吉林:转变观念不断创新开创农村水电工作新局面

几年来,在水利部的大力支持和省水利厅的领导下,吉林农村水电工作取得了很大成绩,农村水电发展迅速. 目前,全省农村水电总装机容量达到45.098万千瓦,年发电量为11.6亿千瓦时;在建规模达27.64万千瓦,年设计发电量为7.64亿千瓦时;水利系统管理的6个县(市)的农村水电供电区,高、低压线路达10304公里,变、配电容量873750千伏安,户通电率达到100%,供电质量大幅提高.农村水电对解决山区群众用电、改善农村生产生活条件、保护生态环境、促进地方经济社会发展发挥了重要作用.     

GaAs(110)量子阱材料生长和光学特性

GaAs (110)衬底上生长GaAs外延层时,不同生长条件下存在单层和双层两种生长模式,对应反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡呈现出单双周期的变化。通过透射电子显微镜(TEM)、室温和低温光荧光谱(PL谱)对两种生长模式下的样品进行了测量。结果表明,量子阱样品在双层生长模式下光学性能较差,单层生长模式下光学性能比较好,但是量子阱界面会变得粗糙。利用这一特点,采用RHEED强度振荡技术,能够实现在GaAs(110)衬底上生长高质量量子阱。     

东北地区水力发电学会小水电专业委员会第十二届学术会议论文专辑/吉林省水能资源纳入法制化管理相关问题的思考和探讨

本期刊载的是东北地区水力发电学会小水电专业委员会第十二届学术会议论文专辑。 东北地区水力发电学会小水电专业委员会成立于1990年，由东三省农村水电主管部门轮流坐庄召开学术会议。至今已举办了12届学术会议，参加人员涵盖东三省水利厅、水电局（中心）；省市县设计院（室）；市县水利局；水电站（厂）。累计近800人参加会议，600篇学术文章与会交流。会议主题有：水能资源开发管理问题的研究与探讨；     

高电源抑制比低噪声带隙基准电压源的设计

基于带隙基准原理,通过优化电路结构和采用BiCMOS技术,提出一种精度高、噪声小的带隙基准源电路。利用具有高开环增益的折叠式共源共栅放大器,提高了低频电压抑制比;应用低跨导PMOS对管及电路输出端低通滤波器,实现了更低的噪声输出;合理的版图设计减小了失调电压带来的影响。Hspice仿真结果表明,在3V电源电压下,输出基准电压为1.2182mV,温度系数为1.257×10-5/℃;频率从103～105 Hz变化时,输出噪声最大值的变化量小于5μV。流片测试结果表明,该基准源输出基准电压的电源抑制比高,温度系数小,噪声与功耗低。     

磷注入4H-SiC（0001）的欧姆接触特性

摘要: 研究了不同剂量的磷注入4H–SiC层经高温退火处理后的电学特性。通过在1650 ?C 退火30分钟激活了注入的磷离子。TLM及Hall法测试的结果表明,尽管随着磷注入浓度的增加而产生的位错环使得Ni/SiC界面处势垒增高,仍形成了良好的镍欧姆接触,表面接触电阻率为1.30?10-6Ω.cm2。磷注入层电阻率随着磷掺杂浓度的升高而减小。通过对不同注入剂量下电子浓度随温度的变化曲线进行测试,结果表明在200–500K的温度范围内,磷注入层的电子浓度与温度基本无关。     

农村水电增效扩容改造有关问题的探讨

农村水电是我国农村经济社会发展的重要基础设施,是生态环境建设和环境保护的重要手段。改革开放以来,吉林省农村水电事业蓬勃发展,目前已建成小水电站241座,装机容量55．749万kW,年发电量16．8亿kW·h;农村水电在解决农村用电、促进农村经济社会发展、保护生态环境和节能减排等方面都发挥了重要作用。     

武氏祠汉画像石布局对美术构图教学的启示

现代美术教学中以西方绘画构图框架为基础,为了把中国传统绘画布局的美融入其美术构图教学中,对武氏祠汉画像石画面诸种形象的艺术铺排进行探究,展示了一种艺术思想和艺术构思的链接的形式,其布局的繁密均衡、透视组合、分层安排、对称呼应相融相彰,共同形成了汉画像石丰厚美学价值的一部分。为美术构图提供了内容丰富的研究图鉴,给教学以启示。     

热处理行业如何做到可持续发展？

2006年7月15日，第十五届华东六省一市热处理学术年会（简称华东热处理年会）将在风景秀丽的旅游胜地黄山拉开序幕，会期3天。此次会议恰逢华东热处理年会召开30周年，为此主办单位将在会议期间开展各种形式的纪念活动。另外，还将邀请有关行业知名专家学者就当前行业热点话题进行深入探讨。     

关于塑封VDMOS器件热点的研究

功率VDMOS器件作为新一代高压大电流功率器件兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,广泛应用于各个领域。由于功率VDMOS的工作条件恶劣,在高温大电压的应用环境下失效概率较大。在所有的失效机制中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高压脉冲,致使器件芯片烧坏失效。表现出的是在芯片某处产生一明显的烧穿点即所谓的"热点"。这里主要介绍了塑封VDMOS器件进行单雪崩能量测试过程和实际应用中不良品产生热点的原因,从二次击穿的角度对其进行理论解释并提出一些改进措施。     

10A/600V大功率硅基JBS肖特基二极管的制备

为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足,采用栅条P+-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管(JBS),终端结构由7道场限环和1道切断环构成。通过模拟确定最优参数后流片试验,同步制备肖特基二极管(SBD)和Pi N二极管作为对比。结果表明:制备的JBS二极管兼备SBD二极管正偏和Pi N二极管反偏的优点。在漏电流密度小于1×10-5A/cm2时,反向耐压达到600 V;正向电流10 A(80.6 A/cm2)时,导通压降仅为1.1V。