CMOS多层金属螺旋电感宽带等效电路模型

基于CMOS工艺，提出了一种多层金属螺旋电感宽频带等效电路模型。对于多层金属螺旋电感，传统基于频变参量的等效电路模型已不再适用，而该模型引入RL枝节和互感来表征层间金属趋肤效应和邻近效应，用并联RC枝节来表征同层金属和不同层间金属在衬底的耦合效应。此模型以0．35um2P4M硅工艺制造的电感验证，测量结果与模型仿真结果在宽频带均具有良好的一致性。     

Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型参数提取

对Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT模型本征集电极和发射极电流方程进行了改进,加强了模型的拟合能力.给出了HBT在零偏和冷偏下的等效电路模型,为精确提取基-射、基-集结本征和外围结电容,开发出一种新的、从零偏条件下测量所得S参数中直接提取本征、外部结电容的方法,该方法同时允许本征集电极电阻(Rci)的解析提取.运用该方法精确提取了一发射结面积为180μm2的GaAs HBT器件参数,验证结果表明,算法精度可达40GHz.     

安装频率对浮筏结构传递功率流影响

针对工程实际中浮筏隔振装置 ,建立了柔性基础上机组多扰源弹性浮筏耦合隔振系统动力学普遍模型 ,给出了系统动态特性结构化分析方法 ,推导了耦合系统动态传递方程及功率流表达式 .结合工程实际两机组浮筏隔振系统功率流数值计算结果 ,着重探讨安装频率与支承结构柔性作用及其对隔振效果影响 .研究结果表明 :安装频率设计点选择合理 ,可有效控制振动能量传输     

产学研基地对电子信息类专业本科生素质培养的作用

分析和论述了产学研基地对电子信息类专业教学计划，数学内容，教学方法的带来的改革，对本科生理论联系实际、分析和解决工程实践问题、创新能力和协作精神等素质的培养，起到了重要的促进作用。     

安装频率对浮筏结构传递功率流影响

针对工程实际中浮筏隔振装置，建立了柔性基础上机组多扰源弹性浮筏耦合隔振系统动力学普遍模型，给出了系统动态特性结构化分析方法，了耦合系统动态传递方程及功率流表达式。结合工程实际两机组浮筏隔振系统功率流数值计算结果，着重探讨安装频率与支承结构柔性作用及其对隔振效果影响。研究结果表明：安装频率设计点选择合理，可有效控制振动能量传输。     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法，首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构，并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路. 探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法，设计了工艺流程. 讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素，并给出了结构实现的工艺控制要求.     

漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型

在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻.计算沟道电阻考虑了沟道两侧耗尽层扩展对沟道电阻的影响.计算漂移区电阻时,将漂移区按载流子的分布分为3个部分,然后分别进行求解.然后综合得到SOI LIGBT通态电阻的近似模型,并讨论了影响SOI LIGBT通态电阻特性的主要因素,最后根据讨论结果提出改善措施.     

RF-CMOS建模:MOST在片测试结构寄生分析

提出了一种新的RF-CMOS晶体管在片测试结构寄生模型,模型综合考虑了射频/微波条件下RF-MOST器件在片测试结构中的各种寄生效应.模型考虑了PAD-互连金属、互连金属-DUT(device under test)之间的非连续性,对互连金属和基底之间的寄生效应单独进行了考虑.通过引入一个新的元件,对PAD结构基底感性损耗进行表征.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25 μm RF-CMOS工艺制造的测试结构寄生效应等效电路建模中,高达40GHz测试和仿真数据验证了模型的良好精度.     

惯性冲击对低真空封装的RF MEMS电容开关性能的影响

分析了外界惯性冲击对低真空封装的旁路电容式RF MEMS开关性能的影响.得到了近似计算外界惯性冲击引起位移的解析式.在已知最大容许插入损耗和外部惯性冲击环境条件下,MEMS开关支撑梁的最小机械刚度常数以及外部惯性冲击引起的插入损耗可以根据该式得到.通过RF MEMS电容式开关实例,表明设计低真空封装的RF MEMS电容式开关时应考虑外部环境因素.可见,RF MEMS开关用低真空封装可以减小空气阻尼、改善开关速度和执行电压的同时,开关的性能却容易受外界环境因素的影响.该研究对低真空封装的RF MEMS电容式开关的优化设计很有意义.     

低功耗CMOS限幅放大器设计

利用0.18μm CMOS工艺设计了应用于光接收机中的10Gb/s限幅放大器.此限幅放大器由输入缓冲,4级放大单元,一级用于驱动50Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路构成.输入动态范围为38dB(10mV～800mV),负载上的输出限幅在400mV,在3.3V电源电压下,功耗仅为99mW.整个芯片面积为0.8×1.3mm2.