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71.
设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的InGaAs雪崩光电二极管(APD)。器件直径为200μm,工作在21℃,1540nm波长时响应为0.64A/W,典型暗电流和噪声因子分别为30nA和6.5。介绍了该器件的工作原理,设计和制作工艺。  相似文献   
72.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(3):189-191
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。  相似文献   
73.
胡勇  闫洪  陈国香 《铸造技术》2007,28(5):653-656
采用自行研制的机械搅拌装置,研究了不同工艺参数对半固态Y112铝合金组织及性能的影响.研究表明,搅拌温度越高,搅拌速度越大,固相颗粒越细小、均匀和圆整,其抗拉强度与伸长率越高;但温度太高,固相颗粒会熔化,抗拉强度及伸长率也降低;随搅拌时间的延长,固相颗粒先变得细小、均匀和圆整,然后长大,抗拉强度、伸长率先升高后降低.  相似文献   
74.
LNG低温储罐的设计及建造技术   总被引:3,自引:1,他引:2  
LNG低温储罐是液化石油天然气储运过程中的重要设施,其建造技术复杂,施工要求严格,在我国工程实例较少.文章介绍了LNG低温储罐的技术特点、罐体结构以及设计过程中应遵循的规范,阐述了LNG低温储罐在基础、罐壁、罐顶、保温层施工中的技术要求和检验中应注意的事项,对LNG低温储罐的设计施工提出了建议.  相似文献   
75.
正交频分多址(OFDM:orthogonal frequency division multiplexing)技术由于其在多径环境下克服码间干扰的固有特点,在移动通信中已得到广泛地应用。利用阵列天线上行链路信号到达角估计实时信息,计算OFDM系统下行链路阵列天线权重,将阵列天线应用于下行链路中,最后给出系统误码率性能的计算机仿真结果。  相似文献   
76.
为加快徐加固子深层天然气的勘探开发步伐,缩短深层气井的建井周期,在升深2-17井进行了充气钻井试验。介绍了络合铝聚合物充气钻井液技术的现场应用概况及效果以及井漏的发生与处理过程、钻井液起泡的解决措施。在现场试验过程中,络合铝聚合物钻井液性能稳定,具有较强的抑制性和较好的流变性能,流性指数控制在0.7左右,具有良好的携屑和稳定井壁能力,而且粘度较低,基本上控制在33~52s之间,满足了现场充气和脱气的需要;该钻井液抗温可达180℃,润滑性能较好,在钻井过程中无粘卡显示,在深井欠平衡井眼稳定方面取得了较好的效果;在不同的气液比条件下,可以在0.83~1.08g/cm。之间实现对当量密度的调节;与常规钻井工艺相比,充气钻井可以使机械钻速提高30%~50%;在钻进过程中实现了充气和点火同时进行,达到了欠平衡钻井工艺技术的要求,为进一步开展气体钻井打下了良好的基础。  相似文献   
77.
上世纪70~80年代,友谊农场陆续购进了圆型、滚移大型喷灌机近百台,经近30a的运行,大部份喷灌机已经损坏、报废.然而由于近年的连续干旱,对这些灌机进行了更新改造,使23台大型灌机重新发挥了作用.  相似文献   
78.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀   总被引:2,自引:2,他引:0  
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。  相似文献   
79.
介绍一种新型的恒通量的微滤膜———ISOFLUX 膜 ,该种膜的膜通量衰减比通常的微滤膜要小得多 ,对ISOFLUX 膜的原理和数学模型进行了推导 ,并给出了对牛奶进行冷杀菌过滤的结果 .  相似文献   
80.
向伟  赵渭江  颜莎  戴晶怡  魏可惠 《核技术》2002,25(9):703-708
基于阴极爆炸发射电子和电子对气体的碰撞电离模型 ,用胞中粒子 (PIC)模拟方法对单间隙冷阴极气体放电过程中阴极爆炸发射产生的电子和电子碰撞电离产生质子的动力学特性进行了研究。分别给出了在 1.33× 10 - 2 Pa氢气压和 10kV间隙电压下 ,气体放电过程中电子和质子的空间和相空间分布、速度统计分布以及轴线上电荷密度分布 ,分析了阴极爆炸发射电子电离过程。模拟结果表明 ,间隙中电子的最大速度达 5 .8× 10 7m/s ,而只有少数的气体电离产生的质子最大速度达到 1.3× 10 6 m/s。  相似文献   
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