首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   79720篇
  免费   8596篇
  国内免费   5076篇
电工技术   6626篇
技术理论   6篇
综合类   6584篇
化学工业   11501篇
金属工艺   4705篇
机械仪表   5383篇
建筑科学   6876篇
矿业工程   2124篇
能源动力   2281篇
轻工业   5994篇
水利工程   1810篇
石油天然气   3543篇
武器工业   865篇
无线电   9834篇
一般工业技术   8899篇
冶金工业   3078篇
原子能技术   1003篇
自动化技术   12280篇
  2024年   514篇
  2023年   1439篇
  2022年   2799篇
  2021年   3858篇
  2020年   2895篇
  2019年   2217篇
  2018年   2288篇
  2017年   2607篇
  2016年   2462篇
  2015年   3435篇
  2014年   4224篇
  2013年   4891篇
  2012年   5773篇
  2011年   5964篇
  2010年   5411篇
  2009年   5254篇
  2008年   5369篇
  2007年   4832篇
  2006年   4591篇
  2005年   3792篇
  2004年   2799篇
  2003年   2358篇
  2002年   2670篇
  2001年   2345篇
  2000年   1848篇
  1999年   1425篇
  1998年   993篇
  1997年   859篇
  1996年   733篇
  1995年   592篇
  1994年   471篇
  1993年   372篇
  1992年   292篇
  1991年   211篇
  1990年   169篇
  1989年   158篇
  1988年   104篇
  1987年   77篇
  1986年   55篇
  1985年   37篇
  1984年   32篇
  1983年   25篇
  1982年   32篇
  1981年   18篇
  1980年   34篇
  1979年   12篇
  1977年   13篇
  1974年   5篇
  1959年   6篇
  1951年   7篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
101.
通过氟塑料-石墨板式换热器在化纤生产中高温强腐蚀换热工况中的实际应用,并与常规换热器的使用情况的对比分析,阐述了这种新型换热设备的特点。  相似文献   
102.
提出一种求解正常声光相互作用拉曼 内斯 (Raman Nath)方程的矩阵级数解法 ,该解法直观方便且具有普遍性。计算结果表明 ,对Q =4 1π ,Bragg衍射的效率只有 97 5 % ;对非对称入射 ,以往的Raman Nath近似解误差较大 ;指出提高Bragg衍射效率的有效途径在于提高声光频率比并给出计算声光器件最优长度的计算公式。  相似文献   
103.
104.
基于Powell图的模式识别法建立化学反应速度方程   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文基于Powell图,提出了用模式识别技术中的相似系数法来确定化学反应级数的方法,并给出了计算实例。  相似文献   
105.
本文以NH3-H2O系统Gibbs自由能、熵、焓和汽液相平衡的热力学模型为基础,用松弛法进行了无水氨精馏塔的模拟计算。改变无水氨采出比、回流比(直汽量)和进料板位置均影响蒸馏效果。  相似文献   
106.
SnO2超微粒子薄膜的气敏特性研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线.  相似文献   
107.
Low temperature wafer direct bonding   总被引:11,自引:0,他引:11  
A pronounced increase of interface energy of room temperature bonded hydrophilic Si/Si, Si/SiO2, and SiO2/SiO 2 wafers after storage in air at room temperature, 150°C for 10-400 h has been observed. The increased number of OH groups due to a reaction between water and the strained oxide and/or silicon at the interface at temperatures below 110°C and the formation of stronger siloxane bonds above 110°C appear to be the main mechanisms responsible for the increase in the interface energy. After prolonged storage, interface bubbles are detectable by an infrared camera at the Si/Si bonding seam. Desorbed hydrocarbons as well as hydrogen generated by a reaction of water with silicon appear to be the major contents in the bubbles. Design guidelines for low temperature wafer direct bonding technology are proposed  相似文献   
108.
109.
论述了合成聚氧乙烯油酸酯的较佳反应条件,探讨了不同EO加成数的聚氧乙烯油酸脂的表面物性规律。  相似文献   
110.
毅力 《微电子学》1993,23(5):1-10
MCM具有胜过PCB、LSI和一般HIC的诸多优点,正在逢勃发展,可望成为九十年代的代表性技术。本文从市场和技术两个方面评述MCM的发展潜力,重点介绍近年来国外MCM主要制造技术的现状及发展态势,试图引起人们对它的关注。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号