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911.
白马庙气田蓬莱镇气藏储层致密 ,孔隙结构复杂 ,非均质性强 ,单井产能低 ,研究储层特征和受控因素 ,加强储层改造方是气藏效益开发的出路。储层精细研究揭示 ,气井产能受沉积相和构造条件控制 ;高、中产井与大而厚、物性好的河口坝、河道砂坝沉积微相有关 ,纵向上具很强的层段性 ,主产层集中在Ⅳ~③、Ⅲ~③两套砂组 ,其钻探成功率分别达 82 %和 10 0 % ;平面上多分布于主体构造和东南鼻状突起 ,二者高、中产能井分别占 30 %和 70 %。在深入的地质研究和储层压裂评层选井的基础上 ,采用多层打开、分层压裂、多层合采的方法可提高气井产能 ,并形成了一套行之有效的压裂评层选井的综合配套技术。采用该技术优选出 19口井 ,已实施 5口井全获成功 ,气产量成倍或十几倍增加 ,其中白浅 4 5井气无阻流量高达 18× 10 4m3 /d ,白浅 38井投产 16 5d净增产值 10 0余万元  相似文献   
912.
氧气合理利用决策支持系统和空分装置操作仿真系统   总被引:4,自引:0,他引:4  
童莉葛  王立  张延平  李化治  高远 《钢铁》2003,38(3):53-56
分析了钢铁企业空分系统能源管理的特点 ,并开发出降低空分能耗的应用软件 :氧气合理利用决策支持系统和空分装置操作仿真系统。前者可为决策者提供全面的辅助决策信息和决策支持以降低氧气放散 ,实现氧气的合理利用 ;后者既可实现空分装置运行操作的仿真 ,也可实现空分装置的仿真实验和仿真操作 ,为实施空分装置的节能优化运行提供技术支持  相似文献   
913.
IR2520是自适应镇流器控制器与600V半桥驱动器单片IC ,可用来驱动半桥配置中的荧光灯。文中介绍了IR2520的主要特点和基本原理 ,给出了它的典型应用电路。  相似文献   
914.
王家正  杨军 《电子工程师》2004,30(11):10-12,21
随着系统芯片(SoC)集成更多的功能并采用更先进的工艺,它所面临的高性能与低功耗的矛盾越来越突出.动态电压调整(DVS)技术可以在不影响处理器性能的前提下,通过性能预测软件根据处理器的繁忙程度调整处理器的工作电压和工作频率,达到降低芯片功耗的目的.文中讨论了DVS技术降低功耗的可能性,介绍了如何利用两种不同的DVS技术让处理器根据当前的工作负荷运行在不同的性能水平上,以节省不必要的功耗.  相似文献   
915.
双积分A/D转换器的量程自动转换   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种双积分式A/D转换器在宽范围量程测量中的自动量程转换技术.在测量仪表的输入通道中,用计数器对双积分型A/D转换器本身所固有的过量程/欠量程信号计数,计数器的输出作为量程编码去控制量程的选择,同时又是送到CPU的量程指示信号.该技术扩大了A/D转换量程,提高了精度,设计简单,工作可靠.  相似文献   
916.
光纤荧光传感器衰减寿命的加权对数拟合法   总被引:2,自引:0,他引:2  
荧光寿命的检测是荧光光学传感器的核心内容,国际上尝试了多种方法来拟合这种理论上为单指数衰减信号的荧光衰减曲线。这些方法包括非线性函数标准拟合方法。即Levenburg-Marquardt方法,以及Prony方法、FFT方法,对数拟合法等等。为了克服在实际应用中发生的信号退化,需要在测量信号衰减寿命的同时测量信号的初始强度。文章介绍了一种加权的对数拟合法,经计算机仿真及实际数据测试均可以得到和Levenburg-Marquardt方法非常接近的结果,且拟合时间大大缩短,测量稳定性大大提高。仿真测试及具体实验测试结果显示了这种方法的有效性。该方法不仅与Levenburg-Marquardt方法的偏差曲线非常相似,而且实验测得的荧光寿命与Levenburg-Marquardt方法偏差在0.2%以内。  相似文献   
917.
透反液晶显示器   总被引:10,自引:5,他引:5  
兼有透射型和反射型液晶显示优点的透反液晶显示可工作于透射和反射两种显示模式,它将广泛应用于手机、PDA等通讯领域。透反液晶显示可分为单盒厚和双盒厚两大类。又可分为扭曲型和非扭曲型两种。为了研制出高性能透反液晶显示器,需解决透反两个显示区的响应时间、光效率、色饱和度的差异以及视角等问题。文中介绍了Sharp公司开发的2种基本的透反液晶显示。以及3种新近开发的高性能透反液晶显示。随着应用市场的扩大和技术的进步,透反液晶显示将会进一步得到发展。  相似文献   
918.
多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
制备AI/多孔硅/c-Si/Al结构的多孔硅发光二极管,利用其I-V特性关系,以及在不同温度下其I-V特性的变化,结合多孔硅的特殊微结构及性质,分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程;通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化,解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合.是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。  相似文献   
919.
A 320×240 CMOS image sensor is demonstrated,which is implemented by a standard 0.6 μm 2P2M CMOS process.For reducing the chip area,each 2×2-pixel block shares a sample/hold circuit,analog-to-digital converter and 1-b memory.The 2×2 pixel pitch has an area of 40 μm×40 μm and the fill factor is about 16%.While operating at a low frame rate,the sensor dissipates a very low power by power-management circuit making pixel-level comparators in an idle state.A digital correlated double sampling,which eliminates fixed pattern noise,improves SNR of the sensor, and multiple sampling operations make the sensor have a wide dynamic range.  相似文献   
920.
本文针对多码CDMA系统提出了一种联合并行干扰抵消与迭代信道估计方法。该方法首先通过导频符号对信道进行估计,然后使用RAKE接收机后的软信息对信道参数进行修正,最后通过并行干扰抵消(PIC)去除多码干扰(MCI)。仿真结果表明,经过多次迭代后,该方法可显著地降低多码CDMA系统的误比特率平台。本文同时还给出了信道估计质量、码道数和PIC次数对多码CDMA系统性能的影响。  相似文献   
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