首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   23300篇
  免费   2694篇
  国内免费   1875篇
电工技术   2083篇
综合类   2571篇
化学工业   2622篇
金属工艺   1614篇
机械仪表   1728篇
建筑科学   1722篇
矿业工程   1152篇
能源动力   529篇
轻工业   2577篇
水利工程   853篇
石油天然气   972篇
武器工业   482篇
无线电   2370篇
一般工业技术   1888篇
冶金工业   973篇
原子能技术   387篇
自动化技术   3346篇
  2024年   128篇
  2023年   386篇
  2022年   1012篇
  2021年   1242篇
  2020年   955篇
  2019年   623篇
  2018年   633篇
  2017年   661篇
  2016年   578篇
  2015年   1023篇
  2014年   1289篇
  2013年   1563篇
  2012年   2014篇
  2011年   2071篇
  2010年   1956篇
  2009年   1868篇
  2008年   2011篇
  2007年   1809篇
  2006年   1547篇
  2005年   1322篇
  2004年   957篇
  2003年   567篇
  2002年   513篇
  2001年   479篇
  2000年   333篇
  1999年   137篇
  1998年   45篇
  1997年   17篇
  1996年   19篇
  1995年   18篇
  1994年   11篇
  1993年   6篇
  1992年   9篇
  1991年   6篇
  1990年   5篇
  1989年   2篇
  1988年   3篇
  1987年   3篇
  1986年   4篇
  1985年   5篇
  1983年   3篇
  1982年   2篇
  1981年   5篇
  1980年   11篇
  1979年   3篇
  1973年   1篇
  1959年   7篇
  1951年   7篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 750 毫秒
991.
有关Poisson流形上组合算符的讨论   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文在Poisson流形(p,π)的1-形式空间(?)1(p)上定义了组合算符η,给出了由1-形式诱导的向量场是辛向量场的充要条件,同时还得到了有关组合算符η和Poisson张量的一些恒等式。  相似文献   
992.
用于大截面传像光纤束的折衍混合光学系统设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
在大截面传像束前置光学物镜设计中,采用“负-正”型式的像方远心光路结构,很好地解决了镜头轴外像差校正和像面照度均匀性问题,同时使镜头结构紧凑、小型化。给出了前置物镜设计实例:工作波长0.8~1.1μm,焦距5mm,相对孔径为1:3.84,光学长度为47mm,视场角为60°。在光学耦接镜设计中采用物方远心光路结构,引入二元光学透镜,通过理论计算和ZEMAX光学软件优化,给出工作波长0.8~1.1μm,焦距33.6mm,光学长度为63.5mm,采用一个衍射面的耦接镜设计实例。该设计结果适用于单丝直径16μm,截面直径6mm的光纤传像束。  相似文献   
993.
基于邻域阈值分类的小波域图像去噪算法   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用图像小波系数的空间相关性可以有效地去除图像中的噪声。将一维信号的小波邻域阈值扩展并应用于二维图像,子带内的每个小波系数根据其邻域阈值的大小被划分为“大”系数或者是“小”系数;对“小”系数直接置零,对“大”系数则采用一种具有局部空间强相关性的零均值高斯模型,通过最小均方误差准则得到其估计。仿真实验结果表明该算法简单有效,在去噪性能上优于传统的子带自适应阈值去噪方法,可与两种优秀的空间自适应去噪算法相媲美。  相似文献   
994.
苯并三氮唑缓蚀剂在铜表面覆盖行为的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
应用交流阻抗方法研究了高浓度氯离子条件下的铜表 面苯并三氮唑(BTA)覆盖层随溶液中BTA浓度的变化规律.BTA浓度在0 mol/L~4.20×10-3 mol/L之间时,BTA覆盖层不能完全覆盖铜表面,覆盖度随CaCl2溶液中BTA含量的增加而增加;BTA浓度大于4.20×10-3 mol/L即可在铜表面形成较为完整的覆盖层,其覆盖度在0.8~0.9之间.BTA浓度小于9.42×10-3mol/L时,BTA覆盖层的厚度随浓度的提高也会有所增加;大于9.42×10-3mol/L后,BTA在铜表面的覆盖度和覆盖层厚度都达到稳定值.   相似文献   
995.
突变理论在单桩竖向承载力确定中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
灌注桩竖向承载力确定的方法较多,但因延性破坏和脆性破坏难以区分,没有一个理想的公式。针对此问题,拟定了灌注桩受竖向荷载时的荷载与位移的关系曲线,并将其运用于突变理论,导出了单桩竖向承载力的计算公式,给出了延性破坏与脆性破坏的界定标准。  相似文献   
996.
