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Fehse R. Sweeney S.J. Adams A.R. O'Reilly E.P. Egorov A.Y. Riechert H. Illek S. 《Electronics letters》2001,37(2):92-93
The threshold current of 1.3 μm GaInNAs lasers increases by ~30%, up to a pressure of 1 GPa compared with a decrease of ~15% for Auger-dominated InGaAsP devices, indicating that direct band-to-band Anger recombination is not important in these materials. The lasing energy varies sub-linearly with pressure, indicative of the increasing interaction of the N-level with the conduction band 相似文献
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A method for amending StirMark random geometric attacked watermarked images is introduced. The proposed scheme uses a reference image to identify the attacked pixels, then exchanges them for pixels from the original unwatermarked image. It is shown that the watermark can be successfully detected after the attacked image is corrected 相似文献
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