InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化

本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.     

基于精简标准单元库的OPC复用技术

提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用技术得以有效实施,并将在很大程度上提高芯片生产效率和降低掩模数据存储量.精简标准单元库中单元的电气仿真结果表明其在面积、速度、功耗方面与传统标准单元库相比性能损失很小.     

非制冷红外焦平面阵列进展

非制冷红外成像技术已广泛应用于军事和民用领域,一直是人们关注的焦点之一,其核心部件是非制冷红外焦平面阵列(IRFPA:Infrared Focal Plane Array)。综述了几种具有代表性的非制冷IRFPA的探测原理、发展历史和现状。它们是:热敏电阻型、热释电型、热电堆型、二极管型、热-电容型非制冷IRFPA和应用光力学效应的非制冷IRFPA、基于法布里-珀罗微腔阵列的非制冷IRFPA。     

低噪声和高增益CMOS下变频混频器设计

设计并实现了一个用于GPS接收机射频前端的CMOS下变频混频器.基于对有源混频器的噪声机制的物理理解,电路中采用了噪声消除技术,以减少Gilbert型混频器中开关管的闪烁噪声,并引入一个额外的电感与开关对共源节点的寄生电容谐振,改善整个电路的噪声系数和转换增益等关键性能指标.电路采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺实现,SSB噪声系数为7 dB,电压转换增益为10.4 dB,输入1 dB压缩点为-22 dBm,且输入阻抗匹配良好,输入反射系数为-17.8 dB.全差分电路在2.5 V供电电压下的功耗为10 mW,可满足GPS接收机射频前端对低噪声、高增益的要求.     

基于新特征参数的雷达辐射源信号分选

雷达辐射源分选是电子战系统的关键技术之一。文章首先分析了基于脉冲重复间隔(PRI)的雷达辐射源分选算法的缺点,提出一种基于常规参数和相像系数(CW)相结合的新特征参数分选方法。通过计算机仿真验证了该方法,仿真结果表明新方法具有良好的分选效果。     

基于非功能特性的Parlay SCF 发现机制

为满足客户应用精确发现SCF（service capability feanlre）的需求，提出了一种基于SCF多个非功能特性来进行SCF发现的机制。该机制提出了SCF非功能特性的度量方法，将多目标决策方法用于基于多个非功能特性的SCF选择过程，并改进了Parlay的接口和流程以实现基于非功能特性的SCF发现机制。     

近场散射与远场RCS的链条关系式

与远场RCS比较,近场散射问题更复杂、更普遍,且有重要意义。近场散射与远场RCS之间的关系是近场散射研究中的前沿课题之一。本文首先引用三天线概念,其次利用天线耦合公式及电磁场的互易定理导出简洁的链条关系式。最后利用线性系统理论中的基本概念对链条关系式作物理意义的解释。链条关系式在目标特性研究、远场和近场散射测量等方面有重要意义。     

CDMA塔顶放大器工程设计和测试

文章结合塔顶放大器工程实际案例，通过链路平衡计算和测试验证，介绍了CDMA系统射频链路参数设计，可供移动通信工程技术人员参考。     

基于精简标准单元库的OPC复用技术

提出了一种对标准单元的光学邻近效应校正结果进行复用的方法,并通过将传统标准单元中的所有核心逻辑通过反相器和二选一多路选择器的组合来实现,得到了一套可制造性强的精简标准单元库,从而使OPC复用技术得以有效实施,并将在很大程度上提高芯片生产效率和降低掩模数据存储量.精简标准单元库中单元的电气仿真结果表明其在面积、速度、功耗方面与传统标准单元库相比性能损失很小.     

一种1GHz多频带压控振荡器的设计

基于3.3V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS体硅工艺,设计了一款1GHz多频带数模混合压控振荡器.采用环形振荡器加上数模转换器结构,控制流入压控振荡器的电流来调节压控振荡器的频率而实现频带切换.仿真结果表明,在1V～2V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为823.3MHz～1.061GHz,且压控振荡器的增益仅有36.6MHz/V,振荡频率为1.0612GHz时,频率偏差1MHz处的相位噪声为-96.35dBc/Hz,在获得较大频率调节范围的同时也能保持很低的增益,从而提高了压控振荡器的噪声性能.