两种超声清洗槽的声场分布比较

本文作者设计了一种斜底式超声清洗槽，并通过实验研究了它的声场分布，与平底式超声清洗槽相比，这种新型清洗槽深度方向的声场均匀性得么了改善，但水平方向的声场均匀性变化不大。     

垂直磁记录介质薄膜研制的新途径(英文)

本文阐述了铝氧化电沉积法获得磁记录材料的基本原理,研究了铝交流氧化膜中沉积磁性金属及其合金制备垂直磁记录薄膜的新途径,建立了铝交流氧化电沉积法,探讨了氧化膜的结构和磁特性的关系。     

HNO3和有机介质中U（Ⅳ）的稳定性研究

研究了ＨＮＯ＿３和ＴＢＰ－煤油介质中Ｕ（Ⅳ）的稳定性。测定了两种介质中Ｕ（Ⅳ）、ＨＮＯ＿３、ＴＢＰ浓度和气相中氧浓度对Ｕ（Ⅳ）氧化速率的影响。Ｕ（Ⅳ）的氧化速率都随温度提高而明显增加．其表观活化能分别为９１ｋＪ／ｍｏｌ（ＨＮＯ＿３介质）和４２ｋＪ／ｍｏｌ（ＴＢＰ－煤油介质）。对两种介质中Ｕ（Ⅳ）的氧化速率规律进行了比较。     

同轴双分流齿箱振动原因分析及维修

本文以我公司氧化铝厂 5 #原料磨齿箱的维修实践为例 ,介绍了大型同轴双分流齿箱易发生故障及维修方案     

Formation and growth mechanism of TiC crystal in TiC_p/Ti composites

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＰａｒｔｉｃｌｅｓｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄｔｉｔａｎｉｕｍａｌｌｏｙｍａｔｒｉｘｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ(ＴＭＣｐ)ｈａｖｅｗｉｄｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｆｉｅｌｄｓｆｏｒｔｈｅｉｒａｔｔｒａｃｔｉｖｅｈｉｇｈｓｐｅｃｉｆｉｃｓｔｒｅｎｇ     

给水管网计算中的数据转换方法

在给水管网计算中,通过建立环-管段矩阵、环-节点矩阵以及输入节点流量、节点坐标等少量数据,通过计算和数据转换,便可求得经济管径、管段设计流量、节点水压值、水厂供水量、管网造价、年费用折算值等。采用该方法进行管网计算,可以减少40%～70%的计算时间。     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

一种多晶硅高温压力传感器

制作压力传感器时，在二氧化硅层上淀积多晶硅膜，既可利用优良的机械特性，又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性，由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明，这类传感器具有灵敏度好，精度高等特点，电路工作范围为０－２５０℃，且具有良好的温度稳定性。     

参数化图形库技术

本文论述了参数化图形库的实现原理，建立了以尺寸叠加算法为基础的参数化图形库开发工具，利用这种开发工具建立的图形数据可以由数据库管理，方便有效。