一种简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计

采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模．测量和模型仿真I-V特性及其在多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明，DC～9GHz频率范围内，简化后的模型可对InGaP/GaAs HBT交流小信号特性进行较好的表征．利用建立的模型设计出DC～9GHz两级直接耦合宽带放大器，该放大器增益达到19dB，输入、输出回波损耗分别低于－10dB和－8dB．     

基于GPRS/Internet的GPS信息服务系统的设计与实现

介绍RTK技术的基本原理,提出基于GPRS/Internet的GPS实时差分系统的总体结构。分析传统通信链路存在的问题,对数传电台链路和GPRS/Internet网络数据传输方式进行分析比较,论证RTK技术与GPRS/Internet数据传输技术相结合的可行性,通过实际测试表明GPRS/Internet数据传输方式是可靠、稳定的。同时完成基准站GPS信息服务系统的软件设计。     

惯性冲击对低真空封装的RF MEMS电容开关性能的影响

分析了外界惯性冲击对低真空封装的旁路电容式RF MEMS开关性能的影响.得到了近似计算外界惯性冲击引起位移的解析式.在已知最大容许插入损耗和外部惯性冲击环境条件下,MEMS开关支撑梁的最小机械刚度常数以及外部惯性冲击引起的插入损耗可以根据该式得到.通过RF MEMS电容式开关实例,表明设计低真空封装的RF MEMS电容式开关时应考虑外部环境因素.可见,RF MEMS开关用低真空封装可以减小空气阻尼、改善开关速度和执行电压的同时,开关的性能却容易受外界环境因素的影响.该研究对低真空封装的RF MEMS电容式开关的优化设计很有意义.     

弹性螺纹夹头在测量技术中的应用

根据弹性夹头定心夹紧机构的定心原理,设计了以螺纹轴线（螺纹孔或螺纹轴）为基准的零件形位公差检具,以避免了以往此类检具采用螺纹分级使用的烦琐和效率低的问题,提高检测效率,经过测量系统分析及试验验证：这项技术的应用切实可行,检具操作简便、准确可靠。     

基于复数权神经元的布尔函数稳健学习算法

复数权神经元由于引入了多阈值逻辑而具有更强的性能.文中根据其数学模型,结合二进感知器神经元稳健设计概念,提出了该神经元的稳健性数学定义,并根据定义,得到了简单逻辑和异或逻辑的单个神经元稳健实现方案.然后根据该方案提出了任意复杂布尔函数稳健实现算法,同时证明了该算法的正确性.最后通过具体实例演示该算法实现布尔函数的过程和...     

一种带共模反馈电路的套筒式全差分运算放大器

基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种带共模反馈电路的套筒式全差分运算放大器.该电路主要由套筒式结构的主运放、偏置电路和共模反馈电路组成.仿真结果表明,设计的电路开环增益为79.4 dB,单位增益带宽为179 MHz,相位裕度为75.5°(负载Cload= 3 PF),功耗为2.31 mW.提出了一种全...     

随机掺杂波动引起纳米MOSFET漏电流失配模型

当MOS集成电路进入纳米特征尺寸,随机掺杂波动对集成电路性能至关重要,因此实现适应纳米工艺的MOSFET电流失配模型以早期预测器件性能显得十分迫切。本文研究了随机掺杂波动引起的阈值电压和有效迁移率变化的表达式,并应用一个经过改进的适用于65纳米工艺ALPHA律平均电流模型,通过HSPICE仿真的数据拟合并提取相关工艺参数,应用偏离传递公式实现了随机掺杂波动引起的MOSFET漏电流失配模型。在测试条件下,该失配模型计算的标准差与HSPICE的100次蒙特-卡罗仿真结果相比显示相对误差平均值为0.24%,相对标准差为0.22%。表明该失配模型有效分析了随机掺杂波动引起的物理传导机制,简单又能保证精度。     

Investigation and modeling of the avalanche effect in MOSFETs with non-uniform finger spacing

This paper investigates the effect of a non-uniform gate-finger spacing layout structure on the avalanche breakdown performance of RF CMOS technology.Compared with a standard multi-finger device with uniform gate-finger spacing,a device with non-uniform gate-finger spacing represents an improvement of 8.5%for the drain-source breakdown voltage(BV_ds) and of 20%for the thermally-related drain conductance.A novel compact model is proposed to accurately predict the variation of B V_ds with the total area of devices,which is dependent on the different finger spacing sizes.The model is verified and validated by the excellent match between the measured and simulated avalanche breakdown characteristics for a set of uniform and non-uniform gate-finger spacing arranged nMOSFETs.     

数字人文视域下的非物质文化遗产资源整合及保护

众所周知,目前国内处于一个重要的数字化背景,各种数字化技术和资源已在各个领域内进行运用,并已取得很好的效果。在很长一段时间以来,非物质文化遗产资源的整合、保护工作所受到的重视程度较高,但很多非物质文化遗产的保护工作存在诸多的限制,在实际的保护过程中也易出现损坏、遗失等等负面情况,而采用数字化技术就能有效地避免出现以上诸多问题,同时可促进国内非物质文化遗产资源整合工作、保护工作的效率和质量同时得到提升,从微观角度上,这对非物质文化遗产的继承和发扬具有促进作用;从宏观角度出发,这对国内社会整体的发展也具重要意义。故此,在本文中就针对数字人文视域下的非遗资源整合及保护机制进行系统的研究和分析,主要目的对促进数字化技术与非物质文化遗产的整合、保护工作进行结合,实现协同发展。     

一种新型的基于滑膜阻尼的电容式双向MEMS惯性传感器

设计了一个新型的结构完全对称的双向MEMS电容式惯性传感器.该传感器主要由可动质量块、栅形条、支撑梁、连接梁、阻尼调整梳齿组成.设计的结构采用变电容面积的检测方式,在降低空气阻尼的同时也降低了对DRIE工艺的要求,并通过加大测试信号电压来降低电路噪声,从而提高传感器的分辨率.用有限元工具ANSYS详细讨论了传感器的参数和性能,并模拟验证了设计的双向传感器的交叉效应近似为零.制作了滑膜阻尼测试器件,在大气压下,测得的品质因子可达514,验证了该结构设计可以提高传感器的分辨率和该工艺设计的可行性.