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Unreliable mobility values, and particularly greatly overestimated values and severely distorted temperature dependences, have recently hampered the development of the organic transistor field. Given that organic field‐effect transistors (OFETs) have been routinely used to evaluate mobility, precise parameter extraction using the electrical properties of OFETs is thus of primary importance. This review examines the origins of the various mobilities that must be determined for OFET applications, the relevant extraction methods, and the data selection limitations, which help in avoiding conceptual errors during mobility extraction. For increased precision, the review also discusses device fabrication considerations, calibration of both the specific gate‐dielectric capacitance and the threshold voltage, the contact effects, and the bias and temperature dependences, which must actually be handled with great care but have mostly been overlooked to date. This review serves as a systematic overview of the OFET mobility extraction process to ensure high precision and will also aid in improving future research.  相似文献   
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Strength of Materials - The paper presents a procedure for determining the design parameters of multilayer thick-walled structures with a local load on the inner surface portion located near the...  相似文献   
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Wei  Mengnan  Ban  Boyuan  Li  Jingwei  Sun  Jifei  Li  Feifei  Jiang  Xuesong  Chen  Jian 《SILICON》2020,12(2):327-338
Silicon - A novel green cationic surfactant Poly (propylene glycol) bis (2-aminopropyl ether) (PEA) with multiple amine groups was utilized as a collector for flotation separation of quartz from...  相似文献   
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