全文获取类型
收费全文 | 172458篇 |
免费 | 20931篇 |
国内免费 | 14438篇 |
专业分类
电工技术 | 16864篇 |
技术理论 | 4篇 |
综合类 | 18120篇 |
化学工业 | 21626篇 |
金属工艺 | 11749篇 |
机械仪表 | 12048篇 |
建筑科学 | 13161篇 |
矿业工程 | 6609篇 |
能源动力 | 4897篇 |
轻工业 | 19247篇 |
水利工程 | 6228篇 |
石油天然气 | 5564篇 |
武器工业 | 2628篇 |
无线电 | 18499篇 |
一般工业技术 | 15263篇 |
冶金工业 | 6345篇 |
原子能技术 | 2653篇 |
自动化技术 | 26322篇 |
出版年
2024年 | 1112篇 |
2023年 | 2907篇 |
2022年 | 6816篇 |
2021年 | 8551篇 |
2020年 | 6248篇 |
2019年 | 4466篇 |
2018年 | 4806篇 |
2017年 | 5497篇 |
2016年 | 5061篇 |
2015年 | 7621篇 |
2014年 | 9700篇 |
2013年 | 11094篇 |
2012年 | 14268篇 |
2011年 | 14677篇 |
2010年 | 13782篇 |
2009年 | 13401篇 |
2008年 | 13876篇 |
2007年 | 13556篇 |
2006年 | 11831篇 |
2005年 | 9503篇 |
2004年 | 7064篇 |
2003年 | 4971篇 |
2002年 | 4821篇 |
2001年 | 4306篇 |
2000年 | 3369篇 |
1999年 | 1420篇 |
1998年 | 565篇 |
1997年 | 403篇 |
1996年 | 377篇 |
1995年 | 306篇 |
1994年 | 210篇 |
1993年 | 187篇 |
1992年 | 176篇 |
1991年 | 122篇 |
1990年 | 139篇 |
1989年 | 133篇 |
1988年 | 93篇 |
1987年 | 61篇 |
1986年 | 62篇 |
1985年 | 26篇 |
1984年 | 27篇 |
1983年 | 23篇 |
1982年 | 22篇 |
1981年 | 17篇 |
1980年 | 41篇 |
1979年 | 34篇 |
1959年 | 30篇 |
1951年 | 49篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
本文概述了纳米科技的沿革,及其在国内外发展的情况,并就我国如何进一步发展纳米科技提出了自己的想法。 相似文献
72.
晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状 总被引:2,自引:0,他引:2
晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同,晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展,最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况,指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。 相似文献
73.
大规格圆钢质量分析和控制 总被引:1,自引:0,他引:1
针对湘钢棒材厂生产大规格圆钢出现的表面质量问题,重点介绍了在成品轧机后采用U形辊道和立活套替换棍道;冷床输入辊道采用镶WT合金套;增设高压水除鳞装置;中间轧件尺寸精度控制等措施,成功的解决了大规格圆钢表面擦伤、“麻面”、尺寸超差等表面质量问题,产品质量显著提高。 相似文献
74.
75.
通过对现代海上电子战特点深刻探讨。分析了现代海战条件对舰船电子战对抗能力需求。并对现代舰船电子战综合对抗系统所采用的新技术情况进行探讨。 相似文献
76.
Xing Gu Shariar Sabuktagin Ali Teke Daniel Johnstone Hadis Morkoç Bill Nemeth Jeff Nause 《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》2004,15(6):373-378
ZnO is a highly efficient photon emitter, and has optical and piezoelectric properties that are attractive for a variety of applications in sensors and potentially optoelectronic devices such as emitters. Due to its identical stacking order and close lattice match to GaN, it is also being developed as a substrate material for GaN epitaxy. However, the surface finish of the ZnO is such that much of the damage induced by sawing and follow up mechanical polishing remains. We developed a thermal treatment method to eliminate surface damage on the 0 face of ZnO (0 0 0 1) to prepare it for epitaxial growth. Atomic force microscopy images of ZnO (0 0 0 1) annealed at 1050 °C for 3 h etc. show that residual scratches from mechanical polishing are removed and atomically flat, terrace-like surfaces are attained. In addition, low-temperature photoluminescence and high-resolution X-ray diffraction measurements have been employed to investigate the effect of annealing on ZnO substrates. 相似文献
77.
78.
79.
80.