一种新型智能COD仪的研制

近年来，GSM移动通信技术日趋成熟，它提供了强大可靠的短信息（SMS）服务和数据传输服务。基于GSM数据传输平台的各种应用也不断被开发。本文介绍GSM在污水COD监测方面的应用，并着重介绍COD监测终端的开发与研制。     

GaN生长工艺流程实时监控系统

文章分析了在ECR－MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素，在此基础上，设计了一套由80C31单片机为核心的光电隔离电路和PC机组成的两级系统，用于GaN薄膜外延生长的工艺流程监控，并提出了一种合适的工艺流程监控策略。     

集群计算机上基于BSP模型的并行算法及其程序设计

文章分析了BSP模型和集群计算机的特点，给出了在集群计算机根据BSP模型设计并行算法及其软件的原则，举例说明了利用BSP模型代价公式定性分析并行算法性能的方法，并利用实验结果验证了得出的结论。结果表明模型的成功地抽象出了集群计算中影响算法性能的诸种因素，并通过代价公式反映出来，利用代价公式可以基本准确地估计并行算法代价，这对集群计算机上的并行算法及其软件及设计和优化具有重要的指导意义。     

一种基于神经网络的模糊推理方法

对于Zadeh的模糊关系合成法则（简称CRI方法），选择一个适宜蕴涵关系矩阵是至关重要的。通常蕴涵关系矩阵的元素值是通过一个所构造的数学表达式计算的，或是由领域专家凭经验直接给出。然而，有时，特别是对于后一种情形，CRI法不能满足模糊推理最基本的一致性要求。文章构造了一个神经网络用于模糊推理，新方法不仅是CRI方法的推广，而且远比CRI方法易于满足推理的一致性要求。得益于神经网络的长处，新方法具有灵活性、可调性。文章给出了权值的具取值法。     

多晶硅薄膜的两步激光晶化技术

采用两步激光晶化技术获得了多晶硅薄膜，分析计算了激光晶化时薄膜中的温度分布及表面温度与激光功率密度的关系，利用计算结果并优化了激光晶化时的工艺参数，采用该技术制备了性能优良的顶栅多晶硅薄膜晶体管，测量了薄膜晶体管的转移特性与输入输出特性，从多晶硅薄膜的制备工艺上分析了提高薄膜晶体管性能的原因。     

纳米β-Ni(OH)2与球型Ni(OH)2的热性能比较研究

用配位沉淀法合成出纳米级Ni（OH）2，并对其进行XRD，TEM，DSC分析，分析结果表明，所得纳米β-Ni（OH）2为可用作电极材料的β-Ni（OH）2，粒径为30－40nm，且热分解温度比普通球镍低10℃左右，摩尔分解热比普通球镍低4－7kJ，从理论上分析了产生此现象的原因。     

显示器电磁泄漏信息的接收和重现

计算机电磁泄漏信息的接收和重现对信息侦收和安全传输都具有重要意义。显示器上的信息是有用信息的最直接体现 ,而且很容易通过电磁辐射产生泄漏。通过无线接收显示器的电磁辐射信息并经过数据采集卡输入到计算机 ,实现了原始信息的还原处理。该系统适用面广 ,方便灵活 ,运行结果证明该方法是切实可行的。     

3.4nm超薄SiO2栅介质的特性

用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nm SiO₂栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm².栅介质厚度相同的情况下,P⁺栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N⁺栅样品.     

基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型

统一的1/f噪声模型,例如BSIM3模型,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用,在多数情况下有很好的效果.然而文献[1]中基于物理机理分析的研究表明,统一的1/f噪声模型对处于线性区p-MOSFET不能进行正确的描述:当偏置电压V_gs增加时,该模型低估了噪声功率的增加.据此,本文提出了一种基于物理机理的迁移率波动(MF)1/f噪声模型,并给出了新MF模型与统一的1/f噪声模型在线性区的仿真结果.从仿真结果可以看出,新噪声模型更接近于测试的结果.     

烟幕发生器评述

对烟幕发生器的种类进行了划分 ,分析了衡量其性能的指标参数 ,介绍了国外几种典型的烟幕发生器 ,并指出了今后的发展趋势