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111.
基于AFM的微结构加工实验研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文建立了微动工作台和原子力显微镜相结合的微加工系统,在该系统上采用金刚石针尖进行微加工实验,与SPI系统本身的刻划软件刻划出的图形进行了比较分析,得出这个系统适合微结构的加工;并给出了采用该方法加工的1111面及多边形面微结构;还分析了金刚石针尖几何角度及SPM和工作台的相关参数对加工的影响。  相似文献   
112.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。  相似文献   
113.
V波段小型化低相噪频率综合器   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文研究了一种V波段超小型低相噪频率综合器,研制了L段捷变频频综、Ku波段取样锁相源、上变频组件、倍频器等四个小型化组件.为了得到较低的相位噪声和捷变频速度,本捷变频频综采用上变频-倍频方案,其中DRO PLS保证低相位噪声性能,L波段捷变频频综保证捷变频功能.该频综尺寸为100×80×30mm3,相位噪声低于-86dBc/Hz(1kHz),捷变频时间小于40μs,杂波抑制优于-60dBc.  相似文献   
114.
A three-dimensional model was developed to investigate the influence of various hot filaments parameters on substrate temperature fields that significantly affect the nucleation and growth of diamond films over large area by hot-filament chemical vapordeposition (HFCVD). Numerical simulated results indicated that substrate temperature varies as a function of hot filamentsnumber, radius, temperature, emissivity, the distance between filaments, and the distance between substrate and filamentsarrangement plane. When these filaments parameters were maintained at the optimal values, the homogeneous substrate temperature region of 76 mm×76 mm with the temperature fluctuation no more than 5% could be obtained by a 80 mm×80 mmhot filaments arrangement plane. Furthermore, the homogeneous region could be enlarged to 100 mm×100 mm under thecondition of supplementary hot filaments with appropriate parameters. All of these calculations provided the basis for speciallyoptimizing the hot filaments parameters to dep  相似文献   
115.
笔者介绍了两种低纹波的DSP电源解决方案:一为采用MAX1793和大电流EMI静噪滤波器NFM41P;二为改进的去耦p型滤波电路和大电流EMI静噪滤波器NFM41P。并对方案的特点及其实现进行了详细的解析。试验结果表明:所述方案的纹波小,仅100 mV左右;成本低,仅几十元;适用范围广,通过改变MAX1793芯片的输出电压,可将本方案移植到TI的C5000,C6000系列,且还可用于其他的脱机工作系统。  相似文献   
116.
报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器,用于双波长稳频CO2激光器的控制得到令人满意的结果。  相似文献   
117.
考察其标称系统的相对阶大于{1,1,…,1}同时含匹配和非匹配不确定性的MIMO 非线性系统的动态输出反馈镇定问题.文中直接用Lyaunov方法构造一类输出反馈动态补 偿器,该补偿器可以实现对所论非线性不确定系统的动态输出反馈渐近镇定.  相似文献   
118.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。  相似文献   
119.
多用途中子发生器有着广阔的市场和应用领域 ,文章对移动式宽频带高产额中子发生器 ,在设计制造过程中所涉及到的技术难点 :绝缘尺寸小、频率适应范围宽、为中子管提供靶压的高压负载特性好等作了技术分析 ,使多用途中子发生器在更广阔的范围内应用 ,提供了广阔前景。  相似文献   
120.
实验研究了以工业硫酸亚铁及废硫酸为原料,分别采用NaClo_3、KClO_3、H_2O_2及(o_2+NaNO_2)为氧化剂成聚硫酸铁的条件。在以(O_2+NaNO_2)为氧化剂的合成过程中,发现添加微量助催化剂(型号为HG-1、HG-2和HG-3),对提高合成速度及反应过程的稳定性具有重大作用。  相似文献   
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