全文获取类型
收费全文 | 135056篇 |
免费 | 6392篇 |
国内免费 | 3149篇 |
专业分类
电工技术 | 4371篇 |
技术理论 | 6篇 |
综合类 | 6254篇 |
化学工业 | 19911篇 |
金属工艺 | 7543篇 |
机械仪表 | 6338篇 |
建筑科学 | 6558篇 |
矿业工程 | 2128篇 |
能源动力 | 2847篇 |
轻工业 | 7481篇 |
水利工程 | 2348篇 |
石油天然气 | 2837篇 |
武器工业 | 555篇 |
无线电 | 15299篇 |
一般工业技术 | 22043篇 |
冶金工业 | 4753篇 |
原子能技术 | 868篇 |
自动化技术 | 32457篇 |
出版年
2024年 | 244篇 |
2023年 | 1009篇 |
2022年 | 1859篇 |
2021年 | 2564篇 |
2020年 | 1858篇 |
2019年 | 1553篇 |
2018年 | 15925篇 |
2017年 | 15073篇 |
2016年 | 11440篇 |
2015年 | 2889篇 |
2014年 | 3017篇 |
2013年 | 3467篇 |
2012年 | 6784篇 |
2011年 | 13035篇 |
2010年 | 11732篇 |
2009年 | 8834篇 |
2008年 | 9936篇 |
2007年 | 10545篇 |
2006年 | 2944篇 |
2005年 | 3437篇 |
2004年 | 2712篇 |
2003年 | 2502篇 |
2002年 | 1968篇 |
2001年 | 1363篇 |
2000年 | 1294篇 |
1999年 | 1198篇 |
1998年 | 897篇 |
1997年 | 751篇 |
1996年 | 726篇 |
1995年 | 521篇 |
1994年 | 477篇 |
1993年 | 325篇 |
1992年 | 290篇 |
1991年 | 224篇 |
1990年 | 147篇 |
1989年 | 132篇 |
1988年 | 92篇 |
1987年 | 56篇 |
1986年 | 42篇 |
1968年 | 43篇 |
1967年 | 34篇 |
1966年 | 42篇 |
1965年 | 44篇 |
1960年 | 30篇 |
1959年 | 38篇 |
1958年 | 37篇 |
1957年 | 36篇 |
1956年 | 34篇 |
1955年 | 63篇 |
1954年 | 68篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 875 毫秒
91.
塔里木盆地雅—轮地区大部分圈闭及油气藏的形成与断裂作用密切相关,对断层封堵性的综合研究已成为该地区油气勘探的重要因素。应用地质定性分析、Allen剖面分析及断层涂抹量计算等方法,通过对研究区4个典型断层封堵油气藏的系统解剖研究,建立雅—轮地区断裂封堵性评价标准,对雅—轮地区断层的封堵性进行综合评价。雅—轮地区断层整体封堵效果良好,断层在圈闭形成和油气聚集过程中起着重要的控制作用,形成一系列沿断层带状分布的油气藏。亚南断裂的封堵效果东部要优于西部,下部要优于上部。轮台断裂在不同部位、不同深度均存在着不同的封堵性能,封堵非均质性明显,总体显示断裂东部地区(也根附近)的封堵性要好于西部雅南地区。 相似文献
92.
93.
聚丙烯酰胺/氧化石墨纳米复合材料的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
氧化石墨具有良好的层状结构,其层间具有丰富的官能团,能与有机聚合物形成插层纳米复合材料进而改善材料的性能.采用层离吸收-原位聚合法制备了聚丙烯酰胺/氧化石墨纳米复合材料,并采用XRD、HREM及DSC等对其结构和性能进行了表征。结果表明,聚丙烯酰胺与氧化石墨两者之间存在着较强的相互作用,材料的玻璃化转变温度得到提高,层离吸收-原位聚合法是获得聚丙烯酰胺/氧化石墨层纳米复合材料的有效途径,聚丙烯酰胺在氧化石墨中存在着多种排列方式,不同层间距(1.6nm和2.8nm)的聚丙烯酰胺/氧化石墨纳米复合结构同时存在。 相似文献
94.
95.
Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
96.
湖南出土的楚汉丝织品,以马王堆一、三号汉墓所出为代表,其色彩反映了我国当时印染工艺技术所达到的高度水平,其纹饰则显示了鲜明的时代特征,表现了运动、气势和古拙的艺术风格,充满着神奇浪漫的色彩。 相似文献
97.
98.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
99.
通过分析钢水在结晶器内凝固的不均匀性及对钢水结晶的热量平衡计算,讨论连铸中间包钢水温度、结晶器冷却水流量及进出水温差对拉坯速度的影响。 相似文献
100.
The purpose of this paper is to evaluate two methods of assessing the productivity and quality impact of Computer Aided Software Engineering (CASE) and Fourth Generation Language (4GL) technologies: (1) by the retrospective method; and (2) the cross-sectional method. Both methods involve the use of questionnaire surveys. Developers' perceptions depend on the context in which they are expressed and this includes expectations about the effectiveness of a given software product. Consequently, it is generally not reliable to base inferences about the relative merits of CASE and 4GLs on a cross-sectional comparison of two separate samples of users. The retrospective method that requires each respondent to directly compare different products is shown to be more reliable. However, there may be scope to employ cross-sectional comparisons of the findings from different samples where both sets of respondents use the same reference point for their judgements, and where numerical rather than verbal rating scales are used to measure perceptions. 相似文献