为0.2～7.0 mm,油气主要聚集在裂缝中.优选出了由复合暂堵剂CXD、憎水性屏蔽剂DYC和表面活性剂ABA组成的屏蔽暂堵配方,其中CXD具有架桥作用并对裂缝性储层有独特暂堵效果,DYC有浊点效应、能在井壁上快速形成阻止滤液侵入的油膜,ABA能减少水锁损害.加入暂堵剂后的钻井完井液,抑制性增强,页岩回收率在90%以上;高温高压滤失量降低,滤饼薄而韧、光滑;岩心静态渗透率恢复值大于90%;滤饼摩阻系数降低.富古6井通过使用该完井液,堵塞比和表皮系数都在轻微污染范围内,井径扩大率比其它井有不同程度的降低,表明优选出的屏蔽暂堵钻井完井液,能很好地保护陕北探区天然气藏.     

基于双阈值的视频平滑控制方法

在现有的TCP／IP网络中进行多媒体通信，服务质量是人们关注的重要内容。作为服务质量中的一项指标，视频平滑已成为研究和应用开发的一个热点问题。分析当前控制视频平滑的方式，提出一种基于双阈值视频平滑的控制方法。这种方法能够有效地改善视频平滑性能。     

构建完整的宽带网络综合计费管理系统

为适应网络发展的需要 ,有线宽带运营商需要通过一套完整的宽带网络计费管理系统 ,从硬件到软件、从前台到后台对各个方面进行管理 ,实现统一、规范、快速的信息化、网络化电脑管理 ,降低运营成本 ,提高工作效率 ,以过硬的服务质量、优惠的价格、丰富的内容吸引用户。     

EPON:下一代接入网的最佳选择

EPON技术具有大带宽、高性价比、结构简单和一定服务质量保证等特点,被业界普遍看好,成为 下一代接入网的最佳候选技术.本文主要介绍了EPON的工作原理、分层结构、接入控制和组帧方式,最后给出 了实现EPON的关键技术和难点以及EPON的发展近况.     

添加CaF2-YF3的AlN陶瓷的热导率

用CaF2和YF3做添加剂，在1750℃制备了热导率高于170W/m.K的的AlN陶瓷，并用XRD和SEM研究了AlN陶瓷在烧结过程中的相组成，微结构以及晶格参数的变化，并讨论了其对热导率的影响，研究发现，当使用CaF2-YF3做添加剂时，微结构差异对AlN陶瓷热导率的影响很小，AlN陶瓷的热导率主要由AlN晶格氧缺陷浓度决定，由于CaF2-YF3能有效降低AlN颗粒表面的氧含量，从而有利于获得高的热导率。     

Phase Transition VO2 Thin Films for Optical Switches

This paper presents a method to make vanadium dioxide (VO₂) crystallites on silicon substrates by reactive ion beam sputtering. The thickness of the thin film is about 100nm. The phase transition temperature of VO₂ is 65°C. The transmittance of the semiconducting phase VO₂ is about 50% and it is reduced to as low as 3% in metal phase at the infrared wavelenghth spectrum. The extinction ratio of the optical switches is 12dB. and the insertion loss is of 1-2dB. The switching time is about 1ms.