基于Siwave和ADS的高频仿真

摘要：随着光刻技术的发展,以及封装技术的提高,硅片的集成度越来越高,现在的工艺也允许在100纳米级的硅片上集成上亿的晶体管;随着工作频率的提高,电磁波长也与器件的尺寸相比拟,传统的基尔霍夫定律不再适用,反射及串扰开始影响信号的质量;随着电压幅度的降低,电流的增大,电源配送网络稳定性设计变得更加复杂。这样为了给晶体管提供一个干净的电源或信号,传递信号及电源的网络的完整性分析将变得至关重要。本文通过siwave和ADS 的集合对网络进行电源完整性及信号完整性仿真,优化电路板,缩短开发周期节约成本。     

静电感应晶闸管的负阻转折特性

针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后Ⅰ-Ⅴ特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.     

LiF作电子注入缓冲层对有机电致发光器件电容的影响

已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度。文章主要对OLEDs(A):Al/Alq3/ITO和(B):Al/LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72500pF减小到12500pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能。     

9位100 MSPS流水线结构A/D转换器的设计

提出一种采用三级流水线型结构的9位100 MSPS折叠式A/D转换器,具体分析了其内部结构。电路使用0.6 μm Bipolar工艺实现, 由5 V/3.3 V双电源供电, 经优化设计后, 实现了9位精度,100 MSPS的转换速度,功耗为650 mW,差分输入范围2.2 V。给出了在Cadence Spectre的仿真结果,讨论了流水线A/D转换器设计的关键问题。     

硅/硅直接键合的界面应力

硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数不同引起的热应力和由于界面的本征氧化层或与二氧化硅键合时二氧化硅发生粘滞流动引起的粘滞应力。另外,键合界面的气泡、微粒和带图形的硅片键合都会引入附加的应力。     

(Li,Mg):ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性表征

利用溶胶-凝胶旋涂制膜方法制备了具有良好表面形貌及c轴择优取向性的(Li,Mg):ZnO薄膜.重点研究了该法制膜时不同膜厚(Li,Mg):ZnO薄膜的结构及光学性质.扫描电子显微镜(SEM)图像及X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明随着膜厚的增加,薄膜晶粒尺寸逐渐增大,薄膜的晶化程度及c轴择优取向性增强.但薄膜厚度的增加是有一定范围的,当薄膜厚度过大时,薄膜均匀性、致密性及c轴择优取向性显著下降.样品的荧光光致发光(PL)谱表明,Mg的掺入使近紫外发光峰出现了蓝移,恰当膜厚的(Li,Mg):ZnO薄膜发光特性主要以深能级发射(DLE)为主,蓝绿发光峰强度很高.     

用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2.实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低     

Dvorak—Boublik型汽液平衡釜的改进及其标定

一、引言目前,汽液平衡数据的获得虽然有许多半经验的公式可以应用,但大多数都需要用实验数据回归必要的参数。因此建立一套好的汽液平衡测量装置对于开发石油化工工业,为化工基础设计提供宝贵的数据是十分必要的。我们的工作是结合目前国内生产的     

具有混合I- V特性的静电感应晶体管的电性能

研究了具有混合型I- V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I- V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I- V特性的静电感应晶体管有实用价值.