InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究

从 3个层面研究了分子束外延 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P功率 HEMT结构材料生长技术。首先 ,通过观察生长过程的高能电子衍射 (RHEED)图谱 ,确立了 Ga0 .47In0 .53As/ In P结构表面层的 MBE RHEED衍射工艺相图 ,据此生长的单层 Si-doped Ga0 .47In0 .53As(40 0 nm) / In P室温迁移率可达 6960 cm2 / V· s及电子浓度 1 .3 3 E1 7cm- 3。其次 ,经过优化结构参数 ,低噪声 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P HEMT结构材料的 Hall参数达到μ30 0 K≥ 1 0 0 0 0 cm2 / V· s、2 DEG≥ 2 .5 E1 2 cm- 2 。最后 ,在此基础之上 ,降低 spacer的厚度、在 Ga0 .47In0 .53As沟道内插入 Si平面掺杂层并增加势垒层的掺杂浓度获得了功率 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In PHEMT结构材料 ,其 Hall参数达到μ30 0 K≥ 80 0 0 cm2 / V· s、2 DEG≥ 4 .0 E1 2 cm- 2 。     

Al2O3陶瓷激光铣削试验研究

采用Nd∶YAG脉冲激光器对Al2 O3陶瓷进行铣削加工试验。系统研究了工艺参数对铣削量和铣削面质量的影响规律 ,并利用优化的铣削工艺对Al2 O3陶瓷进行多种形状的铣削加工。     

由LD和高双折射光纤环镜构成的可调谐锁模光纤激光器

提出了一种用F P腔半导体激光器 (F PLD)作调制器 ,由高双折射光纤环镜构成的梳状滤波器作波长选择器件的环形腔主动锁模光纤激光器。通过改变梳状滤波器透过峰之间的间隔可以实现激光波长的调谐。实验中成功地获得了调谐范围约为 10nm ,脉冲重复频率约 2GHz的锁模脉冲信号 ,脉冲宽度小于 70ps。     

测量光纤放大器小信号增益谱的一种简便方法

提出了一种用小功率宽带光源较精确测量光纤放大器小信号增益谱的方法。数值模拟表明 ,该方法是完全可行的 ,并且实验结果与数值模拟结果一致。该方法具有简便、易操作的特点。     

MEMS系统级设计与基于多端口组件网络的建模方法

MEMS的系统级设计对保证其整体综合性能和合理开发MEMS产品至关重要。针对MEMS的多能量域耦合、多信号混合的特点以及能量非保守等特殊要求 ,提出了基于多端口组件网络的MEMS系统级建模方法———采用多端口组件表示MEMS的功能结构部件 ,组件与组件通过端口联成网络表示整个系统 ;用统一规范化的微分代数方程表征并用硬件描述语言表述多端口组件。针对梁等具体的MEMS功能结构部件 ,采用宏建模方法确定其行为方程 ,从而得到有特定物理意义的、可供重用的组件模型。最后 ,给出了微加速度计的基于多端口组件网络方法的系统级设计示例     

一种新型电荷泵电路的设计

文章提出了一种新的全差分电荷泵结构，与传统电荷泵电路相比，这个电路具有输出范围大和无跳跃现象的优点，同时还可以有效地解决电荷泄漏和充放电失配等问题。     

电磁攻击方法与能量攻击方法的对比

旁道攻击是避开复杂的密码算法，利用密码算法在软硬件实现中泄露出的各种信息进行攻击，电磁攻击和能量攻击是两种不同旁道攻击方法，二者既有共同之处，又有各自的特点，可以通过实验分析，进行对比。     

局部散射源参数估计的非线性算子方法

本文利用单次快摄数据的两个非线性算子估计局部散射源中心波达方向和角扩展,与多维参数搜索和其他低复杂性的局部散射源参数估计算法不同,非线性算子方法给出了单次快摄的局部散射源参数估计的闭式解,无需进行多维搜索和子空间分解。     

基于修正的M距离辐射源识别方法研究

提出了一种基于修正的M距离辐射源识别新方法。通过计算机仿真 ,验证了该方法的合理性与有效性     

一种基于人眼图像灰度分布特征的虹膜定位算法

提出了一种基于人眼图像灰度分布特征的虹膜定位算法。该算法不必检测到所有的虹膜边界点,只需要分别在虹膜的内外边界上各检测到3个点即可。然后利用落在同一个边界上的3个点,根据“非共线的3点确定1个圆”的几何原理,计算出边界圆的参数,从而确定虹膜内外边界。对CASIA虹膜图像数据库进行了大量的实验,结果表明,该算法与经典的虹膜定位算法（如Daugman的算法和边缘检测算子结合Hough变换的算法）相比,定位结果更加准确,定位速度大幅度提高。