化合物半导体发光在工业上的应用

本文论述了近年来化合物半导体发光材料与器件工业生产和研究开发的现状及展望。Ⅲ-Ⅴ族材料中的红、绿、橙、黄可见光及近红外0.85～1.7μm波段从材料到器件已进行工业规模生产,日本仅可见光发光二极管管芯年产量为50亿支以上,近年来我国每年要花约300万美元进口,可见光LED管芯。文中讨论了可见光发光二极管国产化的关键问题。据推算1988年世界化合物半导体产量约40吨左右。Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族及其多元系列材料正在研究和开发中,文中予测了未来可能形成实际应用的某些发光材料以及当前各波段的发展趋势。     

建设节水型社会 实现可持续发展——为迎接第九届“世界水日”和第十四届“中国水周”而作

面对山西水资源紧缺的严峻形势，提出把水利作为经济社会发展的战略重点，节约、保持与合理利用水资源，更充分地利用雨水资源等几条出路。     

化合物半导体材料的现状与展望

综述了化合物半导体研究与生产的现状,最新进展及今后的展望。日本1990年化合物半导体材料销售额为235亿日元。3T-LEC法在增大单晶的长度和提高单晶质量方面已取得显著进展,直径为76mm、长30cm、重10kg的SI-GaAs单晶国外已投入批量生产。近年来,除HP-LEC法外,人们正在探索其它生长方法,如VGF(垂直梯度凝固)法、VCZ(气氛控制直拉)法和VHB(垂直布里支曼)法等等,并已取得重要进展。本文还介绍了近年来在应用方面,如HEMT、HBT、GaAs IC、可见光LD、蓝色LED等领域的最新进展。在上述内容基础上展望了化合物半导体材料今后的发展方向。     

GaAs和GaP单晶的生产与应用

简术了ＧａＡｓ，ＧａＰ单晶材料近年来的生产与发展，国外生产厂家，品种和规模，以及目前单晶材料在发光领域内应用的现状和发展预测。     

InAs(1-y)P_y固溶体的制备和应用

采用LEC方法,以In As和InP多晶为原料,研制出Y=0.17-0.21的InAs_(1-y)P_y固溶体。在室温时材料的载流子浓度为2～9×10~(16)/厘米~3,电子迁移率大于1×10~4厘米~2/伏秒。实验证明:选择适当小的生长速度并轻掺碲,对提高材料质量和元件性能是重要的。用该材料研制的YH-1型霍尔元件,其主要参数均达到实用要求。     

螺杆压缩机转子损坏修复后的运行

本文以螺杆压缩机阴阳转子损坏,经过修复后,对其运行状态及存在的问题加以分析,并提出有效的安全防范措施。     

水中填土筑高壩的经验

水中填土筑壩的方法,自一九五八年已在山西省开始推广了。这种筑壩方法,在苏联已經积累了很丰富的經驗,并且制定了水中填土壩的設計、施工規范。但是規范的使用范圍仅限于低于二十五米高度的土壩。水中填土能不能筑高壩?水中填土筑高壩在技术理論上有什么問題?如何控制質量?是否經济?等等問題,还沒有完全得到解决。     

缅怀郭文秀同志

1993年5月30日,郭文秀同志不幸离我们而去了。对于他的去世,我感到十分悲痛。在他去世前夕,他有许多话曾想和我说。特别是与刘开基同志在水利战线上共同战斗的年代里有很多动人的事迹想托我回忆出来。由于他体力过弱,此志未遂便过快地与世长辞,真使他遗憾终身。现在,只能将我原知道的一些事情和我亲身的感受写成文字来缅怀文秀同志,寄托我们的哀思。     

超高速大规模集成电路用SI-GaAs材料的现状及展望

一、前言 由于现代信息工业发展的需要,现有计算机工作速度在某些领域已不能满足需求。因此七十年代后半期国外在探索超高速器件方面进行了大量的研究,取得令人注目的发展。从材料角度看,主要研究方向有:(1)超导材料在高速器件中的应用; (2)改进现有硅集成电路的设计; (3)化合物半导