首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24766篇
  免费   2154篇
  国内免费   1220篇
电工技术   1425篇
技术理论   4篇
综合类   1648篇
化学工业   4543篇
金属工艺   1499篇
机械仪表   1451篇
建筑科学   1852篇
矿业工程   703篇
能源动力   608篇
轻工业   1597篇
水利工程   456篇
石油天然气   1615篇
武器工业   173篇
无线电   2848篇
一般工业技术   3010篇
冶金工业   1190篇
原子能技术   293篇
自动化技术   3225篇
  2024年   127篇
  2023年   468篇
  2022年   704篇
  2021年   985篇
  2020年   788篇
  2019年   672篇
  2018年   717篇
  2017年   807篇
  2016年   675篇
  2015年   941篇
  2014年   1133篇
  2013年   1414篇
  2012年   1484篇
  2011年   1589篇
  2010年   1489篇
  2009年   1463篇
  2008年   1349篇
  2007年   1305篇
  2006年   1289篇
  2005年   1194篇
  2004年   812篇
  2003年   784篇
  2002年   776篇
  2001年   640篇
  2000年   613篇
  1999年   754篇
  1998年   583篇
  1997年   481篇
  1996年   432篇
  1995年   389篇
  1994年   337篇
  1993年   233篇
  1992年   187篇
  1991年   141篇
  1990年   93篇
  1989年   116篇
  1988年   60篇
  1987年   36篇
  1986年   19篇
  1985年   15篇
  1984年   14篇
  1983年   6篇
  1982年   8篇
  1981年   8篇
  1980年   5篇
  1979年   2篇
  1959年   2篇
  1951年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
In this paper, RF noise in 0.18-mum NMOSFETs concerning the contribution of carrier heating and hot carrier effect is characterized and analyzed in detail via a novel approach that modulates the channel carrier heating and number of hot carriers using body bias. We confirm qualitatively a negligible role of hot carrier effect on the channel noise in deep-submicrometer MOSFETs. For a device under reverse body bias (Vb), even though the increase in hot carrier population is clearly characterized by dc measurements, the device high-frequency noise is found to be irrelevant to the increase in the channel hot carriers. Experimental results show that the high-frequency noise is slightly reduced with the increase in |Vb|, and can be qualitatively explained by secondary effects such as the suppression of nonequilibrium channel noise and substrate induced noise. The reduction of NFmin and Rn with the increase in |Vb| may provide a possible methodology to finely adjust the device high-frequency noise performance for circuit design  相似文献   
52.
53.
Charge in metal-organic chemical vapor deposition-grown HfO/sub 2/ gate stacks has been systematically studied using nMOS capacitors. It is found that, for these films, the charge in the stack is mainly concentrated at the interfaces between the layers and is negative at the HfO/sub 2//interfacial layer (IL) interface and positive at the Si/IL interface. In general, the calculated charge densities at both interfaces are of order 10/sup 12/ cm/sup -2/. A forming gas anneal (FGA) reduces both interface charge greatly. The FGA can also significantly reduce the hysteresis and interface state density. The effects of post deposition anneal at various temperatures and under various ambients have also been studied. It is found that a high-temperature dilute oxidizing ambient anneal followed by an FGA reduces the charge at both interfaces.  相似文献   
54.
This paper presents recent efforts on the preparation of flexible polyhedral particles via concentrated emulsion templating polymerization in which the hydrophilic monomer (acrylamide) and hydrophobic monomer (butyl acrylate) are polymerized simultaneously in the continuous and dispersed phase, respectively. Such templating polymerization has been enhanced in our systems owing to the introduction of acrylamide monomer and their higher polymerization rate in continuous phase as compared with butyl acrylate in dispersed phase. Diffusion between the different phases was also inhibited. Furthermore, the stability of the concentrated emulsion and the molecular weight of the produced poly(butyl acrylate) were found to be significantly affected by the amount of redox initiator. The morphology of the particles could be controlled by varying the volume fraction of the dispersed phase and the polyhedral particles were achieved at higher volume fraction. Copyright © 2005 Society of Chemical Industry  相似文献   
55.
川西低渗气藏单井地应力计算方法综合研究   总被引:8,自引:1,他引:7  
四川盆地新场气田是一个低孔低渗的裂缝性砂岩气田,储层物性差,自然产能低,需经压裂后才能投产,压裂后气井增加的产能与压裂的效果密切相关。提前认识储层当前地应力的特征,有助于压裂设计时确定裂缝产状、缝长、缝宽等参数,减少储层水力压裂改造的盲目性,降低中、低渗透油气田开发的风险。通过大量测井资料的计算,确定了新场气田储层地应力的大小和方向,并综合采用微地震测量、岩石声发射资料、古地磁等岩心测试资料和水力压裂等多种方法进行交互验证,各种方法求得的地应力特征十分相近,说明利用测井资料求取储集层地应力原理简单,计算结果符合实际的地应力特征,是一种低风险研究计算储层地应力特征的方法,可以用于指导低渗透油气田的井网部署和储层的单井压裂改造。  相似文献   
56.
前言随着电信市场竞争越来越激烈,各种电信业务资费呈下降趋势,因此大客户原来主要采用低速专线来组织其内部通信网的方式也发生变化,逐渐采用高速的2M电路或者LAN专线、VPN等IP电路进行组网。目前大客户主要分布在金融、政府、行政、外企、交通等行业,其采用运营商电路来组织其内部通信网络以满足中心网点与各个分支网点、分支机构的语音、数  相似文献   
57.
It is well known that tile-boundary artifacts occur in wavelet-based lossy image coding. However, until now, their cause has not been understood well. In this paper, we show that boundary artifacts are an inescapable consequence of the usual methods used to choose tile size and the type of symmetric extension employed in a wavelet-based image decomposition system. This paper presents a novel method for reducing these tile-boundary artifacts. The method employs odd tile sizes (2N + 1 samples) rather than the conventional even tile sizes (2N samples). It is shown that, for the same bit rate, an image compressed using an odd tile length low-pass first (OTLPF) convention has significantly less boundary artifacts than an image compressed using even tile sizes. The OTLPF convention can also be incorporated into the JPEG 2000 image compression algorithm using extensions defined in Part 2 of this standard.  相似文献   
58.
应用PIMS选油模型实施进口原油优化选购   总被引:5,自引:2,他引:3  
应用AspenTech公司PIMS软件,模拟炼油企业生产经营过程,综合考虑原油成本、产品价格以及长岭分公司炼油厂加工流程特点和产品质量等要求,建立了适用于该厂的原油选购模型。利用该模型对该企业2002年第三季度进口原油品种进行优化选择,对综合效益好的原油实施采购。实际生产数据表明,该模型比较准确。  相似文献   
59.
研究了富氧燃烧技术对梭式窑烧成的影响.研究结果表明,随着氧浓度从21%-30%的逐渐增加,CO总浓度和NO总浓度都先明显下降,后缓慢上升;节能效果在初始段较为明显,而后效果不明显;而实际烟气量与氧浓度成反比,与过剩空气系数成正比.  相似文献   
60.
借助现场采集装置,在计算机上获取每一分钟的冶炼工艺电能需求量,显示当前15分钟时段已发生的电耗量,调整用户设定,实现需量自动刷新、报警和专家分析推荐后续用量;实现平稳用电并减少对电网冲击,同时降低电能最大需用量以减少成本。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号