首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   10306篇
  免费   493篇
  国内免费   370篇
电工技术   775篇
综合类   551篇
化学工业   1339篇
金属工艺   443篇
机械仪表   649篇
建筑科学   1435篇
矿业工程   593篇
能源动力   231篇
轻工业   1011篇
水利工程   538篇
石油天然气   436篇
武器工业   55篇
无线电   1043篇
一般工业技术   672篇
冶金工业   469篇
原子能技术   99篇
自动化技术   830篇
  2024年   65篇
  2023年   201篇
  2022年   311篇
  2021年   373篇
  2020年   286篇
  2019年   292篇
  2018年   230篇
  2017年   166篇
  2016年   203篇
  2015年   250篇
  2014年   429篇
  2013年   314篇
  2012年   375篇
  2011年   415篇
  2010年   369篇
  2009年   389篇
  2008年   358篇
  2007年   444篇
  2006年   388篇
  2005年   352篇
  2004年   327篇
  2003年   261篇
  2002年   205篇
  2001年   952篇
  2000年   641篇
  1999年   417篇
  1998年   195篇
  1997年   184篇
  1996年   182篇
  1995年   177篇
  1994年   172篇
  1993年   123篇
  1992年   135篇
  1991年   129篇
  1990年   145篇
  1989年   139篇
  1988年   73篇
  1987年   42篇
  1986年   41篇
  1985年   60篇
  1984年   50篇
  1983年   43篇
  1982年   42篇
  1981年   57篇
  1980年   39篇
  1979年   33篇
  1978年   19篇
  1977年   14篇
  1975年   8篇
  1974年   9篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器   总被引:2,自引:1,他引:2  
对自对准 In Ga P/ Ga As HBT单片集成跨阻放大器进行了研究 .采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用 Ga As腐蚀各向异性的特点来完成 BE金属自对准工艺 ,最终制作出的器件平均阈值电压为 1.15 V,单指管子电流增益为5 0 ,发射极面积 4μm× 14μm的单管在 IB=2 0 0μA和 VCE=2 V偏压条件下截止频率达到了 4 0 GHz.设计并制作了直接反馈和 CE- CC- CC两种单片集成跨阻放大器电路 ,测量得到的跨阻增益在 3d B带宽频率时分别为 5 0 .6 d BΩ和 4 5 .1d BΩ ,3d B带宽分别为 2 .7GHz和 2 .5 GHz,电路最小噪声系数分别为 2 .8d B和 3.2 d B.  相似文献   
82.
MOSFET模型&参数提取   总被引:5,自引:0,他引:5  
器件模型及参数作为工艺和设计之间的接口,对保证集成电路设计的投片成功具有决定意义。本文介绍了电路模拟中常用的几种MOSFET模型,并着重探讨了使用自动参数提取软件提取一套准确的模型参数的具体工作步骤。  相似文献   
83.
体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现   总被引:1,自引:1,他引:1  
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。  相似文献   
84.
介绍一个基于C/S结构的应用程序,使其能在局域网中实现服务器对网络中计算机内部网络化行为的管理与审计。  相似文献   
85.
在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.  相似文献   
86.
为了更好地进行版权保护,设计了一种基于图像置乱技术的数字图像水印算法。将经过Arnold变换的水印信号嵌入在宿主图像的LSB位平面上,提高了LSB算法的鲁棒性,保留了盲提取特点。算法通过水印信号扩展使其与宿主图像相匹配,保证了水印嵌入位置的安全性。仿真实验比较了有无Arnold变换的水印算法,结果表明使用Arnold置乱的水印算法抗噪声、剪切能力较好,说明在数字图像水印中应用图像置乱技术可以有效提高数字图像水印的性能。  相似文献   
87.
在研究基于样本块的图像修复算法的基础上,针对填充顺序不可靠、样本块模板窗口大小选取不当和修复效率低等缺点,提出了一种基于局部特性的图像修复算法。算法结合图像的局部梯度特性和局部相似性特征,通过对数据项增加补偿系数和加大其权重,保证图像的结构连通性;根据图像梯度信息,决定样本块模板窗口大小,减少错误衍生和块效应现象;利用置信度项值自适应选取局部搜索空间大小,提高修复效率,减少误匹配。实验结果表明,本文算法能很好地保持破损区域的纹理和结构特性。  相似文献   
88.
在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性.背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响.相比于源体紧密接触结构,低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小,这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启.还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型,其包含前栅沟道,背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻.  相似文献   
89.
中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置是一台用于材料、光谱、生物、医学等领域前沿研究的多功能用户装置,在实验室现有的太赫兹自由电子激光装置(CTFEL)基础上,拟新增两套2×9-cell超导加速单元和两台波荡器,将电子能量提升至最大50 MeV,输出频率覆盖范围拓展至0.1~125 THz,最大宏脉冲功率大于100 W。同时,采用跑道型束线设计,拟建设一台小型能量回收型直线加速器实验研究平台。本文主要介绍了中国工程物理研究院红外太赫兹自由电子激光装置的总体设计、工作模式以及用户实验站布局。  相似文献   
90.
基于块结构稀疏度的自适应图像修复算法   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
现有基于稀疏性的图像修复算法采用固定大小的待填充块和邻域一致性约束,且在全局搜索待填充块的最优匹配块,既降低了待修复区域的结构连贯性和纹理清晰性,又增加了算法的时间复杂度.针对上述问题,根据破损区域特性和块结构稀疏度间的关系,提出基于块结构稀疏度的自适应图像修复算法.根据最大优先权值点的块结构稀疏度值,设定不同参数以自适应选取待填充块大小、邻域一致性约束权重系数和局部搜索区域大小,并通过仿真实验分析讨论了各参数选取.实验结果表明本文算法较文献算法在峰值信噪比上提高0.3dB ~ 1.2dB,并且提高算法速度3~7倍.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号