DPON技术在配电网中的应用

针对中国电网通信系统的现状结构、通信系统对电网的需求进行分析和研究,提出了DPON技术在电网通信系统中的应用。通过分析DPON的技术原理和传输特点,得出DPON具有网成本低、易于维护、安全性高的特点,结合电力通信网的现状和结构,提出了电力通信网络保护应用、组网方案及其可行性,以更好地实现电网的高信息化、共享和互动化。     

一种新颖的微带馈电椭圆缝隙超宽带天线研究

研制了一种具有扇形终端的微带线馈电椭圆缝隙超宽带天线,利用仿真软件分析了椭圆结构和扇形结构尺寸对天线性能的影响,对天线的结构参数进行了优化。实测天线的阻抗带宽为3.8~9.2 GHz,在整个带宽上基本呈现全向性,并且具有较稳定的增益,约为5 dBi。该天线可广泛用于通信、军事等领域。     

电网故障时双馈风力发电机励磁改进控制策略

双馈风力发电机（DFIG）在风能捕获过程中,传统的定子磁链定向控制都假定电网上的电压恒定不变,定子磁链也恒定不变,没有考虑定子励磁电流的动态响应过程,这个误差在电网故障时会对系统产生极不稳定的作用。为此应考虑该响应过程,对控制檳型进行修正,提出一种应对电网电压跌落时的励磁改迸策略,即在建立转子侧变换器控制模型时,把反映励磁电流过渡过程的定子电压变化量考虑进来。通过推导定子磁场定向下的转子电压方程,搭建定子磁链定向矢量控制模型,经过仿真结果比较,说明在加入励磁补偿电压项后,风电系统在应对电网电压故障时的电流控制性能得到明显改善,有效提升了系统的低电压穿越能力。     

分组密码中MDS矩阵的实现方法效能分析

MDS矩阵具有良好的扩散特性,是设计分组密码扩散结构的一种重要手段,并且扩散结构的实现性能将直接影响分组密码的实现性能.文中首先介绍MDS矩阵及其特性,然后以AES中使用的MDS矩阵为例,对MDS矩阵的4种常用实现方法编程实现,并进行定量的效能分析,找到不同应用环境中最优实现方法,对MDS矩阵在其他分组密码算法中的应用具有一定的参考价值.     

关于未来智慧城市前景的思考

尼尔斯·波尔曾说：“预测总是非常困难,特别是对长远的未来预测难上加难。”2008年我曾发表一篇题为《当传感器与制动器网络覆盖世界》的文章,曾预言一个遍布传感器与制动器的世界即将实现。如今随着各种设备的普及,这个预言正在快速实现。五年后的今天,我想再做一次预言,而这一次是关于未来的智慧城市的。     

针对军用自组网环境下的路由协议（MMAR）设计

Ad Hoc网络目前的主要应用领域仍然是军事方面.文中针对战场环境中装甲部队这一特殊移动自组网的运动特性及移动终端配置等特点,参考目前较为完善的AODV、DSR路由协议,提出了适用于装甲车自组网的路由协议MMAR(military mobile ad hoc network routing protocol),通过OPNET仿真表明:相对于军用移动环境,该协议比AODV、DSR能更有效地减少路由负载,并能显著提高端到端时延、相对路由开销和平均投递率等性能.     

Optical properties of Eu3＋, Dy3＋ co-doped ZnO nanocrystals

ZnO nanocrystals doped with trivalent europium ions （Eu3＋） and dysprosium ions （Dy3＋） were synthesized by the pre- cipitation method. The structural and optical properties of the samples are investigated by the X-ray diffraction （XRD） and photoluminescence （PL）. The results show that rare earth ions are incorporated into the lattice of ZnO, and the combination of blue, green and red emissions can be obtained. Specially, the emission can be obtained even under the nonresonant excitation of 320 nm, which is explained based on the energy transfer. The concentration quenching mechanism is also presented in this paper.     

面向装备PHM系统验证的故障模拟方法研究

本文提出了一种故障信号模拟方法,首先以FPGA为平台进行信号模拟设计,通过数据回放与DDS信号发生器两种方法模拟传感器采集到的信号。其次研究了总线故障注入技术,针对模拟出的信号进行总线故障注入。最后通过上位机软件指令实现故障注入、时间监控故障过程等。     

3200V双p阱终端VDMOS击穿特性仿真研究

基于场限环终端技术理论,提出了一种具有双p阱结构的垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)。通过数值模拟软件分别仿真了p阱各项参数和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系,提取器件击穿时的表面电场并分析其击穿机理。研究结果表明,当漂移区掺杂浓度一定时,击穿电压随p阱数量和结深的增大而增大,随p阱掺杂浓度的增大而先增大后减小;当p阱参数一定时,击穿电压随漂移区掺杂浓度的增大而先增大后减小。经优化器件各项参数,击穿电压(V_B)达到3 200 V,与传统平面栅型VDMOS相比提升了305%,终端有效长度仅为26μm,表面电场最大值为1.21×10⁶ V/cm,且分布相对均匀,终端稳定性和可靠性高。