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高铬锰白口铸铁的软化处理 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了 4种退火工艺对高铬锰白口铸铁组织和硬度的影响规律。结果表明 ,采用 85 0℃保温 4h ,随后于 72 0℃保温 6h退火工艺 ,硬度最低为 36~ 38HRC ,机加工性能最好。 相似文献
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随着计算机网络的迅速发展,网络安全问题正变得日益重要。文章介绍了计算机网络系统IP层安全概况和入侵者对IP层常采用的入侵手段,以及为防止这种入侵所采取的措施。 相似文献
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超低密度硬胶极压型油包水乳化钻井液在广安002-H9井的应用 总被引:2,自引:1,他引:1
在超低密度钻井液的使用方面,传统的油基钻井液和油包水钻井液存在易着火、安全性差的问题,而最近使用的美国3M公司的中空玻璃微珠聚磺钻井液又存在固控困难、钻井液费用很高等难题。为此,从选择合适的润湿反转剂和阻燃剂入手,在室内对获得的超低密度硬胶极压型油包水乳化钻井液成果配方进行了全面评价,并应用在广安002 H9井水平段欠平衡钻井中取得了良好效果。室内研究与现场应用表明,超低密度硬胶极压型油包水乳化钻井液能够很好地满足广安构造水平井段欠平衡钻井的需要。该钻井液体系具有防塌、润滑、携砂能力强,密度容易控制,钻井液单位成本合理并可重复使用,安全性好等显著特点,适合在类似广安构造的水平井段中推广应用。 相似文献
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A planar double-gate SOI MOSFET (DG-SOI) with thin channel and thick source/drain (S/D) was successfully fabricated. Using both experimental data and simulation results, the S/D asymmetric effect induced by gate misalignment was studied. For a misaligned DG-SOI, there is gate nonoverlapped region on one side and extra gate overlapped region on the other side. The nonoverlapped region introduces extra series resistance and weakly controlled channel, while the extra overlapped region introduces additional overlap capacitance and gate leakage current. We compared two cases: bottom gate shift to source side (DG/spl I.bar/S) and bottom gate shift to drain side (DG/spl I.bar/D). At the same gate misalignment value, DG/spl I.bar/S resulted in a larger drain-induced barrier lowering effect and smaller overlap capacitance at drain side than DG/spl I.bar/D. Because of reduced drain-side capacitance, the speed of three-stage ring oscillator of DG/spl I.bar/S, with 20% gate misalignment length (L/sub mis/) over gate length (L/sub g/), or L/sub mis//L/sub g/=20%, was faster than that of two-gate aligned DG-SOI. 相似文献