用0.35μm CMOS工艺实现存储接口单元中的数模混合DLL

论述了一种利用0.35mm、双阱、双层金属、双层多晶硅的CMOS工艺所实现的延迟锁定环(DLL)。该DLL用于RISC处理器中存储接口部件的时钟同步。本文介绍了其应用背景,给出了DLL的系统结构,接着分别介绍了鉴相器、电荷泵以及压控延迟线的电路结构,最后给出相关仿真结果。     

半导体制造车间设施规划浅析

在半导体制造业中,由于其设备的昂贵性、敏感性和制造过程的复杂性,工厂的布局一般不可以轻易更改。设计不周的不良布局将会导致庞大的物料搬运成本,无效的生产以及重新布局时所需要的大量成本。因此,工厂的设施规划已经成为半导体制造商们最关心的问题之一。本文依据设施规划的原则对半导体车间的最新布局方式作了系统的阐述。     

静态时序分析中的门延时计算

静态时序分析由于速度快和容量大而广泛应用于时序验证,而门延时的计算则是静态时序分析中的关键部分。以前利用等效输出驱动点导纳函数相等原理产生的模型,由于不能很好的与等效电容公式结合,门延时的计算存在过于悲观性或乐观性结果。本文采用输出驱动导纳和互连线拓扑结构相结合的方法, 对门延时负载模型进行了改进,很好地与等效电容计算结合,保证了静态时序分析的准确性。     

表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究

通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。     

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器．研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0．82mW／mA和2．59mA，激光器在23mA时输出16mW最大光功率．氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA，其最大饱和光功率为5．5mW．     

Performance Analysis of WDM Optical Networks with Wavelength Usage Constraint

Due to power considerations, it is possible that not all wavelengths available in a fiber can be used at a given time. In this paper, an analytical model is proposed to evaluate the blocking performance of wavelength-routed optical networks with and without wavelength conversion where the usable wavelengths in a fiber is limited to a certain maximum number, referred to as wavelength usage constraint. The effect of the wavelength usage constraint is studied on ring and mesh-torus networks. It is shown that the analytical model closely approximates the simulation results. We also evaluate the performance of the first-fit wavelength assignment algorithm and compare its performance with the random wavelength assignment algorithm through simulation. It is observed that increasing the total number of wavelengths in a fiber is an attractive alternative to wavelength conversion when the number of usable wavelengths in a fiber is maintained the same.     

Feasibility analysis of phonon lasers

We identify the main reason impeding coherent generation of phonons in solid state - the inherently high density of phonon states. Based on the results of our analysis we formulate a set of conditions that may make phonon lasing practical and point out the most promising mechanism of phonon lasing: LO/spl rarr/LA+TO in InP. We then develop a complete set of phonon laser equations and evaluate the threshold, output power and efficiency of phonon lasers based on InP MESFET. We show that one can obtain high-power 1.26-THz coherent phonon emission with pump power as small as a few milliwatts and up to 5% slope efficiency. Potential applications are also discussed.     

激光淬火+冲击复合强化处理QT800-2的实验研究

对经激光淬火强化处理后的球墨铸铁QT800-2的强化区域再进行激光冲击强化处理进行了研究。结果表明,复合强化处理后的球墨铸铁QT800-2与经激光淬火强化处理区域相比,各项机械性能都得到了较大提高,其中硬度提高了18％,耐磨性提高了100％,尤其是材料内部残余应力全部变成了残余压应力。     

LiNbO3晶体中引入π位相差实现选择性擦除

在晶体中进行大容量多重体存储 ,需要对晶体中记录数据进行修改 ,这就使得选择性擦除必不可少。介绍了铌酸锂晶体中实现选择性擦除的原理 ,着重介绍了在物光和参考光中引入π位相差的几种方法 ,通过引入π位相差来记录互补全息图 ,利用全息图及其他的互补全息图的非相干叠加来消除原全息图对晶体折射率的调制 ,从而实现对未定影全息图的选择性擦除。实现了在晶体中某一数据页面内部分数据的擦除 ,并从理论上对实验结果进行了分析。并给出了在某一数据页面内进行部分擦除的实验结果     

光学薄膜在光通信中的应用

主要介绍了光学薄膜在光通信的无源型器件中的原理及应用,并与光纤光栅和平面光波导型的无源器件作简单比较。