侯杰  杨君友  朱文  郜鲜辉 《功能材料》2006,37(7):1054-1056
采用电化学原子层外延法(ECALE)在Au电极上成功地制备了Bi2Te3化合物热电薄膜.通过循环伏安扫描研究Te和Bi在Au衬底上的电化学特性,使用自动沉积系统交替欠电位沉积Te、Bi原子层200个循环获得沉积物.XRD、EDX和FESEM测试结果表明循环沉积200层后得到的沉积物Bi和Te的化学计量比为2:3,且是Bi2Te3薄膜化合物,而非单质Bi和Te的简单混合;薄膜均匀、致密、平整且可重复性好,以(015)为最优取向外延生长的.  相似文献   
997.
纳米SiO2的表面改性及其在聚氨酯弹性体中的应用   总被引:13,自引:0,他引:13  
张颖  侯文生  魏丽乔  刘少兵  许并社 《功能材料》2006,37(8):1286-1288,1291
用十二烷基苯磺酸钠(SDBS) 对表面包覆Al(OH)3的纳米SiO2进行了改性处理.通过IR、自动电位粒度仪和FESEM等测试手段对表面处理前后纳米SiO2的表面结构、界面电性能和分散状况进行了分析表征.考查了处理前后纳米SiO2与聚氨酯弹性体(PUE)的相容性及其对PUE材料力学性能的影响.结果表明,经SDBS对表面包覆Al(OH)3的纳米SiO2粉体进行改性后,纳米SiO2粉体的团聚现象减少,分散性提高,单个纳米SiO2颗粒的平均粒径约为30nm;经表面处理后的纳米SiO2粉体与有机基体PUE的相容性增强,并对PUE材料的力学性能有了较大的改善,能同时达到增强增韧的效果.  相似文献   
998.
纳米炭黑水泥砂浆的导电性与电热特性研究   总被引:5,自引:1,他引:4  
王小英  孙明清  侯作富  龙曦  李卓球 《功能材料》2006,37(11):1841-1843,1847
研究了纳米炭黑水泥砂浆的导电性和电热特性.研究表明,当炭黑掺量<2.5%时,随着炭黑掺量的增加,电阻率下降明显;炭黑掺量为2.5%时,炭黑水泥砂浆电阻率可达到102Ω·cm;而炭黑掺量>2.5%时,电阻率下降趋缓.在炭黑掺量为5%左右电阻率基本不变,电阻率在30~40Ω·cm之间.与石墨粉相比,纳米炭黑做导电相只需较小掺量,就可制备满足电热功能应用的导电混凝土.当炭黑掺量>1%时,龄期对电阻率影响小,其电阻比较稳定.炭黑水泥砂浆板电功率稳定、电热功能重复性好.  相似文献   
999.
地铁吸声材料中的聚丙烯纤维   总被引:6,自引:0,他引:6  
以微孔吸声结构原理为主要设计依据,研究开发一种可用于地铁特定环境下的环保型吸声材料.以膨胀水泥、轻质陶粒、粉煤灰及造孔剂、防水剂等为主要原料,为提高材料的强度和吸声性能,掺加了聚丙烯纤维,采用混凝土成型法成型.通过实验分析了材料的厚度、容重、孔结构以及聚丙烯纤维的长度、掺量对材料吸声性能的影响.结果表明:掺入聚丙烯纤维能在增加材料机械强度的同时,显著提高其吸声性能,尤其是高频吸声性能.  相似文献   
1000.
高炉渣钾容量的试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
王成立  吕庆  马明鑫  刘曙光  侯大华 《钢铁》2006,41(12):15-18
为降低碱金属对高炉的危害,提高炉渣的排碱能力,采用气-渣平衡法测定了1 723 K时高炉渣的钾容量.依据广钢实际高炉渣成分,用纯化学试剂配制炉渣,用一定组成K(g)-CO-CO2-Ar混合气体提供一定的氧分压和钾分压.研究表明:试验条件下,w(MgO)和w(A12O3)一定时,钾容量随w(CaO)/w(SiO2)的增大而减小;在w(CaO)/w(SiO2)和w(A12O3)一定时,钾容量随w(MgO)的增大而增大;在w(CaO)/w(SiO2)和w(MgO)一定时,钾容量随w(A12O3)的增大而增大;当[w(CaO) w(MgO)]/w(SiO2)和w(A12O3)固定不变时,增加w(MgO),降低w(CaO),钾容量明显增大.广钢炉渣的合理成分为:w(CaO)/w(SiO2)保持在1.0,w(MgO)保持在12%~15%,w(A12O3)不超过15%.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号