首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   199700篇
  免费   2307篇
  国内免费   613篇
电工技术   3468篇
综合类   149篇
化学工业   28963篇
金属工艺   8049篇
机械仪表   6069篇
建筑科学   4814篇
矿业工程   1303篇
能源动力   5127篇
轻工业   17122篇
水利工程   2299篇
石油天然气   4040篇
武器工业   8篇
无线电   23070篇
一般工业技术   40013篇
冶金工业   37235篇
原子能技术   5086篇
自动化技术   15805篇
  2021年   1605篇
  2019年   1568篇
  2018年   2573篇
  2017年   2645篇
  2016年   2775篇
  2015年   1795篇
  2014年   3074篇
  2013年   8940篇
  2012年   5052篇
  2011年   7023篇
  2010年   5591篇
  2009年   6351篇
  2008年   6444篇
  2007年   6512篇
  2006年   5581篇
  2005年   5231篇
  2004年   5010篇
  2003年   4888篇
  2002年   4527篇
  2001年   4657篇
  2000年   4578篇
  1999年   4726篇
  1998年   11376篇
  1997年   8122篇
  1996年   6409篇
  1995年   4673篇
  1994年   4272篇
  1993年   4073篇
  1992年   3223篇
  1991年   3076篇
  1990年   2870篇
  1989年   2951篇
  1988年   2826篇
  1987年   2398篇
  1986年   2308篇
  1985年   2715篇
  1984年   2505篇
  1983年   2345篇
  1982年   2090篇
  1981年   2203篇
  1980年   2029篇
  1979年   2124篇
  1978年   2120篇
  1977年   2366篇
  1976年   3189篇
  1975年   1833篇
  1974年   1761篇
  1973年   1772篇
  1972年   1443篇
  1971年   1339篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 46 毫秒
41.
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs  相似文献   
42.
43.
44.
45.
46.
Phase transformations in particles of ultrafine powders of graphite, hexagonal boron nitride, and quartz during rapid heating and cooling by passage through a laser beam were investigated. A continuous infrared laser with a wavelength of 10.6 μm was used as a heat source through which the powders were recycled several times. Methods of concentrating the product phases are described. Particles of diamond, carbides, cubic boron nitride, koesite and stishovite were obtained in the mixed products.  相似文献   
47.
Summary The equilibrium water contents of linear poly(acrylic acid) sodium salts with different degrees of neutralisation were found to be dependent on temperature and relative humidity. An octahedral model for the primary hydration of poly(acrylic acid) sodium salts (HIRAOKA and YOKOYAMA 1980) was critically evaluated in the light of these findings and an anomaly in the water uptake versus neutralisation curve at approximately 33% neutralisation was explained by the counterion condensation theory. (MANNING 1979).  相似文献   
48.
49.
Lenin Dnepropetrovsk Pipe Plant. Translated from Metallurg, No. 8, p. 39, August, 1989.  相似文献   
50.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号