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针对吊箱围堰施工中,混凝土与钢板间的粘结力无详实数据的现象,介绍了确定数据的实验模型、实验步骤,并分析了实验结果,以方便施工,指导施工。 相似文献
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143.
采用了TSMC0.35μm CMOS工艺实现了可用于SONET/SDH2.5Gb/s和3.125Gb/s速率级光纤通信系统的限幅放大器。通过在芯片测试其最小输入动态范围可达8mVp—p,单端输出摆幅为400mVp-p,功耗250mW,含信号丢失检测功能,可以满足商用化光纤通信系统的使用标准。 相似文献
144.
145.
Rui Morimoto Chisato Yokomori Akiko Kikkawa Akira Izumi Hideki Matsumura 《Thin solid films》2003,430(1-2):230-235
In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiNx films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O2 oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiNx prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiNx films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm−1 of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 107–108 are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process. 相似文献
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148.
发光体MAl2O4:Eu2+,RE3+的长余辉形成机理 总被引:7,自引:0,他引:7
提出了Eu^2 激活的MAl2O4:Eu^2 ,RE^3 (M=Ca,Sr,Ba;RE=Dy,Nd,Ho,Er,Pr,Tb等稀土元素)系列铝酸盐发光体的长余辉发光机理。认为O^2-空位Vo是一种电子俘获陷际,是形成余辉的根本原因,RE^3 的引入使陷阱深度适宜而使余辉时间延长。缺陷在晶格中成簇分布,Vo和碱土金属离子空位VM在高温下可相互缔合。利用电子陷阱模型解释了实验中的一些普遍现象并提出了固相反应法合成此类发光体的工艺改进措施。 相似文献
149.
Rui A. S. Lapa José L. F. C. Lima 《Journal of Automated Methods and Management in Chemistry》1991,13(3):119-122
The construction of a microcomputer-controlled electrode switch for
use in potentiometric determinations is described. This can be coupled to most of the analytical equipment usually found in laboratories, to enable a setting up of automatic systems capable of performing sequential determinations with several ion-selective
electrodes. The assessment of its analytical usage and behaviour are discussed. 相似文献
150.
在分析了感应加热小半径弯管形变机理的基础上,提出了压缩弯曲的成型工艺,研制出了小半径中频弯管设备,并进行了大量的工艺实验和实验研究,取得了满意的结果。 相似文献