NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

醇镁还原法一步制取对氯苯胺的研究

醇镁还原法一步制取对氯苯胺是一种新的方法 ,研究发现最佳反应温度为 80℃～ 85℃ ,反应时间为4h ,对氯硝基苯与镁粉的用量 (物质的量比 )为 1∶3,产率为 80 %。     

新型硅蜡乳液的制备

将蜂蜡用复合乳化剂乳化时加入自制的乳化助剂，制得稳定的蜡乳液，将该乳液与羟基蛙油乳液复配，制得乳白色略带蓝光硅蜡乳液，该硅蜡乳液用于绵羊服装革作顶层手感改善剂，除了获得油润的蜡感和滑爽感之外，还使成革具有抗菌和抗静电作用。     

一种用于SOC设计中的智能I/O处理器的实现

文章介绍了SOC设计流程，智能I／O处理器组成，在开发该处理器对VHDL源代码的优化问题。     

Conductive Mechanism of Organic Conductor

Organic conductor is a kind of organic compound which has special electronic and magnetic properties. The research of the organic compounds has received considerable attention because of their potential applications in many areas. The molecular conductive units are theoretically investigated as well as their energy gap and charge distribution. The relationship of conductivity and micro-mechanism is discussed.     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

8Li次级束的产生

在北京串列加速器次级束流线上通过2 H(7Li,8Li) 1H逆运动学反应产生了用于核天体物理研究的8Li次级束。准直后的次级束纯度达到 80 %以上 ,对于 44MeV的7Li强度约为 3 0s- 1·pnA- 1,可以用来进行逆几何转移反应的实验测量。     

1998年昌江流域暴雨洪水分析

1998年昌江发生了建国以来最大洪水，文章从天气环流背景、降雨特征等方面分析这次洪水形成的特点和发展过程。     

构造作用对油气生成和运聚的影响

有机质从埋藏开始，就处于极其复杂的地球物理化学场中，环境提的能量，一是热量，二是机械能，机械能，主要是通过机械力作用传递给系统的，另外还以机械波的形式赋予系统一定的机械能。当发生断褶构造运动时，机械力对油气运移的影响尤为突出，它经能量的迁移转化，促成了包括机械力降解和地应力驱动等一系列的连锁反应，制造了一次次高效的成油（生运）事件，本文以突变论为着眼点，按照改造控制建造的思路，大胆提出构造运动制造生排烃事件，成就含油气系统的假说。