卡尔曼动态规划机动目标检测前跟踪方法

针对传统动态规划算法,由于转移步长固定、在检测机动目标时性能较差的问题,提出了针对转弯运动等机动目标的卡尔曼动态规划算法,该算法利用卡尔曼滤波中的状态预测步骤来自适应改变动态规划算法中的转移步长,以此来避免在检测转弯运动目标时传统动态规划算法由于转移步长不变而造成的转移步长与目标速度失配的问题。根据对该算法的目标状态估计误差分析结果,文中给出了一种误差补偿方法。仿真结果显示,在检测转弯运动目标时该算法在误差补偿后具有优异性能。     

大功率倒装结构LED芯片热模拟及热分析

对功率型倒装结构发光二极管(LED)温度场分布进行了有限元模拟,与实测结果进行了比较,并结合传热学基本原理对模拟结果进行了分析.结果表明,凸点的形状及分布与芯片内部温差有着密切的关系,蓝宝石的厚度对芯片内部温差也有一定的影响.同时,对倒装结构与正装结构的热阻进行了比较.     

化学镀纳米银阴极在聚合物LED中的应用

提出一种基于化学镀方法替代真空蒸发镀制备聚合物发光二极管(LED)阴极的思路.采用Ag(NH3) 2-KNaC4H4O6体系将纳米Ag沉积于MEH-PPV薄膜表面并形成ITO/MEH-PPV/Ag发光二极管.用SEM和XRD表征化学镀银层结构与形态,通过椭偏仪研究MEH-PPV浓度、体积等旋涂条件对其厚度影响的规律,初探发光二极管性能.结果表明,当MEH-PPV浓度为5.5mg·mL-1,加入量15μL,旋转18s(1800r/s)和30s(3000r/s)时,MEH-PPV厚度能控制在100nm左右;化学镀Ag层晶粒均匀致密,尺寸为30～40nm,为典型面心立方结构;驱动电压为6V时,发光二极管能发出峰值波长为589nm的桔红色光.     

InGaAs短波红外探测器

与InP衬底晶格常数相匹配的In0.53Ga0.47As材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7μm,具有高达80%以上的量子效率.通过对InGaAs探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及InGaAs芯片和HgCdTe芯片的性能测试、比较,充分证明了InGaAs材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能InGaAs探测器的可行性.对InGaAs芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs材料温度响应重复性较好.     

一种LD激光测距回波探测电路的设计

雪崩光电二极管APD(avalanche photo detector)因其具有很高的内部增益,是目前LD(Laser diode)激光测距中最常用的光电探测器件.挖掘激光测距系统的探测能力、提高探测概率的最终途径是提高激光回波信号的信噪比.从LD激光测距的特点出发,在分析了APD光电探测电路噪声的基础上,结合脉冲回波信号的特征,利用微弱信号检测的理论,提出了一种利用相关检测来提高回波信号信噪比的检测电路.结果表明,回波信号的信噪比有了一定提高,且结合了自动增益控制电路,为后续的时间间隔测量的精度提供了保证.     

Sn基钎料与Cu和Al基板的润湿性比较研究

采用润湿平衡法测量了四种Sn基钎料(Sn-37Pb、Sn-3.OAg-0.5Cu、Sn-0.7Cu与Sn-9Zn)分别在250,260和270℃与Cu、Al两种基板的润湿性能.结果表明:钎料与Al基板的润湿时间均比Cu基板长,除Sn-9Zn外,其他三种钎料与Cu基板的润湿力比Al基板大,并且随着温度升高,润湿性能提高,...     

基于信息理论的采样成像系统优化设计方法

本文把信息论应用于采样成像系统中，用端到端的互信息量评价图像捕捉系统，研究光电一体化系统优化设计方法。模拟系统设计参数，计算机仿真分析了采样成像系统中普遍存在的欠采样噪声、光学成像系统的模糊效应以及二者之间的涨落、平衡，做出了基于互信息量的系统评价仿真曲线，提出了光学成像系统与图像捕捉系统的匹配条件和优化设计方法。     

二元光学法在微透镜制作中的应用

对二元光学的产生和发展作了介绍,并阐述了二元光学元件之一的微透镜(microlenses)的设计、制作和测试方法以及它们的主要应用。微透镜的设计是基于已成熟的标量衍射理论;而其制作过程包括:计算机设计波面相位、产生掩模版、光刻或离子(束)蚀刻以及复制产生微透镜,其关键技术蚀刻方法有等离子蚀刻技术和反应离子蚀刻RIE(Reactive Ion Etching)技术;微透镜的测试主要包括衍射效率(diffractive efficiency)和点扩散函数(PSF)的测试,有直接法和间接法两种测试方法。微透镜可以微型化与阵列化,并且可以同微电子器件一起集成化,具有广泛的应用前景。     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

基于光载无线技术的毫米波轨道角动量多维联合调制/解调研究

提出了一种基于光载无线(ROF)技术的W波段涡旋毫 米波生成及轨道角动量(OAM)多维联合调制 /解调方法。采用ROF技术在光域对微波源进行倍频生成W 波段光学毫米波,并通 过集成光调制 器对光学毫米波的相位和幅度进行调控。通过合理调控圆环天线阵列(CAAs)的辐射毫米波 相移,从而实 现涡旋毫米波的生成以及状态切换。同时,设计了64阶OAM、幅度和 相位的三维联合调制格式, 并通过模拟仿真,成功实现了75Gbit/s高阶联合调制信号的调制/解 调。研究结果表明,OAM 作为一个新 的物理维度不仅可以通过复用来实现传输容量密度的提升,同时也可以作为调制手段实现 传输容量的提 升,在提高无线频谱效率以及保密通信中具有重要的潜在应用价值。