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81.
水溶性防氧化剂在SMT用印制板上的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
朱民 《电子工艺技术》2002,23(3):104-107
水溶性的防氧化剂是一种有机可焊性保护剂。其方法是在印制板完全阻焊、字符层的印刷,并经电检之后,通过表面浸渍在裸铜的贴片位或通孔内形成一种耐热性的有机可焊性膜层。这种有机、可焊、耐热的膜层,膜厚可达0.3-0.5mm,其分解的温度可达约300℃,传统的印制板的热风整平法亦无法满足QFP愈来愈密集的需求,同时也无法满足SMD表面平整度的要求,更无法适应PCB薄型化生产。烷基苯并咪唑的OSP法能弥补这项缺陷,因而在PCB业乃至SMT产业中得到了广泛的应用。  相似文献   
82.
预处理工艺对硬质合金与金刚石膜间粘结力的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在两种经不同预处理的硬质合金YG8基底上,采用微波等离子体化学气相沉积法,在微波功率2kW,压强4.0kPa和6.5kPa,CH4和H2流量分别为1.6cm/s和100.0cm/s的条件下生长金刚石薄膜。利用X射线衍射检测了金刚石薄膜是否存在,用拉曼光谱分析了薄膜的质量,用金相显微镜观察了薄膜的洛氏硬度压痕,标定并比较了不同预处理工艺膜与基底的结合力。实验结果表明,不同的预处理方法对于粘结力的影响不大,最主要的因素是钴含量的多少。  相似文献   
83.
柳沟庄—窟窿山油藏储集层裂缝类型及特征   总被引:13,自引:3,他引:10  
根据岩心描述、薄片观察、X-CT扫描以及钻井、测井等资料,研究了酒西盆地青西坳陷柳沟庄-窟窿山油藏裂缝性储集层的类型及特征,分析了控制裂缝发育的地质因素及裂缝对油气的控制作用,认为储集层裂缝有3种基本类型,即构造裂缝、构造熔蚀缝和饼状破裂,主要受构造应力场及构造位置等因素的控制。根据裂缝形态、充填特征及其相互关系,裂缝的形成主要有3个期次,其中喜马拉雅运动晚期形成的第三期理解缝对油气运移和聚集最有效。研究结果表明,裂缝是柳沟庄-窟窿山油藏主要的储集空间和控制油气富集的因素。  相似文献   
84.
孤岛油田西区注聚区1997年3月投入注聚后,高渗层得到有效封堵,吸水剖面得到明显改善。注聚期间,通过实施注聚区外围水井降水或停注、油井放大生产压差和调整注聚井注入速度等开发措施,扩大了聚合物波及体积,聚合物驱取得了明显效果。  相似文献   
85.
甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物气相色谱分析   总被引:6,自引:1,他引:5  
以Chromosorb 10 1为固定相 ,气相色谱法分析甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物中水、甲醇、乙酸甲酯和碳酸二甲酯等组份的含量 ,考察了柱温 ,载气流量对分离度的影响 ,确定了适宜的分析条件 ,并用校正面积归一化法定量。该方法操作简便 ,快速 ,精度高 ,重现性好  相似文献   
86.
采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。  相似文献   
87.
纳米α-FeOOH颗粒的形态和结构   总被引:3,自引:0,他引:3  
以硫酸法钛白的副产物绿矾为原料,采用滴加法制备纳米铁黄(α-FeOOH)颗粒。研究了反应体系的pH值、反应温度、通氧速率、搅拌速率和添加剂等对铁黄颗粒形态结构的影响,采用XRD、TEM等分析手段对颗粒进行表征。结果表明,调节体系pH值能控制铁黄晶型结构和色相;改变通氧速率、搅拌速率、添加剂种类以及反应温度等可以调节纳米α-FeOOH的大小和分散性。  相似文献   
88.
一种改进的交错脉冲解速度模糊方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了脉冲多普勒气象雷达中用于解速度模糊的交错脉冲方法,理论分析了时域脉冲对处理中速度估计公式的局限性,同时对该公式进行了修正。仿真结果表明,改进的交错脉冲方法具有更好的解速度模糊性能,而且易于实时处理。  相似文献   
89.
铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念巳不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到了验证。  相似文献   
90.
MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
从传统移相器的构造和原理出发,进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明,MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展,MEMS移相器介质损耗大幅度降低,将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上,便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。  相似文献   
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