Eu(DMBM)_2(2,2′-bipy)NO_3的合成与荧光光谱

本工作首次合成了Eu(DMBM)_2(2,2′-bipy)NO_3(DMBM=二对甲氧基苯甲酰甲烷,2,2′-bipy-2,2′-联吡啶)。通过元素分析、热谱、电导率、红外和拉曼光谱、质子核磁共振谱对所合成化合物进行了表征。在77K测定了固体配合物的激发光谱和发光光谱。光谱数据说明配合物含有两种Eu(Ⅲ)格位。配合物中三种配体在Eu(Ⅲ)周围的分布情况略有不同,显示出不同的晶体场效应。光谱数据表明,配合物中Eu(Ⅲ)格位属于非中心对称的点群C_1或C_3或C_2。     

水溶液辐射分解产物对金属材料腐蚀的影响

实验研究了水辐射分解作用对高放废物深地质处置容器材料的影响。在高放废物深地质处置库附近的地下水,受辐射线作用后分解出氧、氢和氧化产物(例如H_2O_2等),于是在高放废物容器周围形成一个氧化场,导致高放废物中的某些重要放射性核素(例如U,Np和Tc)易溶于水,并向远域迁移。本实验中的含FeSO_4(0.13 mol/L)水溶液在吸收剂量为0、20、60、180、500kGy的射线作用下,其氧化还原电位(Eh)值由+357mV增至+414 mV;在不同吸收剂量的射线作用下,金属Cu、金属Al、0.357 mv金属Fe和不锈钢(后者是我国拟采用的高放废物包装容器材料),在水溶液中的氧化侵蚀强度,分别比在无辐射情况下的大0.2-6.1倍。     

褶积与逆褶积技术在核物理测量中的应用

讨论了褶积与逆褶积技术在核物理测量,主要是波形和能谱测量中的应用。还介绍了褶积与逆褶积的数值计算方法,给出了计算公式。     

硝酸溶液中钼和锆溶解度的测定

一、前言在核裂变过程中,钼和锆是高产额的裂变产物元素,所以在乏燃料中钼和锆的含量较高。核燃料水法后处理工艺的常用介质是硝酸,因此测定硝酸溶液中钼和锆的溶解度是有意义的。对于裂变产物的过程化学的研究工作,溶解度数据也是必要的。关于硝酸溶液中钼和锆的溶解度,前人研究得很少,数据也不全。为此,我们测定了不同浓度的硝酸中不同温度下钼和锆溶解度;还观测了硝酸根和铀浓度对钼和锆的溶解度的影响;获取的数据较全面。     

含氚废水水泥固化实验研究

研究用水泥固化处理氚废水,并选择了最佳配方:水与灰的重量比=0.45～0.5,水泥与石膏重量比=5∶1。用IAEA推荐的方法做浸出实验。为了减少水泥固化体中氚的浸出量,实验了几种涂层材料。沥青涂层可将固化体氚的浸出率降低1～2个量级。     

原子高离化态研究装置

介绍了原子高离化态研究装置,包括重离子加速器、测量装置、数据获取和处理系统。     

Many-body effects and electron tunneling in metal-insulator-p-type semiconductor structures

Investigation of the tunneling conductivity σ _d(V) of structures made on a highly doped, narrow-gap p-type semiconductor HgCdTe reveals an abrupt increase in this quantity at voltages corresponding to the start of tunneling into the conduction band. It is shown that the observed functions σ _d(V) cannot be described in the framework of a model based on single-particle tunneling. It is proposed that the abrupt increase in σ _d(V) is attributable to tunneling into exciton states. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 32, 1069–1072 (September 1998)     

用边界元法提取VLSI版图电阻

介绍了ＶＬＳＩ版图验证中电阻提取的基本原理和主要方法，给出了一种新颖的基于边界元法的电阻提取算法。该算法采用变节点单元，较好地解决了实际问题中经常出现的角点问题。通过应用该算法对几个实例进行提取，证明使用本文的算法不仅在精度上而且在占用ＣＰＵ时间上都取得了令人满意的效果     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。     

全耗尽CMOS／SOI技术的研究进展

ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低，抗干扰能力强，集成度高，速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件，分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄膜全耗尽ＳＯＩ技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。