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51.
通过改变SiO2纳米溶胶与碳纳米管的比例,选择合适的表面活性剂解决SiO2表面湿润问题,使SiO2得以均匀包裹CNT.采用Sol-Gel工艺制备CNT/SiO2复合物阴极,使用TEM对复合物的形貌、结构进行表征,对其场发射性能与稳定性进行了研究,获得了高增强因子及低屏蔽效应的阴极.发射测试实验表明:复合物中SiO2/CNT含量为80%时,阴极具有高发射电流和较佳的场发射稳定性能.在场强为2 V/mm时,发射电流为56 mA/cm2,开启场为0.71 V/mm,发射电流波动3 h,波动<3%.该阴极发射电流高,稳定性良好,容易采用低成本的丝网工艺制备成各种不同尺寸FED阴极. 相似文献
52.
在不改变三峡永久船闸工程建设标准的前提下,把便于永久船闸初、后期运行的着眼点放在水库特征水位上,用非等分水头的运行原理调整各级闸室底板差,在双线第5级闸室泄水廊道结合部下游设型式为反弧门的工作、检修闸阀,以期实现既降低技术(机电、金属结构设备与施工机械性能等)难度,又减少工程量及投资,既节水多发电,又能力求提高船闸通过能力的目标. 相似文献
53.
54.
高速光调制器是高速光纤传输系统的关键器件之一,在各种类型的光波导6调制器中,Mach-Zehnder干涉型调制器是最常用的调制器类型之一。概述了半导体多量子陆Mach-Zehnder调制器的原理和性能。给出该类调制器的模型,最后介绍所获得的重要模拟结果。 相似文献
55.
56.
57.
提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600~800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650~800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1. 相似文献
58.
本文介绍了波分复用(WDM)系统中出现的新技术、新特点及其广泛的应用领域,并介绍了WDM与ASON、WDM与综合网管相结合的技术优势,揭示了以WDM为基础的通信网络发展方向。 相似文献
59.
60.
随着计算机数据传输速率的不断提高,从1998年的PCIX66Mb/s总线频率到2010年的PCIE第三代8Gb/s总线频率,系统中的高速连接器的电特性设计成为系统设计的一大关键要素。本文主要讨论如何控制高速连接器差模到共模的转换,通过一些高速连接器作为例子来进行仿真和实验论证。 相似文献