现场总线漫谈

从现场总线多标准的现状出发，阐述了控制对象多样性与技术多样性之间的必然联系，通过对目前现场总线与传统DCS应用现状的分析，对现场总线的发展和应用前景进行了展望。     

6种金属材料在典型工业大气中的腐蚀规律

选取具有代表性的碳钢、不锈钢、镀锌碳钢、铝、钛和铜挂片,在某企业不同部位投放后进行为期半年的大气腐蚀试验,得出了在半年期中的腐蚀规律。在此基础上,对每种金属材料的腐蚀特点进行总结,并对大气腐蚀的各种影响因素进行分析,提出了行之有效的防护措施。     

FF现场总线的网段负载能力的设计及计算

从生产安全运行的管理要求；电压压降和电流的限制及信号的衰减；网络运行时间的要求；系统设计的影响；备用能力的考虑等各个方面，结合上海赛科聚苯乙烯项目的具体设计，分析隔爆条件下FF现场总线的H1网段负载能力的设计，以供大家探讨。     

茂金属线型低密度聚乙烯的加工性能

采用齐聚-共聚复合催化剂合成出了相对分子质量分布指数大于4的原位共聚线型低密度茂金属聚乙烯(mLLDPE)。流变实验结果表明,mLLDPE具有切敏性和非温敏性。改性实验结果表明,向100质量份mLLDPE中加入5质量份氟母粒,或10质量份LDPE,或2质量份氟母粒和5质量份LDPE,可使mLLDPE的加工流动性能获得改善,聚合物的机械性能不会发生明显降低,可用常规加工设备加工。加工成型实验结果表明,使用65型管材挤出机和TDL-12L中空成型机,以氟母粒-LDPE复合改性mLLDPE为原料,可生产出内、外表面均光滑的32管材和10L中空容器,挤出过程稳定。     

营尔凹陷下白垩统油气勘探应避开高压水层

营尔凹陷下白垩统(K₁₎存在下沟组和赤金堡组2套源岩，目前它们已到成熟阶段。凹陷东侧长沙岭构造在下白垩统下沟组和赤金堡组储层中也发现油藏，但主要分布在高压水层的顶部及下部，而高压水层段存在良好的储层，并未发现油气。文章根据高压水层段的储层荧光特征，通过储层烃与源岩的对比，分析了下白垩统高压水层对油气运移的影响。研究结果表明：高压水层段，储层荧光弱，储层抽提物特征既不同于赤赤金堡组源岩，也不同于下构组源岩，为就近捕获的产物；高压水层未发生大规模的油气运移，其形成时间早于油气运移的时间。建议该区油气勘探目标的选择应避开高压水层，选择凹陷附近的圈闭、高压水层以下的层位。     

一种分析碳酸盐岩孔隙系统数字图像的新方法

碳酸盐岩的孔隙类型多，孔径变化范围大，孔隙系统结构复杂，研究难度大。长期以来，是利用光学显微镜法、毛细管压力分析法、岩石孔隙系统复制法和图像分析仪法等方法或其中几种方法配合来研究碳酸盐岩孔隙系统。随着计算机图像技术的迅速发展和日益完善，借助该项技术通过碳酸盐岩孔隙系统数字图像来研究碳酸盐岩孔隙系统已经成为现实。文章提出一种研究碳酸盐岩孔隙系统数字图像的新方法。通过样品光薄片的光学显微镜（OM）数字图像和环境扫描电子显微镜（ESEM）数字图像二值化识别孔隙；构造孔隙度、孔隙贡献率和孔隙形状参数的计算公式用于数字图像分析，得到孔隙大小分布和孔隙形状分布。在此基础上，总结碳酸盐岩孔隙参数对其渗透率的控制作用。与传统的孔隙系统研究方法相比，该方法与计算机图像技术紧密结合，具有定量、快速的明显优势。     

燃气管网动态仿真的研究及应用

研究和了解燃气在管道中的流动，是进行燃气管网系统优化和提高管网输运系统安全性的前提和基础。以流体力学三大守恒方程为基础，建立了等温和非等温条件下的燃气管网稳态和动态仿真理论模型。以有限差分法为基础，得到了上述模型的求解方法，并加入了耗散项，提高了求解方法的稳定性。通过增加初始点和延长出口点的方法，简化了模型的求解。通过在北京六环天然气管网中的初步应用，分别得到了与实际值综合相对误差为1.21％和2.62％的压力和流量仿真值，从而验证了模型及求解方法的可靠性。     

3G网络中的IPv6 DNS服务器配置

说明了3G网络中IPv6递归DNS服务器地址配置的三种方法：路由器通告（RA）方案，DHCPv6方案，递归域名系统（DNS）服务器的公认任播地址方案，详细地说明了三种解决方案的操作特点。本文为3G中选择合适的方法进行主机DNS配置提供了指导。     

一种基于无理数加密算法的数字签名方案

为了提高现代网络信息传输的安全性,利用无理数小数点后数字的无穷性、无规律性、分布均匀性,提出一种全新的加密算法,并用它所产生的密钥流进行数字签名,实现身份验证不可抵赖、信息传输无篡改,确保信息传输的完整性、真实性,达到提高加密效率、相互认证的效果。     

dU/dt引发的MOSFET误导通分析

分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。