火法还原熔炼废铅蓄电池的收尘装置

我国已广泛采用反射炉还原熔炼废铅蓄电池,由于废铅蓄电池中含有25%的硫酸铅,使还原温度高达1208℃。反射炉烟气中主要成分是氧化铅和煤尘等,氧化铅尘的粒径一般在     

PLD生长的ZnO薄膜的微结构及其发光特性研究

在不同的衬底温度下，通过脉冲激光淀积（PLD）方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜。ZnO薄膜的结构分别通过X射线衍射（XRD）和广延X射线吸收精细结构（EXAFS）来表征，而表面成份和化学态则通过X射线光电子能谱来研究。利用光致发光（PL）来研究样品的发光特性。XRD结果和EXAFS结果都表明了500℃时生长的ZnO薄膜的结晶性比300℃时生长的要好。EXAFS结果和XPS结果显示，300℃时生长的ZnO薄膜处于富氧状态，而500℃时生长的则处于缺氧状态。结合XRD谱、EXAFS谱、XPS谱和PL谱的结果可以看到：随着ZnO薄膜的结晶性变好，它的紫外发光增强；另一方面，随着ZnO薄膜中O的含量减少，绿光发射变强。我们的结果表明绿光发射与ZnO中氧空位（V0）有关。     

衬底温度对Al2O3(0001)表面外延6H-SiC薄膜的影响

采用固源分子束外延技术,以α-Al2O3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6H-SiC薄膜.利用反射式高能电子衍射,原子力显微镜、X射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进行了表征.结果表明:在衬底温度为1100℃时生长的薄膜质量较好,在较低温度(1000℃)和较高温度(1200℃)条件下生长的薄膜质量较差.同时发...     

蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响

采用固源分子束外延（SSMBE）生长技术,用不同的蒸发速率,在Si（111）衬底上生长SiC薄膜。利用反射式高能电子衍射（RHEED）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究。结果表明,在优化的蒸发速率（1.0 nm·min^-1）下,所生长的薄膜质量最好。低的蒸发速率（0.25 nm·min^-1）难以抑制孔洞的形成,衬底的Si原子可通过这些孔洞扩散到样品表面,导致结晶质量变差。在高的蒸发速率（1.8 nm·min^-1）下,以岛状方式生长甚至以团簇聚集,表面的原子难以迁移到最佳取向的平衡位置,导致样品表面粗糙度变大,薄膜的结晶质量变差,甚至出现多晶。     

超音速微粒轰击0Crl8Ni9钢表面纳米化的研究

采用超音速微粒轰击(SFPB)技术对0Cr18Ni9钢进行表面纳米化;利用金相显微镜(OM)、X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)研究表层的组织结构变化,并进行了显微硬度测试分析.结果表明,经SFPB处理后,形成了约30 μm厚的纳米层.样品表层发生应变诱导马氏体相变;孪晶形变是0Cr18Ni9钢表面纳米化过程的主要变形方式;表面纳米化是晶粒细化与马氏体相变共同作用的结果,与基体相比,SFPB处理后材料的表层硬度显著提高.     

3C-SiC/Si(111)的掠入射X射线衍射研究

在衬底温度为1000℃条件下, 利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜. RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC, 并与衬底的取向基本一致. 采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研究了SiC薄膜内的应变和晶体质量. 常规衍射的联动扫描曲线得到薄膜处于双轴张应变状态. 3C-SiC薄膜和Si衬底的晶格失配和热膨胀系数失配是导致双轴张应变的原因. 根据不同角度的掠入射衍射Phi扫描的摇摆曲线结果, 发现薄膜晶体质量在远离SiC/Si界面区变好. 这是由于SiC薄膜中的缺陷随着远离界面逐渐减少的原因. GID和XRD的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的倾斜大于扭转, 表明SiC薄膜在面内的晶格排列要比垂直方向更加有序.     

松软岩(煤)巷锚喷支护结构的改进

文章介绍了为适应高地压、松软围岩条件而采用锚背支护和锚背联合支护的经验,及对这些支护结构的理论分析。     

提高带式过滤机脱水和洗涤效果的途径

用带式过滤机取代了传统的低效率固液分离设备。在使用中逐步改进了滤布、缝接方式、分布板、刮刀以及操作制度等。