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232.
网络通信维护的高代价不是一般企业能够承担得起的,因此发展了高可用集群技术.介绍了最常见的双节点高可用集群系统的原理及其双机热备份系统的状态机.目前在电信网管、计费、智能网、短消息的系统应用中,无一例外都使用了双机热备份的系统. 相似文献
233.
通过理论和实验研究了水声换能器用方形1-3-2型压电复合材料薄片的结构参数(陶瓷体积分数和外形尺寸)对其谐振性能的影响。利用压电方程和均匀场理论得到了1-3-2型压电复合材料的各项等效性能参数,分析了复合材料结构参数对谐振性能的影响。制备了陶瓷体积分数和外形尺寸不同的两组1-3-2型压电复合材料样品,测量得到复合材料谐振频率随陶瓷体积分数和外形尺寸的变化数据。结果表明,当1-3-2型复合材料中陶瓷基底的体积百分比小于30%,1-3复合材料部分中陶瓷柱体积分数在30%~80%,且复合材料总体厚宽比小于阈值(这个阈值随陶瓷体积分数变化)时,其厚度谐振性能较好。另外,将实验结果与理论计算进行了比较,两者符合较好,验证了理论公式的正确性。 相似文献
234.
针对分段电流舵数/模转换器(Digital-to-Analog Converter,DAC),通过理论分析和推导,研究电流源阵列系统失配误差和寄生效应对非线性的影响,采用电流源阵列QN旋转游走版图布局方案,能够减小电流源系统失配的一次误差,而且版图布线简单,由寄生效应引起的电流源失配较小,利于DAC非线性的优化.基于0.18μm CMOS,采用"6+4"的分段结构,设计了一种10位500MS/s分段电流舵DAC,流片测试结果表明,在输入频率为1.465MHz,采样速率为500MS/s的条件下,无杂散动态范围(Spurious Free Dynamic Range,SFDR)为64.9dB,有效位数(Effective Number of Bits,ENOB)为8.8 bit,微分非线性误差(Differential Non-linearity,DNL)和积分非线性误差(Integral Non-linearity,INL)分别为0.77LSB和1.12LSB. 相似文献
235.
为提高三相逆变器的转换效率,提出了一种新型三相谐振极软开关逆变器拓扑结构,通过在每相桥臂上增加结构简单的辅助电路,实现了主开关的零电压软开通和零电流软关断.逆变器主开关采用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)或者绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)时,都能实现无损耗切换,解决了MOSFET内部结电容造成的容性开通损耗问题和IGBT拖尾电流造成的关断损耗问题.分析了电路的工作过程,实验结果表明开关器件完成了软切换.因此,该拓扑结构对于提高逆变器的性能具有重要意义. 相似文献
236.
采用ACRT-B法生长了四元稀磁半导体化合物Mn0.1dCd0.9In2dTe4晶体。采用扫描电镜、X射线衍射仪、ISIS能谱仪、Leica定量金相分析仪以及傅里叶变换红外光谱仪研究了晶体中相的结构,形貌、成分及晶片的红外透射光谱。发现晶体生长初始端由于溶质再分配而引起成分偏离配料比,结果出现三种相:α相、β相和β1相,其中α相和β相是在晶体生长过程中形成的,随温度降低,从α相中又析出β1相,当晶体生长到稳定段,完全形成β相,Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体从生长初始端到接近稳态区,β1相内规则排列状向不规则排列的近似圆片状发展。禁带宽度为1.2eV的Mn0.1Cd0.9In2Te4在10000~4000cm^-1的近红外波数范围内,其透过率最高达83%,在4000~5000cm^-1的中红外波数范围内透过率为59%~65%。 相似文献
237.
业界对小灵通的争论从来就没有停止过。也许是受制于日本对PHS无线通信技术发展波折的其进一步发展。但另一方面,经营固定网的主导电信公司最近几年在我国电信业重组历程中始终处于非常尴尬的位置,移动业务被禁止发展,而固定网业务的发展却全面放缓,有的地区已经出现负增长。再,在20世纪后半叶业界大肆炒作的数据或宽带业务也远没有获得人们的预期,给人的直接感觉似乎这是一个“无底洞”,需要不断增加投入,以维持和跟进新技术、新业务的不断发展,但效益微乎其微。在这一特定时代背景下,小灵通在我国应运而生,自1997年底在浙江余杭地区试验,如今已遍布全国,覆盖250个城市。无论如何,小灵通在我国已经取得了长足的发展,并已达到相当规模。那么,在未来2-3年内,小灵通应该何去何从?业界对此可谓是仁见仁,智见智。通过调研,并结合我国电信业的未来发展及我国政策取向和电信运营商的自身发展,我们认为…… 相似文献
238.
超大规模集成电路特征尺寸逐步缩小的发展过程中,芯片面积是制约芯片成本的最重要因素之一,也是直接影响半导体产品市场竞争力的最重要因素之一。本文介绍了将所有可测性设计(DFT)的输入输出端口(IO)与各种类型的正常功能工作模式的IO复用的方法,从而达到减少IO并最终减小芯片面积的目的。介绍了输入信号和输出信号分别在单向端口IO和双向端口IO中复用的方法。然后,以一款经过0.18μm逻辑工艺流片验证的flash存储器控制芯片为例,对比了采用IO复用方法前后芯片的利用率和面积,证明了方案的可行性和有效性。 相似文献
239.
在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相.采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量.实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除大颗粒(>5 (m)的Cd沉积相,改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)和腐蚀坑密度(EPD).在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能. 相似文献
240.