持续改进谋发展技术创新增效益

介绍了焦化厂白建厂以来的工艺及其装备改造过程，对重点改造项目进行了评述，并对工艺及其装备的改进方向提出了建议。     

天津钢管公司连铸圆坯表面裂纹特征和预防措施

总结了检查天津钢管公司生产的Ф210～310mm连铸圆管坯表面裂纹的经验。叙述了浇铸温度高，保护渣润滑膜不均匀，铸坯拉速不稳定，二冷水不均匀，中间包水口不对中，合金钢铸坯冷却和再加热速度过快及钢中五害元素超标和结晶器铜管偏移等致使圆铸坯表面形成的11种裂纹的特征及其预防措施。     

金属粉末温压成形的数值模拟研究

本文借助MSC公司的Marc有限元分析软件对铁粉温压成形过程进行了数值模拟。通过采用基于总体拉格朗日方法的热 机耦合分析,得到了铁粉温压成形过程中材料的几何形变、应力场、密度分布等数据,为金属粉末温压工艺参数的优化设计提供了理论依据。     

机械合金化制备β-FeSi2热电材料的研究

采用MA(Mechanical Alloying)法进行β-FeSi2热电材料的合成研究.以Fe粉(Fe>98%),Si粉(Si>99.9%)为原料,将Fe、Si 元素粉末按原子分数Fe33Si67混合,并将混合料放入高能星型球磨机进行长时间球磨.经不同的工艺进行机械合金化并取样,借助XRD、DSC等手段进行分析.研究结果表明在机械合金化大约20h以上开始形成ε-FeSi相,至机械合金化大约40h有β-FeSi2形成,随时间的延长β-FeSi2相增多.     

P型CuAlO2半导体陶瓷的烧结研究

性能良好的陶瓷靶材是溅射法制备薄膜的先决条件.本文以纳米级Al2O3粉体和微米级Cu2O粉体为原料通过烧结的方法制备了P型透明导电氧化物陶瓷CuAlO2.以X射线衍射和SEM分析的方法研究了烧结温度对反应进行的影响,并在合适的温度区间里得到了具有较好P型半导体性能的陶瓷,其迁移率达到27 cm2·V-1·s-1.以它作为靶材通过真空溅射得到了迁移率为2.1 cm2·V-1·s-1的P型透明半导体薄膜.     

分布式控制系统在气相法白炭黑生产过程中的应用

本文介绍了SIEMENS公司的分布式控制系统SIMAT-IC DCS在白炭黑生产过程中的应用。阐述了系统的工艺流程、硬件配置、软件配置和控制系统完成的主要功能。     

电子线路鉴定系统的设计

本文提出一种新型的电子线路鉴定系统，老师在PC机上发考试题。通过网络把考试题传递到各个终端，应考者可以在终端进行考试，其结果自动返回老师的PC机屏幕上。     

Electrical Properties and Electroluminescence of 4H-SiC p-n Junction Diodes

Homoepitaxial growth of 4H-SiC on off-oriented Si-face(0001 ) substrates was performed by using the step-controlled epitaxy technique in a newly developed low-pressure hot-wall CVD (LP-HWCVD) system with a horizontal aircooled quartz tube at around 1500 ℃and 1.33 × 104 Pa by employing SiH4 C2H4 H2. In-situ doping during growth was carried out by adding NH3 gas into the precursor gases. It was shown that the maximum Hall mobility of the undoped 4H-SiC epilayers at room temperature is about 430 cm2 ·V -1 ·s -1 with a carrier concentration of ～ 1016 cm-3 and the highest carrier concentration of the N-doped 4H-SiC epilayer obtained at NH3 flow rate of 3 sccm is about 2.7 × 1021 cm-3 with a mobility of 0.75 cm2 ·V -1 ·S -1. SiC p-n junctions were obtained by epitaxially growing N-doped 4H-SiC epilayers on Aldoped 4H-SiC substrates. The C-V characteristics of the diodes were linear in the 1/C3-V coordinates indicating that the obtained p-n junctions were graded with a built-in voltage of 2.7 eV. The room temperature electroluminescence spectra of 4H-SiC p-n junctions are studied as a function of forward current. The D-A pair recombination due to nitrogen donors and the unintentional, deep boron center is dominant at low forward bias, while the D-A pair recombination due to nitrogen donors and aluminum acceptors are dominant at higher forward biases. The p-n junctions could operate at temperature of up to 400 ℃, which provides a potential for high-temperature applications.     

平面五杆机构连架杆转角空间分析

根据杆长之间的关系 ,把五杆机构分为三种类型 ,指出每种类型的两连架杆在转动过程各自所能转动的角度范围 ,给出求解平面五杆机构连架杆转角空间的数值算法。     

秋水仙碱的微分脉冲极谱行为及测定

本文用微分脉冲极谱法研究了秋水仙碱在不同介质和PH值等条件下的电化学行为.找到了以0.6%的四丁基氯化铵为支持电解质,在PH1.81的B.R.缓冲溶液中进行微分脉冲极谱法测定的最佳体系,检出限为6.0×10~(-7)mol/L,峰电流线性范围为9.6×10~(-7)~8.6×10~(-5)mol/L.初步探讨了电极反应机理.应用于秋水仙碱片剂和山慈菇等实际样品分析,可不经分离直接测定,方法简便迅速,测定结果与经典的方法基本一致.