激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

在协议集成测试系统上开展路由协议测试

在分析路由协议的特性及其测试需求的基础上，提出利用窗口黑盒来描述被测协议，利用多通道测试方法扩展对被测实现的控制和观察，通过扩充参考实现增强系统的测试能力。将这些理论，技术应用于系统中，对路由协议开展了有效的测试活动，为国产高性能路由器的开发提供了有力的支持，也进一步增强了PITS系统的功能和适用性。     

千米桥潜山构造特征及其在油气成藏中的作用

千米桥潜山是黄骅坳陷最典型的新生古储型油气藏，恢复潜山古构造是认识其油气藏特征的重点和难点之一，运用地质力学方法研究潜山内幕构造之后认为，该潜山的形成基础是古生界印支期宽缓复背斜，在燕山期挤压构造作用下形成由逆冲叠瓦扇和反冲断层构成的三角带内幕构造，抬升受侵蚀形成潜山主体，喜马拉雅的两次古旋拉张使潜山掀斜定型。晚第三纪以来发生整体热沉降，潜山两侧凹陷沙三段生成油气向潜山侧向运移成藏。     

高铬锰白口铸铁的软化处理

研究了 4种退火工艺对高铬锰白口铸铁组织和硬度的影响规律。结果表明 ,采用 85 0℃保温 4h ,随后于 72 0℃保温 6h退火工艺 ,硬度最低为 36～ 38HRC ,机加工性能最好。     

一种自适应群组交互的网络带宽管理机制

本文在分析现有的基于集中式MCU实现群组交互的基础上，提出了一种能够自适应群组交互规模变化和QoS要求的网络带宽动态管理和分配机制，给出了实现算法，并在实际中得到测试和应用，取得良好的效果。     

入侵检测及网络层安全的研究

随着计算机网络的迅速发展，网络安全问题正变得日益重要。文章介绍了计算机网络系统IP层安全概况和入侵者对IP层常采用的入侵手段，以及为防止这种入侵所采取的措施。     

单晶凝固组织的样品尺寸效应

通过对不同直径的单晶样品的凝固实验，研究了样品尺寸对单晶凝固组织的影响规律，研究发现，随样品尺寸减小，单晶凝固组织被细化，尤其一次枝晶间距λ1和枝晶间γ′相尺寸对样品尺寸的依赖性更为明显；样品尺寸影响的要质在于此表面积的变化，进而对凝固过程温度梯度产生影响，最终作用于凝固组织和力学性能，一次枝晶间距λ1和枝晶间γ′尺寸与样品的比表面积近拟呈线性关系，样品尺寸变化，明显改变了单晶生长过程的温度梯度和合金的高温持久寿命。     

浅谈等电位联结的施工

本文讨论了等电位联结,以及等电位联结安装在施工中存在的不足,并提出施工安装中应注意的问题。     

超低密度硬胶极压型油包水乳化钻井液在广安002-H9井的应用

在超低密度钻井液的使用方面，传统的油基钻井液和油包水钻井液存在易着火、安全性差的问题，而最近使用的美国3M公司的中空玻璃微珠聚磺钻井液又存在固控困难、钻井液费用很高等难题。为此，从选择合适的润湿反转剂和阻燃剂入手，在室内对获得的超低密度硬胶极压型油包水乳化钻井液成果配方进行了全面评价，并应用在广安002 H9井水平段欠平衡钻井中取得了良好效果。室内研究与现场应用表明，超低密度硬胶极压型油包水乳化钻井液能够很好地满足广安构造水平井段欠平衡钻井的需要。该钻井液体系具有防塌、润滑、携砂能力强，密度容易控制，钻井液单位成本合理并可重复使用，安全性好等显著特点，适合在类似广安构造的水平井段中推广应用。     

Investigation of the source/drain asymmetric effects due to gate misalignment in planar double-gate MOSFETs

A planar double-gate SOI MOSFET (DG-SOI) with thin channel and thick source/drain (S/D) was successfully fabricated. Using both experimental data and simulation results, the S/D asymmetric effect induced by gate misalignment was studied. For a misaligned DG-SOI, there is gate nonoverlapped region on one side and extra gate overlapped region on the other side. The nonoverlapped region introduces extra series resistance and weakly controlled channel, while the extra overlapped region introduces additional overlap capacitance and gate leakage current. We compared two cases: bottom gate shift to source side (DG/spl I.bar/S) and bottom gate shift to drain side (DG/spl I.bar/D). At the same gate misalignment value, DG/spl I.bar/S resulted in a larger drain-induced barrier lowering effect and smaller overlap capacitance at drain side than DG/spl I.bar/D. Because of reduced drain-side capacitance, the speed of three-stage ring oscillator of DG/spl I.bar/S, with 20% gate misalignment length (L/sub mis/) over gate length (L/sub g/), or L/sub mis//L/sub g/=20%, was faster than that of two-gate aligned DG-SOI.