我国新型农村社会养老保险可持续发展问题研究

实施新农保制度,从试点、完善到制度成熟,都还面临着不少困难和挑战。在当前,要贯彻保基本、广覆盖、保急需、促公平等基本要领,也要注重强化政府主导、完善体制、完善个人账户制度、加强政策配套、妥善解决新农保与其他社保政策的接续转移问题等战略重点。     

基于加速粒子群算法的车辆座椅悬架最优控制研究

针对传统最优线性二次型控制器中加权矩阵往往由设计者根据经验确定的问题,提出一种应用加速粒子群算法确定加权矩阵的方法。建立"车轮-车身-座椅、人体"6自由度随机振动系统模型,采用加速粒子群算法对座椅悬架进行参数优化,并对优化后系统进行最优线性二次型控制。将基于加速粒子群算法的最优线性二次型座椅悬架系统中"座椅、人体"垂向加速度与初始系统及基于常规粒子群算法和遗传算法的最优线性二次型控制系统进行对比,验证了此控制系统的有效性和优越性。     

RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析

提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25 μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度.     

基于可调谐光纤环形镜滤波器的多波长布里渊掺铒光纤激光器

通过使用非线性放大的光纤环形 镜滤波器(AFLMF),构造了一种新颖的多波长布里渊掺铒光纤激光器(E DFL)线形结构。非线性AFLMF由掺铒光纤放大器(EDFA,由980n m泵浦抽运 一段EDF构成)、偏振控制器(PC)和耦合器构成,减少了腔内基于波长的损耗,并且能够灵 活地控制反射 光以及激光腔内输入和输出光的强度。在布里渊泵浦功率为25mW、 980nm泵浦功率为200mW时,获得了波 长间隔为0.08nm的14个波长的激光输出以及50nm的可调谐范围。通过调节980nm抽运光功率、PC以及布里渊泵浦光波长,实现了可调谐的多波长输出。研究 了980nm抽运光功率以及PC对斯托克斯光波数的影响。     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法，首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构，并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路. 探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法，设计了工艺流程. 讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素，并给出了结构实现的工艺控制要求.     

基于MOS Model 20的RF-S0I LDMOS大信号建模

提出了一种新的基于Philips MOS Model 20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(1aterally dif-fused MOS)大信号等效电路模型.描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象.射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取,并通过必要的优化快速准确地获得最终值.模型的有效性是通过-20栅指(每指栅长L=lμm,宽W=50μm)体接触高阻RF-SOl LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的.结果表明,直流、S参数(10MHz～20.01GHz)以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合.说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度.本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展.模型由Verilog-A描述,使用ADS(hpeesofsim)电路仿真器.     

基于表面势的HEMT模型分析

将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。     

RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型

提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度.     

周期性缺陷接地结构的微带线

基于单元缺陷接地结构(DGS)等效电路模型,研究了周期性缺陷接地结构微带线的色散关系,并给出其阻带的快速估算方法.为提高微波电路的集成度和灵活性,提出了基于周期性DGS结构弯折型微带线,分析其带阻特性、色散特性和阻抗特性.实验证明,该结构在4～7GHz之间具有良好的宽阻带特性.     

低功耗CMOS限幅放大器设计

利用0.18μm CMOS工艺设计了应用于光接收机中的10Gb/s限幅放大器.此限幅放大器由输入缓冲,4级放大单元,一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路构成.输入动态范围为38dB(10mV～800mV),负载上的输出限幅在400mV,在3.3V电源电压下,功耗仅为99mW.整个芯片面积为0.8×1.3mm2.