谐振腔本征值问题的多极理论分析

本文给出用多极理论分析谐振腔本征值问题,以及用多极理论分析谐振腔本征值问题的使用规则。通过数学分析,导出用多极理论分析谐振腔本征值问题的计算公式。实例计算结果表明：用多极理论分析谐振腔本征值问题不仅具有较高的计算精度,而且可方便地应用电磁工程问题的设计与计算,是一种有效的谐振腔本征值问题分析方法。     

多部摄像机集中供电电源设计及组装

一般地市级电视台拍摄现场实况节目,需要几台摄像机同时工作,如大型晚会、知识竞赛、现场直播,以及一些侃谈节目等等。一般情况都需要几个小时以上,如果录制一台晚会节目,机器工作时间更长需十几个小时,甚至几天。综上所述,摄像机用电池供电是非常不方便的(需要准备很多电池,还需要充电,     

操作系统中P、V操作的研究

随着计算机的发展,操作系统的功能也日趋强大,已经由原先单一的单机单用户操作系统发展到多机多用户系统。特别是由于多道技术的出现,使系统的资源利用率得到了大大的提高。但是由此也引出了许多相关问题。主要介绍操作系统如何利用P、V操作来实现进程之间的同步与互斥问题。     

偏振态调制的偏振无关的干涉型光纤传感器

针对低双折射光纤双束干涉型传感器两壁偏振态随机变化引起的信号衰落,提出了一种新型干涉型光纤传感器的消偏振衰落方案。通过在光纤干涉仪的任何一臂加对光波偏振态适当的高频调制,在输出端高频滤波后,可以消除仪两壁偏振态的随机变化的影响,获得干涉信号可见度为0.707的稳定输出,从而实现干涉型光纤传感器的消偏振衰落。     

Cd1—xZnxTe合金的退火研究

用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对Cd1-xZnxTe晶片中Te沉淀的影响,研究结果表明,红外透射谱只对大尺寸的Te沉淀较为敏感,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的Te沉淀,两互为补充,在Cd气氛下对晶片进行退火处理,选择合适的退火温度和退火时间,可以有效地消除晶片中大小尺寸的Te沉淀,却难以消除晶片中小尺寸的微量Te沉淀。     

语音识别技术在电话语音自动拨号的应用

给出了一种应用于电话语音自动拨号的实时语音识别方法。该系统对特定人的语音进行识别,并将识别结果映射成相应的电话号码。实验结果表明该方法具有很高的识别精度和实时的识别速度,并且只需很小的内存空间就可以实现,是一种有效的应用于电话语音自动拨号等方面的语音识别方法。     

自适应量化编码的研究

本文详细地讨论了信源编码的原理,介绍了最优量化的方法以及自适应量化编码的原理。本文还给出一个自适应量化编码的实例。     

发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAs HBT电流增益的理论分析

建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型。理论分析了发射极－基极－发射极布局的PNP型HBT的电流增益。讨论了不同基极电流成分,如外基区表面复合电流,基极接触处的界面复合电流,基区体内复合电流,以及刻蚀台面处的台面复合电流对电流增益的影响。     

晶格热振动对极性半导体膜中电子—表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振劝对极性半导体膜中电子－表面光学（SO）声子强耦合和电子－体纵光学（LO）声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用。并且发现CdF2半导体膜小的中不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子－声子耦合。     

正向栅控二极管的R—G电流直接表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区

使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE,对正向栅控二极管R－G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究,数值分析表明,由于栅控正向二极管界面态R－G电流的特征,沟道工程pocket或halo注入区的界面态会产生一个独立于本征沟道界面态R－G电流特征峰的附加特征峰,该峰的幅度对应于pocket或halo区的界面态大小,而其峰位置对应于pocket或halo区的有效表面浓度,数值分析还进一步显示了该附加特征峰的幅度对pocket或halo区的界面态变化的敏感性和该峰的位置对pocket或halo区的有效表面浓度变化的敏感性,根据提出的简单表达式,可以用实验得到的R－G电流的特征直接抽取沟道工程的pocket或halo注入区的界面态和的有效表面浓度。