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31.
论四川盆地天然气勘探前景   总被引:17,自引:5,他引:12  
冉隆辉 《天然气工业》2006,26(12):42-44
中石油及其前身已在四川盆地从事天然气勘探开发工作50余年,截至2005年底累计探明天然气地质储量逾8400×108m3,累计生产天然气超过2300×108m3,年产量现已超过120×108m3,已成为国内目前最大的产气区。对于该盆地进一步勘探前景如何的命题,从以下4个方面给予了论证:一是资源丰富、勘探成果持久不衰,近期仍有大发现;二是要辩证地认识盆地油气地质的复杂性,探索新规律,解放新领域;三是寻求地质认识和勘探技术进步是勘探突破的关键;四是继续以盆地两大地质体系(海相古隆起体系及陆相前陆盆地体系)和8套裂缝-孔隙性储集层(中上寒武统白云岩、石炭系白云岩、上二叠统长兴组生物礁白云岩、下三叠统飞仙关组鲕状白云岩、下三叠统嘉陵江组粒屑白云岩、中三叠统雷口坡组藻粒白云岩、上三叠统须家河组长石岩屑石英砂岩和中上侏罗统红层砂岩)为对象获取更多的天然气资源量及优质储量。据此得出结论:四川盆地天然气勘探前景是广阔的,但勘探难度会逐步加大。  相似文献   
32.
介绍了日产不锈钢薄钢带裂纹的修复方法,通过焊接试验得到了防止裂纹出现的有效焊接工艺参数,其经验可为类似设备的维护使用提供参考。  相似文献   
33.
SOI光电子集成   总被引:2,自引:0,他引:2  
SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。  相似文献   
34.
为了进一步提高渤海油田J3井区缔合聚合物驱的技术经济效果,在渤海油田室内配方和先导性矿场试验研究基础上,利用化学驱油藏数值模拟软件FAPMS,分析和研究了高浓度缔合聚合物前置段塞、主段塞的大小和浓度以及段塞组合方式对驱油效果的影响,优化设计了渤海绥中油田J3井区块矿场试验的最佳注入程序及段塞大小。结果表明,通过对不同浓度的疏水缔合聚合物注入的前置段塞及主段塞和梯度式后续段塞的优化后,原油采收率比未优化时提高了约10个百分点。研究表明,渤海油田应该高度重视聚合物驱的注入方式和段塞优化设计,进一步提高聚合物的技术经济效果。  相似文献   
35.
空时分组码技术结合信道编码、调制和天线分集技术,当发送天线一定时,他的解码复杂度正比于发送速率,在3G标准中,该技术有着重要的地位。对空时分组码及相关知识进行了介绍,并对可变速率的空时分组码设计进行了探讨,最后展望了空时分组码技术的应用前景。  相似文献   
36.
超级电容在手机电源中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
超级电容又称法拉电容,是指其容量为法拉级的电容。文章介绍了应用超级电容作为手机电池的总体思路并重点介绍了其充电电路、升压电路和控制电路的设计。该电池具有充电快、寿命长、免维护并且环保等特点。  相似文献   
37.
基于TS101的PCI接口高速数据采集系统的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
卓智海  陶然 《信息技术》2004,28(4):14-16
给出了基于TS101和PCI的双通道数据采集处理系统的设计方案。首先介绍了ADI公司新型数字信号处理(DSP)微处理器TS101和FLYBY数据传输模式,阐述了系统结构和工作原理,最后对如何利用TS101的FLYBY接口提高数据采集、存取效率和数据系统的逻辑控制进行了详细的论述。  相似文献   
38.
从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能,以Pb(Ti,Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考,分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外,还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。  相似文献   
39.
实验室质量体系的建立与运行   总被引:2,自引:0,他引:2  
详细论述了质量和质量体系的基本概念、建立质量体系的必要性、质量体系的构成和建立过程、质量体系文件的编制、质量体系的运行和持续改进以及中国实验室国家认可委员会的有关政策。  相似文献   
40.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。  相似文献   
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