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991.
由于传统交流异步电动机的起动方法有两次冲击电流,可对负载产生冲击转矩,采用晶闸管技术实现交流异步电动机软起动,介绍了该技术的工作原理.针对重载起动,传统软起动的局限性,提出采用交一交变频起动和晶闸管调压软起动相结合的方法,并通过试验测试该软起动方法能够解决重载起动时的电压波动影响,具有实际应用价值.  相似文献   
992.
正弦信号发生器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
以单片机和FPGA为控制和处理核心,基于直接数字频率合成原理,利用DDS集成器件AD9851实现100 Hz~19 MHz输出的正弦信号发生器.通过自动增益控制(AGC)和功率放大,在50Ω负载情况下.100 Hz~19 MHz范围内,系统输出正弦波电压峰-峰值(6+1)V.系统硬件设计采用EDA工具,软件采用模块化的编程思想.  相似文献   
993.
该系统由单片机89S52控制模块,程控宽带放大模块,整形模块,FPGA内频率、相位差测量模块等构成,采用等精度测频法测出频率和周期.可测量有效值为0.01~5 V,频率范围1 Hz~20 MHz信号的频率、周期信号,精度高达10-6.采用计数法测量相位差,该系统可测量有效值0.5~5 V,频率10 Hz~100 kHz信号的相位差,精度为1°.系统功能由按键控制,测量结果奕时显示,人机界面友好.  相似文献   
994.
传输线变压器相位补偿技术及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
传输线变压器是在短波和超短波频段使用广泛的重要器件,根据传输线变压器原理设计制造的器件具有结构紧凑、功率容量大、频带宽、损耗小等优点.该文研究了利用慢波线原理和相位补偿技术克服传输线变压器对于传输线电长度的限制,使其适用频率向s波段以上扩展的方法.文中给出了1:4阻抗变换器电路的传输损耗和高低端输入阻抗理论公式并对其进行了讨论.对所设计的S波段1:4阻抗变换器及功率合成器进行了仿真分析并设计制作了实物.仿真和实测结果表明,利用慢波线原理和相位补偿后的传输线变压器能够适用s波段及以上微波器件.  相似文献   
995.
在自由空间光通信系统中 ,由于中继距离的不确定性 ,相应的链路传输损耗也不同 ,因而各中继器有不同的增益。针对自由空间光通信的这一特点 ,介绍了一种解决方法 ,即采用具有自动增益控制 ( AGC)的光放大器作为中继器 ,并分析噪声累积对系统性能的影响。结果表明 ,采用掺铒光纤放大器可以得到好的系统性能  相似文献   
996.
当网络经营者为了某种目的修改网络配置时,必须预测配置改变所带来的潜在危险.给出了一种算法,该算法不需要对路由协议动态进行复杂的模拟,只需要静态的路由数据就可以计算出全网iBGP配置的路由选择结果,并在一个模拟的大型的ISP上验证了预测算法的正确性.  相似文献   
997.
基于半参数回归模型的微陀螺仪温度补偿技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
设计了一种基于半参数回归模型的微陀螺仪温度补偿方法.针对微陀螺仪启动时受温度变化影响明显、角速度输出误差较大的问题,提出对于温度的补偿不仅要考虑趋势项,而且要估计模型误差.建立了温度补偿的半参数回归模型,采用补偿最小二乘进行求解.实验结果表明,对于某型微陀螺仪采用温度补偿的半参数回归模型是可行且有效的,相对于常规的多项式拟合方法,补偿后的信号噪声降低了1个数量级,优于0.005 (°)/s,从而有效缩短了陀螺仪启动稳定时间.  相似文献   
998.
新型自适应Kalman滤波算法及其应用   总被引:5,自引:0,他引:5  
为防止滤波发散和提高系统的实时性,提出了一种新的自适应Kalman滤波算法.该算法利用滤波异常判据获得一个滤波状态因子,通过滤波状态因子确定量测噪声协方差阵的值,在线调整噪声的统计特性实现自适应滤波.将该算法应用到惯导/双星组合导航系统中,并和常规Kalman滤波和简化的Sage-Husa自适应滤波算法进行仿真比较.仿真结果表明,在滤波精度与简化Sage-Husa自适应滤波相当的情况下,新算法简化了运算,提高了实时性.  相似文献   
999.
以氨水与硝酸镍为原料,在乙醇–水介质中,采用均匀沉淀法,85℃恒温条件下,无需模板的存在和水热处理,制备出前驱体α-Ni(OH)2沉淀。该沉淀经400℃煅烧后得到NiO纳米片自组装空心微球。采用XRD和SEM对微球物相与形貌进行了表征。结果表明:该微球具有六方相结构,纳米片竖直排列在球状壳层的表面,其中纳米片大小约为2μm×2μm,厚度小于100nm。研究了乙醇对于纳米片自组装空心微球形貌形成的作用,对空心微球的自组装机理做了初步探讨。  相似文献   
1000.
Y~(3+)掺杂ZnO压敏陶瓷的微结构和电性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用两步烧结法制备了Y3+掺杂的(以Y(NO3)3·6H2O形式加入)ZnO压敏陶瓷,通过XRD、SEM和EDX系统研究了Y3+掺杂量对ZnO压敏陶瓷微结构和电性能的影响。结果表明:随着Y3+掺杂量的增加,电位梯度VT和非线性系数α提高,晶粒尺寸减小,施主浓度Nd和晶界态密度Ns降低,势垒宽度ω增大。当掺杂的x[Y(NO3)3·6H2O]为1.2%、烧结温度为1100℃时,ZnO压敏陶瓷电性能最好,其VT为675V/mm,α为63.9,漏电流IL为2.40μA。  相似文献   
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