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41.
该文设计了一种基于0.13μ m CMOS工艺的高速LVDS发送器.通过增加有效的共模反馈电路来抑制开关噪声,同时LVDS输出具有更小的过充电压和更稳定的共模输出电平,使该发送器能在更高的工作频率下运作.该发送器电路采用标准0.13μm CMOS工艺进行设计,版图面积为130μm × 90μm.仿真结果表明,该LVDS... 相似文献
42.
一种二阶补偿的高精度带隙基准电压源设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于charter 0.35μm标准CMOS工艺,设计了一种带自启动电路的高精度、低温漂、低功耗带隙基准电压源。电路在传统带隙基准源的基础上进行改进,利用不同材料电阻温漂系数的比值实现二阶补偿。仿真结果表明,在-40-120℃范围内,输出电压达到1.148 V,平均温漂系数为4.9ppm/℃,功耗仅为57μW。 相似文献
43.
一种高线性化的CMOS共源共栅低噪声放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
该文提出了一种由调谐电感和PMOS管构成的3阶互调失真吸收单元来提高线性度。它通过吸收输出端上3阶互调失真吸收单元电流信号来提高CMOS LNA的线性度。调谐该线性化单元中的电感可减小源简并电感型共源放大器中2阶非线性引起的3阶互调失真。采用SMIC 0.18μmRF CMOS标准工艺,设计了线性化的CMOS Cascode LNA和传统结构做对比。 相似文献
44.
45.
为满足认证需求,本单位开展水中铜、镍的测定,并按照《水质32种元素(的测定电感耦合等离子体发射光谱法》(HJ 776-2015)测定水中铜、镍进行了方法验证工作。 相似文献
46.
针对3500mm定尺剪减速机在使用中出现的问题,在原结构上进行了一系列改进。改进后的减速机,其结构更简单合理,为以后的产品设计提供了宝贵经验,具有一定的参考和借鉴作用。 相似文献
47.
RF-CMOS建模:一种改进的累积型MOS变容管模型 总被引:2,自引:0,他引:2
提出一种改进的累积型MOS变容管射频模型,改进后模型方程可精确描述累积型MOS变容管全工作区域特性;模型方程连续,且任意阶次可导,至少三阶导数求解结果可实现与测试结果的精确拟合,解决了原模型可导但导数错误、变阻方程不连续等问题.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一30栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=4.76μm)累积型MOS变容管建模中,测量和仿真所得C-V,R-V特性,品质因素以及高达39GHz S参数对比结果验证了模型的良好精度. 相似文献
48.
49.
当今,由于时代的飞速发展,信息技术成为高中学生的必修课,被摆在了越来越重要的位置。要想切实提高信息技术课教学质量和学生的学习效率,我们需要改变传统的信息技术课教学模式,必须加强信息技术课理论的教学。教材对理论知识没有作过多的论述,占用篇幅较少,知识的系统性比较薄弱;学习内容较艰涩难懂,少趣味陛。如何能在理论课中实现突破,既能使学生主动、愉决地掌握理论知识,又能有效地培养学生信息素养呢? 相似文献
50.
针对一类未知控制增益的不确定非线性系统,提出了一种自适应跟踪控制方法.文中的不确定性包括时变和时不变参数.基于反步设计法,提出了一种新的自适应控制方法.该方法不采用饱和控制,能保证跟踪误差收敛于零.提出了一个仿真例子,仿真结果说明了该方法的有效性. 相似文献