MOCVD生长的GaN 薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究

采用高分辨X射线衍射对在蓝宝石(0001)面生长的GaN外延膜的漫散射进行了研究.结果表明,GaN薄膜中存在缺陷团,其浓度随着穿透位错密度的增加而增加,其平均半径呈相反趋势.基于位错是点缺陷的聚集区,缺陷团优先在位错附近形成的效应对结果进行了解释.同时发现电子迁移率随缺陷团浓度的增加而减少.     

满拉水电站进水口抗震设计

满拉水电站区域内为８度高地震区。为使电站进水口具有较好的抗震性，特对进水口结构布置进行分析研究，并用三维有限元法对结构进行抗震计算，依据抗震规范，控制结构断面应力及底部地基应力，使结构设计既满足抗震要求，又经济合理。最终按应力值对结构进行配筋设计。     

睾丸精小管的冷冻蚀刻和超薄切片的电镜观察

本文报导小白鼠、大白鼠、狗的睾丸精小管冷冻蚀刻和超薄切片的观察结果和讨论。一、细胞连接:精小管中各细胞之间关系密切,相互交换信息和物质,保证了精子发生的节奏性和同步化。用冷冻蚀刻技术观察到两种细胞连接形式。1.紧密连接,低倍镜下可见支持细胞的表面有各种线条组成的图案,花纹,高倍镜下则能分辨出这些线条是由蛋白颗粒排列而成。2.间隙连接:由数量不等的蛋白聚集形成,这是两个细胞片状接触,增加了细胞间的信息交流和物质交换量,紧密连接和间隙连接常常是混合存在的,这种结构表明两种连接形式有共同性。通过超薄切片的电镜观察到细胞间的桥粒连接,和精子细胞的间桥,这保证了细胞之间有更多的物质交换,同步发育。     

LPE G_(al-x)Al_xA_s/G_aA_s界面缺陷观察

本文用1000kv高压透射电子显微镜,研究了LPE Gal-xAlxAs/GaAs界面缺陷,观察到异质结Gal-xAexAs/GaAs界面附近存在的位错网络的平面和剖面分布形貌,分析了位错网络的分布特征,用高阶衍射明场和弱束暗场技术,观察到界面位错网络和Gal-xAlxAs/GaAs界面的位置关系。     

印制电路板铜线路化学沉积NiCr合金表面结合力增强研究北大核心CSCD

通过对化学镀铬镍磷合金工艺的研究,在印制电路铜板上通过Ni的催化作用施镀一层铬或者含铬合金,改善印制电路铜线路板表面金属性质,提高印制电路铜板与PI覆盖膜之间的结合力。对化学沉积NiCr合金的速率和覆铜层压板的结合力进行系统分析确定合金最佳沉积参数。结果表明:化学沉积NiCr合金最佳实验条件为:温度85℃、时间20min、0.05mol/L硫酸镍、0.15mol/L三氯化铬。最佳实验条件下的合金镀层含铬量为8.85%(摩尔分数),与PI的线结合力为0.96N/mm,相比无NiCr合金层提高了12%。     

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性

通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱（SIMS) 、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响. 实验表明，在缓冲层厚度为13～20nm之间时，GaN外延层的张应力最小，同时晶体质量和光学质量达到最优值. 此外，SIMS分析表明，当AlN缓冲层位于13～20nm之间时，可有效抑制Si的扩散.     

一种新的FDTD入射场设置方法

本文提出了一种新的入射场设置方法.采用一维FDTD算法来模拟入射波.所得结果与通常的入射场解析表达式的结果比较表明,采用一维FDTD算法引入的入射波在总场区分布均匀,在散射场区泄漏小.     

非晶态As2S8半导体薄膜波导的热处理效应

研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.     

短时傅里叶变换和拟Wigner分布最佳函数

短时傅里叶变换和拟Ｗｉｇｎｅｒ分布是应用最广泛的两种时频分析工具,其窗函数的选择是其应用的前提,对此仍有待深入研究,本文详细研究了其窗函数的选取准则,给出了在最佳频率分辨率意义上的最佳窗函数。     

教育技术与精神传承——关于网络教育和学习及学习观的讨论

网络教学与传统教学,只是手段、环境、模式的不同。教育是人对人的影响,教育者是人,受教育者也是人。最智能、最先进的技术设备都必须由有思想的人来掌控。如果只见物质（技术设备）,不见人的精神,那就是精神缺失。教育技术工作者,首先应该是教育者,成为教育精神的传承者和教育精神的创新者。