如何培养小学生信息技术课的爱好

十年前,邓小平同志指出,计算机要从娃娃抓起.这是为了适应科学技术现代化日新月异的发展所作的具有战略意义的决策.十年来,随着改革开放的深入和经济建设的发展,在我国,计算机已逐渐从科研单位的金字塔尖走向社会、学校、家庭,操作也由成人推广到小学生,并且形成了一股学习计算机、使用计算机的热潮.小学的计算机教学还没有一定的模式可循,无论是小学各阶段的教学内容、教学方法,还是这门课的教学形式,都需要我们教师在教学中不断摸索.     

建筑房屋剪力墙结构设计探讨

随着经济和社会的发展,高层建筑逐渐成为现代建筑的发展趋势。本文主要对剪力墙墙肢的分类和结构布置、墙肢的长度和厚度选取、边缘构件的设置及连梁设计进行了探讨。     

带式过滤机在黄金湿法冶金中的应用

烟台市招远黄金冶炼厂首次将25米~2水平带式过滤机应用在黄金冶炼行业中,解决了黄金冶炼的重大技术难题,因此只有重要的技术和经济意义。我厂工艺流程:含金精矿经回转窑干燥后,送沸腾焙烧炉焙烧,焙砂经酸浸、盐浸、氰化浸出、锌粉置换得金泥,送炼金炉吹炼,然后电解,电解成品为99.9%金锭及银锭。沸腾炉产出的含SO_2烟气制93%或98%硫酸。     

火法还原熔炼废铅蓄电池的收尘装置

我国已广泛采用反射炉还原熔炼废铅蓄电池,由于废铅蓄电池中含有25%的硫酸铅,使还原温度高达1208℃。反射炉烟气中主要成分是氧化铅和煤尘等,氧化铅尘的粒径一般在     

PLD生长的ZnO薄膜的微结构及其发光特性研究

在不同的衬底温度下，通过脉冲激光淀积（PLD）方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射（XRD）和广延X射线吸收精细结构（EXAFS）来表征，而表面成份和化学态则通过X射线光电子能谱来研究。利用光致发光（PL）来研究样品的发光特性。XRD结果和EXAFS结果都表明了500℃时生长的ZnO薄膜的结晶性比300℃时生长的要好。EXAFS结果和XPS结果显示，300℃时生长的ZnO薄膜处于富氧状态，而500℃时生长的则处于缺氧状态。结合XRD谱、EXAFS谱、XPS谱和PL谱的结果可以看到：随着ZnO薄膜的结晶性变好，它的紫外发光增强；另一方面，随着ZnO薄膜中O的含量减少，绿光发射变强。我们的结果表明绿光发射与ZnO中氧空位（V0）有关。     

衬底温度对Al2O3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响

采用固源分子束外延技术,以α-Al2O3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6H-SiC薄膜.利用反射式高能电子衍射,原子力显微镜、X射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了表征.结果表明:在衬底温度为1100℃时生长的薄膜质量较好,在较低温度(1000℃)和较高温度(1200℃)条件下生长的薄膜质量较差.同时发...     

蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响

采用固源分子束外延（SSMBE）生长技术,用不同的蒸发速率,在Si（111）衬底上生长SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究。结果表明,在优化的蒸发速率（1.0 nm·min^-1）下,所生长的薄膜质量最好。低的蒸发速率（0.25 nm·min^-1）难以抑制孔洞的形成,衬底的Si原子可通过这些孔洞扩散到样品表面,导致结晶质量变差。在高的蒸发速率（1.8 nm·min^-1）下,以岛状方式生长甚至以团簇聚集,表面的原子难以迁移到最佳取向的平衡位置,导致样品表面粗糙度变大,薄膜的结晶质量变差,甚至出现多晶。     

超音速微粒轰击0Crl8Ni9钢表面纳米化的研究

采用超音速微粒轰击(SFPB)技术对0Cr18Ni9钢进行表面纳米化;利用金相显微镜(OM)、X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)研究表层的组织结构变化,并进行了显微硬度测试分析.结果表明,经SFPB处理后,形成了约30 μm厚的纳米层.样品表层发生应变诱导马氏体相变;孪晶形变是0Cr18Ni9钢表面纳米化过程的主要变形方式;表面纳米化是晶粒细化与马氏体相变共同作用的结果,与基体相比,SFPB处理后材料的表层硬度显著提高.     

3C-SiC/Si(111)的掠入射X射线衍射研究

在衬底温度为1000℃条件下, 利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜. RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC, 并与衬底的取向基本一致. 采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研究了SiC薄膜内的应变和晶体质量. 常规衍射的联动扫描曲线得到薄膜处于双轴张应变状态. 3C-SiC薄膜和Si衬底的晶格失配和热膨胀系数失配是导致双轴张应变的原因. 根据不同角度的掠入射衍射Phi扫描的摇摆曲线结果, 发现薄膜晶体质量在远离SiC/Si界面区变好. 这是由于SiC薄膜中的缺陷随着远离界面逐渐减少的原因. GID和XRD的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的倾斜大于扭转, 表明SiC薄膜在面内的晶格排列要比垂直方向更加有序.     

松软岩(煤)巷锚喷支护结构的改进

文章介绍了为适应高地压、松软围岩条件而采用锚背支护和锚背联合支护的经验,及对这些支护结构的理论分析。