MSQ脱石充催化剂中水杨酸的作用

MSQ 脱硫催化剂,即硫酸锰—水杨酸—对苯二酚混合脱硫催化剂,从1978年开始用于生产以来,由于再生效率高、付反应小、成本低等优点,已在全国小型合成氨厂广泛推广使用,取得了显著效果。在小型合成氨厂,MSQ 脱硫催化剂用来代替对苯二酚;在中型合成氨厂,MSQ 脱硫催化剂用来代替蒽醌二磺酸钠(ADA)和酒石酸钾钠。由于水杨     

新建混凝土路面断板的原因分析

文章主要分析了夏季施工水泥混凝土路面断板产生的原因,并提出应注意的问题和出现问题后的处理措施。     

MSQ脱硫催化剂简介

MSQ脱硫催化剂,即硫酸锰—水杨酸—对苯二酚混合催化剂,实际上是锰的水杨酸络合物(由硫酸锰和水杨酸混合生成)和对苯二酚二个脱硫催化剂的组合。我们于一九七六年发现锰的水杨酸络合物在湿法脱硫中有催化作用。以后对锰的水杨酸络合物及其与对苯二酚的混合物的脱硫催化性能又进行了系统试验研究。     

中温相变蓄热装置的蓄放热性能研究

以相变温度为80℃的相变蓄热装置为研究对象,根据建立的相变传热分析模型,应用数值模拟的方法,研究了蓄热体——相变材料的热物性参数、几何尺寸、填充率,以及热媒体——热水的流速等因素对蓄热装置蓄、放热规律及其特性的影响．研究结果表明,当板状定形相变材料的导热系数在0．4W/(m·K)左右、板厚为8 mm、相变材料的填充率在65%～75%、热媒体流速为5～8mm/s时,蓄热装置可获得较高的蓄、放热效率．     

高温工作InAlSb的MBE生长及器件性能研究

接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In1-xAlxSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In1-xAlxSb薄膜的Al组分进行了调控和检测。5.3 μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9%。10 μm×10 μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm。制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础。     

Σ-ΔA/DC频谱补偿的研究

Σ -ΔA/DC的数字滤波通常使用SINC3滤波器 ,该滤波器通带内带宽很窄 ,对于较高频率的信号衰减过大 ,严重限制Σ -ΔA/DC的应用。本文研究两种频谱补偿的方法 ,以改善Σ -ΔA/DC带宽 ,并以心电信号为例给出频谱补偿后的结果     

一种自动分类的网页搜索排序算法

针对传统网页排序算法Okapi BM25通常会出现网页与查询关键词领域无关的领域漂移现象,以及改进算法需要人工建立领域向量的问题,提出了一种基于BM25和Softmax回归分类模型的网页搜索排序算法。该方法首先对网页文本进行数据预处理并利用词袋模型进行网页文本的向量表示,之后通过少量的网页数据来训练Softmax回归分类模型,来预测测试网页数据的类别分数,并与BM25信息检索的分数结合在一起,得到最终的网页排序结果。实验结果显示该检索算法无须人工建立领域向量,即可达到很好的网页排序结果。     

电学性能不反常的本征GaAs基InSb异质外延研究

采用三步工艺进行了GaAs基InSb的异质外延生长并结合实验数据和文献资料研究了生长温度和速率、InSb层的厚度、低温缓冲层质量和双In源工艺对材料Hall电学性能等的影响。发现温度和生长速率对室温载流子迁移率和本征载流子浓度影响不太大;晶体XRD FWHM随膜厚的增加而逐渐地减小;低温缓冲层的界面质量和厚度对表面形貌具有一定的影响,低温缓冲层的界面厚度不应小于30 nm,ALE低温缓冲层的方法可以降低局部表面粗糙度;实验发现在优化的工艺参数基础上采用双In源生长工艺可以生长出电学性能不发生反常的理想本征InSb异质外延薄膜材料。获得2μm厚GaAs基InSb层在300 K和77 K的Hall迁移率分别为3.6546×104 cm^2 V^-1 s^-1和7.9453×104 cm^2 V^-1 s^-1,本征载流子迁移率和电子浓度随温度的变化符合理论公式的预期。     

基于MBE替代硅衬底的材料综述

主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底。本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向。