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991.
Optimization and experimentation of nanoimprint lithography based on FIB fabricated stamp 总被引:2,自引:0,他引:2
The maskless and resistless focused ion beam (FIB) fabrication approach to make imprint stamp is straightforward and rapid compared to the traditional electron beam method. FIB etched stamp consisting of grooves was employed to nanoimprint polymer mr-I 9020. Taguchi orthogonal experiment with four parameter elements, one at three levels was used to optimize the experiment parameters by the analysis of means and variances. The most significant factor influencing the height of replicated lines is imprint temperature and the optimal combination of the process parameters are the imprint temperature at 160 °C, imprint force at 1200 N, loading force velocity at 0.2 mm/min, and imprint time at 300 s. 相似文献
992.
实用无线网状网的设计、构建与测试 总被引:2,自引:3,他引:2
无线网状网是一种能够广泛应用于多种场合的无线网络结构。论文首先介绍丁无线网状网的特性,描述了在实际应用环境中,对无线网状网节点的设计和构建需求,并以此为依托给出了设计办案然后介绍了SJTU—MESH试验床的部署与碰用情况,以及在试验床上进行的对无线网状网系统的定量测试及其结果,最后给出了结论和对未来工作的展望。 相似文献
993.
本文介绍了合康亿盛公司第三代高压变频器应用的微机保护的原理及其实现过程,分析了在高压变频器上应用微机保护的必要性,这是首次将微机保护应用在高压变频器。可供读者参考。 相似文献
994.
995.
一种新型的无线光通信调制方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对脉冲位置调制(PPM)和数字脉冲间隔调制(DPIM)等方法存在的问题,提出了一种新的双宽脉冲位置调制(DD-PPM)方式.在给出其符号结构的基础上,分析了带宽需求、传输容量和平均功率,推导出弱湍流信道下的误包率模型,并将其与开关键控调制(OOK),PPM和DPIM等典型调制方式进行了比较.理论分析和仿真结果表明,DD-PPM不仅比OOK具有更高的功率利用率和更好的差错性能,比PPM具有更高的带宽效率和传输容量,比DPIM具有相近甚至略好的差错性能,而且因符号长度固定,解调时不存在等待或缓存器溢出等问题,较DPIM更易工程实现.因而作为一种折中的调制方式,DD-PPM在无线光通信中有一定的应用场合. 相似文献
996.
一种新型的在线计费系统的研究和设计 总被引:3,自引:0,他引:3
孙锋 《电信工程技术与标准化》2008,21(9):52-56
本文提出了预付费和后付费有机融合的新型在线计费系统,主要介绍了系统的总体框架结构和系统流程和在线计费系统的特点。 相似文献
997.
998.
一种无线传感器网络拥塞控制机制 总被引:2,自引:1,他引:2
无线传感器网络的拥塞会增加网络延迟、降低网络吞吐量、尤其不利于传感器网络的节能。该文提出了一种能量有效的无线传感器网络拥塞控制机制,主要包括逐跳拥塞反馈和速率调节两部分。节点周期性地计算其上游节点发送速率和本地缓冲队列可用空间,并根据一定策略来推测在当前周期内发生拥塞的可能性;拥塞节点的上游节点收到拥塞反馈后根据自身缓冲队列的使用情况来降低速率,此拥塞节点同时向其下游节点申请提高发送速率;基站根据应用要求以闭环方式调节源速率。仿真实验表明,该文的拥塞控制机制不仅能有效地缓解网络拥塞,还保持了网络吞吐量的稳定并具有良好的能源有效性。 相似文献
999.
InP中的深能级杂质与缺陷 总被引:2,自引:0,他引:2
综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等几种研究深中心的方法在研究InP时的某些特点;综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关;分析了对掺铁和非掺退火两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响;评述了对InP中的一些深中心所取得的研究成果和半绝缘InP的形成机理。 相似文献
1000.