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P型氮化镓退火及发光二极管研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长的p型氮化镓(p-GaN)在氮气气氛下的热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能;对一组蓝光LEDs分别进行不同退火温度、退火时间实验,对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究。实验表明p-GaN在825°C、8min条件下退火可以取得较高的空穴浓度,而LED在750°C、30min退火可以使量子阱的半高宽展宽较小,积分强度降低百分比小,而且LED芯片正向电压也较小。 相似文献
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0 引言
城市燃气是城市能源供应的重要组成部分,而城市燃气管网是输配系统的主要组成部分.随着社会进步和人民生活水平的提高,城市燃气事业取得了长足发展.为了保障燃气供给,确保燃气管网的安全运行,更好地服务于社会,国家制订了相应的行业标准,强制规定了城镇燃气埋地钢质管道必须采用防腐层进行外保护,新建燃气管道必须采用防腐层并辅以阴极保护的腐蚀控制技术,并规定了仅有防腐层保护的高压、次高压和公称直径大于或等于150mm的中压在役管道应逐步追加阴极保护系统.…… 相似文献
53.
54.
提出了一种边缘结点时延特性分析模型,将边缘结点时延分为组装时延、突发排队时延和偏置时延;在分析光突发交换汇聚机制的基础上指出组装时延对时延特性影响最大;从理论上分析了三种不同组装算法的组装时延,并通过仿真验证了理论分析的正确性;利用仿真研究了在Possion和自相似业务输入下边缘结点的时延特性。分析和仿真结果表明,边缘结点时延特性主要由组装时延决定,与所选取的组装算法和算法参数有密切关系,并且爱输入业务自相似性的影响。 相似文献
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56.
大塘畲地区的铀矿化主要赋存在上白垩统叶塘组上段e层晶屑凝灰岩以及喷出岩集块熔岩、球粒流纹岩中,受岩石裂隙及层间破碎带控制;区内铀矿体形态较简单,呈似层状.文章论述了大塘畲地区铀矿的地质背景、地质特征以及控矿因素,对找矿前景进行了分析. 相似文献
57.
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。 相似文献
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