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991.
992.
为有效指导铀矿井下独头巷道的通风设计,基于质量守恒定律和置换通风理论,首先建立了描述爆破后压入式通风独头巷道内抛掷空间和风流末端氡活度浓度随通风时间变化的计算模型,利用该模型得到了达到氡活度浓度限值条件的最短排氡通风时间的确定方法;然后分析了不同参数对风流末端氡活度浓度以及最短排氡通风时间的影响。结果表明,爆破后,独头巷道风流末端氡活度浓度在一定通风时间内保持不变,之后瞬间增至峰值,最终逐渐衰减至稳定;在其他参数一定的情况下,风流末端氡活度浓度开始剧增的时间随巷道长度的增加而减小,随风量增加而增大;风流末端氡活度浓度衰减速率随风量的增加而增大;风流末端氡活度浓度峰值随掘进面铀品位的增加而增大;最短排氡通风时间随巷道长度和掘进面铀品位的增加而增大,随通风量的增加而减小。 相似文献
993.
介绍了国产酚醛层压板制成的阻性板室在宇宙线测试条件下的特性,效率达到95%左右,时间分辨的半高宽为2.25ns。 相似文献
994.
碳纤维复合材料薄壁圆筒为各向异性导热,其轴向导热系数是筒体温度场理论计算、成型工艺优化的重要参数。碳纤维复合材料圆筒由于较小的截面面积给筒体加热、热量有效传递带来了较大困难。本文以平板材料导热系数的稳态法测试国家标准为基础,基于傅里叶一维稳态导热原理,设计了一套用于薄壁圆筒轴向导热系数测试的装置,采用双试件对称加热、辐射换热防护及热对流环境控制等实现了热量沿筒体轴向的有效传导,利用该装置对导热系数已知的铝筒进行测试,验证了该装置设计的可行性,得到了碳纤维复合材料薄壁圆筒的轴向导热系数为(4.60±0.13) W/(m•K)。 相似文献
995.
采用干湿交替加热的方式对水泥进行了加速老化,以模拟高放废物水泥固化材料的缓慢自然老化过程。通过动态柱实验的方法,研究了水泥的老化过程对239 Pu迁移过程的影响。结果表明,随着老化时间的加长,水泥材料的比表面积和孔隙率减小,碱性减弱,吸附阻滞Pu迁移的能力降低。然而,老化的水泥材料仍然具有很强的阻滞Pu迁移的能力,如老化15d后,Pu通过水泥柱的回收率仍小于2.5%。 相似文献
996.
张瑶 李卫东 张学尧 毛泽普 马秋梅 马想 王亮亮 王纪科 邓子艳 尤郑昀 文硕频 边渐鸣 孙永昭 孙胜森 朱永生 刘怀民 刘春秀 伍灵慧 李海波 李刚 张长春 张令 张建勇 邹佳恒 邱进发 何康林 何苗 季晓斌 杨明 苑长征 冒亚军 俞国威 莫晓虎 袁野 曹国富 黄彬 谢宇广 臧石磊 《核电子学与探测技术》2007,27(4):665-669
介绍使用面向对象技术和C 语言开发的BESⅢ主漂移室径迹重建软件包MdcPatRec.它的主要任务是对主漂移室内带电径迹进行寻找,并精确地重建其动量和位置.本文将详细介绍重建软件包的设计和实现,并利用模拟数据给出重建软件的主要物理和系统性能. 相似文献
997.
冠脉支架的长度缩短率和狗骨头率分析 总被引:2,自引:0,他引:2
用有限元法确定了所设计的冠脉支架膨胀后的长度缩短率和狗骨头率,以检验结构是否合理.用有限元分析软件ANSYS模拟了支架单独自由膨胀过程,在不考虑球囊和血管壁的作用下研究了此支架从原始状态膨胀时的几何建模、网格划分、边界条件和载荷定义等技术.根据有限元模拟结果计算得到支架长度缩短率为10.9%,狗骨头率为2.57%.为了验证有限元分析的准确性,对实际加工出来的支架进行了膨胀实验.计算得到实际膨胀后两个参数与有限元模拟结果之误差分别为0.3%和1.32%,结果吻合较好,表明所设计的冠脉支架膨胀均匀、结构合理,同时也验证了用有限元法进行冠脉支架模拟分析是可行的. 相似文献
998.
为了进一步增大细胞跨膜电位峰值,提高脉冲电场电穿孔效率,基于相关文献中球形单细胞多层介电模型的细胞跨膜电位计算方法,分析了实际RC指数衰减脉冲上升沿时间对细胞跨膜电位的影响。通过Matlab软件对细胞跨膜电位的传递函数频率响应进行了仿真分析,结果表明:不同频段的电场对细胞跨膜电位的影响不同。建立了一种改进的RC指数衰减脉冲模型,并进行了仿真计算,结果表明:脉冲电场上升沿时间对细胞跨膜电位有很大影响:上升沿时间越小,频率响应就越高,减小上升沿时间可以提高细胞跨膜电位峰值。仿真结论对改进脉冲电场发生电路的结构和参数设计,以增大细胞跨膜电位峰值并提高电穿孔效率提供了理论依据。 相似文献
999.
采用第一性原理的贋势平面波方法,计算了无掺杂和Al掺杂Fe_2Si体系的电子结构和磁学特性,并分析了Al掺杂对Fe_2Si体系电磁特性的影响。计算结果表明,未掺杂和Al掺杂Fe_2Si体系为半金属铁磁体,自旋向上的能带结构穿过费米面表现为金属特性,未掺杂Fe_2Si体系自旋向下的能带表现为间接带隙半导体特性,带隙值为0.464 eV;Al掺杂Fe_2Si体系自旋向下的能带表现为Z间的直接带隙半导体特性,带隙值为0.541 eV。Al掺杂使各原子磁矩和Fe_2Si体系的总磁矩均减小,体系的带隙值增加,相应的半金属隙也增加,并且使得体系自旋向下部分由间接带隙变为直接带隙半导体。Fe_2Si体系的半金属性和磁性主要来源于Fe-3d电子之间的d-d交换,Si-3p电子与Fe-3d电子之间的p-d杂化。综上所述,掺杂是调控半金属铁磁体Fe_2Si电磁特性的有效手段。 相似文献
1000.